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[发明专利]具有嵌入在封装中的硅通孔（TSV）管芯的多芯片集成-CN201410199136.X在审
发明人： D·A·劳瑞恩;李永刚;R·N·马内帕利;J·索托冈萨雷斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有多个管芯的三维(3D)集成的集成电路(IC)封装组件，以及对应的制造方法和包含这种3D IC封装组件的系统。可在诸如微处理器管芯的第一管芯上形成无凸块建立层(BBUL)封装衬底。激光辐射可用于在管芯背面薄膜中形成开口以暴露第一管芯的背侧上的TSV焊盘。诸如存储器管芯堆叠的第二管芯可通过在对应的第一和第二管芯的TSV之间形成的管芯互连耦合至第一管芯。可施加底部填充材料以填充第一和第二管芯之间的任何剩余间隙中的一些或所有，和/或可密封剂施加于第二管芯和/或封装衬底上。可描述和/或要求保护其它的实施例。
具有嵌入封装中的硅通孔 tsv 管芯芯片集成

[发明专利]独立3D堆叠-CN201680043123.0有效
发明人： K-Y·赖;翟军;胡坤忠 -专利权人：苹果公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：描述了封装和3D管芯堆叠工艺。在实施方案中，一种封装包括混合键合到第一封装级的第二级管芯，第一封装级包括封装于氧化物层中的第一级管芯，以及通过氧化物层延伸的多个过氧化物通孔(TOV)。在实施方案中，所述TOV和所述第一级管芯具有大约20微米或更小的高度。
独立堆叠

[发明专利]封装-CN202010304236.X在审
发明人：陈明发;叶松峯;洪建玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种封装包括半导体载板、第一管芯、第二管芯、第一包封体、第二包封体、第一绝缘层穿孔(TIV)以及第二绝缘层穿孔。半导体载板具有嵌置在其中的接触通孔。接触通孔被电接地。第一管芯设置在半导体载板上。第二管芯堆叠在第一管芯上。第一包封体在侧向上包封第一管芯。第二包封体在侧向上包封第二管芯。第一TIV位于第一管芯旁。第一TIV穿透过第一包封体且电连接到接触通孔。第二TIV位于第二管芯旁。
封装

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202210669417.1在审
发明人：陈建宏;赖昱安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：该方法包括将III‑V管芯直接接合到互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯以形成管芯堆叠件。III‑V管芯包括(111)半导体衬底以及第一电路，第一电路包括形成在(111)半导体衬的表面处的基于III‑V的n型晶体管。CMOS管芯包括(100)半导体衬底以及第二电路，第二电路包括位于(100)半导体衬底上的n型晶体管和p型晶体管。第一电路电连接到第二电路。
封装及其形成方法

[发明专利]芯片间存储器接口结构-CN201380028442.0有效
发明人： J·徐;D·T·全 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： G11C5/04 文献下载
摘要：在实施例中，堆叠封装系统具有存储管芯(102、104)和逻辑管芯(106)。存储管芯包括第一存储器(306)和第二存储器(308)，每一个都被操作为与另一个独立，而且每一个都具有被电气连接至逻辑管芯的芯片间接口(310、312)。逻辑管芯具有两个独立的时钟源(318、322)，一个用于向第一存储器提供第一时钟信号，而另一个时钟源用于向第二存储器提供第二时钟信号。
芯片存储器接口结构

[发明专利]3D堆叠管芯组件的共形功率输送结构-CN202211019042.0在审
发明人： F·艾德;A·阿列克索夫;A·埃尔谢尔比尼;H·布劳尼施 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：公开了一种共形功率输送结构、一种三维(3D)堆叠管芯组件、一种包括3D堆叠管芯组件的系统以及一种形成共形功率输送结构的方法。该功率输送结构包括封装基板，与封装基板相邻并且电耦合到其上的管芯；与封装基板的上表面相邻并且电耦合到其上的第一电源平面；至少部分地在所述第一电源平面的凹陷之内并且具有与所述第一电源平面的所述上表面共形的下表面的第二电源平面
堆叠管芯组件功率输送结构

[发明专利]电网平衡设备、系统和方法-CN201611145003.X在审
发明人：托马斯·科吉;伊尔汉·哈齐尔纳兹;迈克尔·罗勒德 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开一种用于管芯上的配电的半导体设备，所述半导体设备包括第一管芯，其中所述第一管芯包括第一集成电路；耦合到所述第一管芯的障壁，其中所述障壁为环；第二管芯，其中所述第二管芯包括第二集成电路，其中所述第一和第二管芯堆叠在一起且互相电连接；以及耦合到所述障壁和所述第一管芯的边缘的一对金属连接器，其中电力和接地线耦合到所述障壁，其中通过所述电力和接地线传输的所述电力通过所述障壁和金属连接器分布到所述第一管芯，并且其中传输到所述第一管芯的所述电力分布到所述第二管芯
电网平衡设备系统方法

[发明专利]用于密集堆叠管芯封装的丝线键合焊盘设计-CN201911127224.8在审
发明人：杨旭一;肖富强;张聪;邱进添;王国建 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请题为“用于密集堆叠管芯封装的丝线键合焊盘设计”。本申请公开了用于3D封装的系统、方法和设备。在一些实施例中，半导体封装件包括第一管芯和第二管芯。第一管芯包括在第一管芯的顶部上并靠近第一管芯的第一边缘的第一键合焊盘。第二管芯包括在第二管芯的顶部上并靠近第二管芯的第二边缘的第二键合焊盘。柱位于第二键合焊盘上。第一管芯被安装在第二管芯的顶部上，使得第一边缘平行于第二边缘并且从第二边缘偏移，从而暴露出柱。丝线被键合到柱的键合表面并且被键合到第一键合焊盘的键合表面。
用于密集堆叠管芯封装丝线键合焊盘设计

[发明专利]用于3D集成电路中的互连测试的扫描结构-CN201710341840.8有效
发明人：桑迪·库马·戈埃尔;李云汉;萨曼·M·I·阿扎姆;马拉·格绍伊古 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G01R31/3185 文献下载
摘要：一种器件包括第一管芯和堆叠在所述第一管芯之下的第二管芯，所述第一管芯和所述第二管芯之间互连。所述第一管芯或第二管芯中至少一个具有执行功能和提供功能性路径的电路。每个所述第一管芯和第二管芯包括多个锁存器和多个多路复用器，所述多个锁存器包含与每个互连对应的一个锁存器。每个多路复用器分别与所述多个锁存器的相应一个相连，并被设置为从所述功能性路径中接收和选择其中一个扫描测试图案或信号，以在所述第一管芯和第二管芯的扫描链测试期间输出。
用于集成电路中的互连测试扫描结构

[发明专利]具有减小的开关节点振铃的三维电源模块-CN201280007839.7在审
发明人： J·A·赫尔嵩末;O·J·洛佩斯;J·A·浓趣勒 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种同步降压转换器的高频电源模块（800），其具有漏极向下直接焊接到引脚框架的焊盘（801）的控制管芯（810）；焊盘（801）连接到VIN，并且到控制管芯（810）的VIN连接表现出消失的阻抗和电感，因此，输入电流从焊盘垂直进入控制管芯端子。在控制管芯（810）顶部上的开关节点夹片（840）被设计为具有面积足够大，从而以漏极向下的方式将同步管芯（820）放置在控制管芯顶部上；电流继续垂直流过转换器堆叠。同步管芯的有效面积等于或大于控制管芯的有效面积；同步管芯的物理面积等于或大于控制管芯的物理面积。同步管芯（820）的源极端子由被设计为充当散热器的夹片（860）连接到地。
具有减小开关节点振铃三维电源模块

[实用新型]一种具有杀菌的发光二极管-CN201920727558.8有效
发明人：卿志鹏 -专利权人：江西艾立特光电科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有杀菌的发光二极管，包括铝基板，铝基板上连接有引脚架，铝基板的上表面上设置有氮化铝发光二极管芯片，铝基板的上表面上还设置有堆叠硅反光杯，堆叠硅反光杯设置在氮化铝发光二极管芯片的周侧，堆叠硅反光杯的上侧固定有圆形石英透镜，圆形石英透镜的上侧设置有UV树脂透镜，铝基板与氮化铝发光二极管芯片接触的位置开设有通孔，通孔内通过导热硅胶设置有石墨烯导热块，石墨烯导热块的下侧固定有绝缘散热块。本实用新型有效提高了氮化铝发光二极管芯片的光引出效率，进而提高了该发光二极管的光效，使得该发光二极管具备良好的杀菌效果，显著提升了该发光二极管的散热效果，延长该发光二极管的使用寿命。
发光二极管铝基板发光二极管芯片氮化铝透镜反光杯堆叠导热本实用新型圆形石英上表面石墨烯通孔杀菌光引出效率导热硅胶散热效果杀菌效果使用寿命散热块引脚架光效绝缘

[发明专利]在半导体管芯之间形成保护材料的半导体器件和方法-CN201010542361.0有效
发明人：林宅基;尹慈恩;李成尹 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体管芯之间形成保护材料的半导体器件和方法。半导体晶片包含第一半导体管芯。形成贯穿半导体晶片的TSV。第二半导体管芯安装到半导体晶片的第一表面。第一胶带被施加到半导体晶片的第二表面上。在该第二半导体管芯和晶片的第一表面上形成保护材料。保护材料可以是密封剂或者聚乙烯醇和水。在第二管芯之间将晶片单颗化成个别管芯到晶片封装，每个管芯到晶片封装包含堆叠在第一管芯上的第二管芯。该管芯到晶片封装可以安装到衬底。可以在管芯到晶片封装上形成内建互连结构。可以去除所述保护材料。可以在第一和第二管芯之下沉积底部填充材料。在管芯到晶片封装上沉积密封剂。
半导体管芯之间形成保护材料半导体器件方法

[发明专利]一种射频天线开关芯片-CN201610064041.6在审
发明人：黄清华;路宁;刘海玲;陈高鹏;董怀朋 -专利权人：宜确半导体（苏州）有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种射频天线开关芯片，由基板、射频开关管芯及滤波器管芯组成；所述射频开关管芯倒扣贴装在所述基板上；所述滤波器管芯与所述基板相连，并与所述射频开关管芯通过堆叠粘贴相连，包括电感元件与电容元件，且采用IPD工艺制作而成，其晶圆衬底为高阻衬底，可以减少衬底的涡流损耗，并且所述滤波器管芯上用于布线的金属层为厚金属工艺，寄生电阻小，因此可以集成高Q值的电感和电容元件；无需分立表面贴装电感、电容元件，解决了现有技术中成本高及体积大的问题
一种射频天线开关芯片

[发明专利]倒装芯片晶片级封装及其方法-CN201310749734.5有效
发明人： T.迈尔 -专利权人：英特尔德国有限责任公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及倒装芯片晶片级封装及其方法，其中一种电子封装包括倒装芯片部件，具有耦合到倒装芯片基底的第一管芯；第二管芯，堆叠在第一管芯上；密封化合物，形成在第一管芯和第二管芯周围；一组贯穿密封剂通孔TEV，提供贯穿密封化合物至倒装芯片基底的从电子封装的第一侧到电子封装的第二侧的一组电连接；和再分布层，在电子封装的第一侧上把第二管芯上的一组接触电连接到所述一组TEV。
倒装芯片晶片封装及其方法

[实用新型]一种射频天线开关芯片-CN201620093702.3有效
发明人：黄清华;路宁;刘海玲;陈高鹏;董怀朋 -专利权人：宜确半导体（苏州）有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型提供一种射频天线开关芯片，由基板、射频开关管芯及滤波器管芯组成；所述射频开关管芯倒扣贴装在所述基板上；所述滤波器管芯与所述基板相连，并与所述射频开关管芯通过堆叠粘贴相连，包括电感元件与电容元件，且采用IPD工艺制作而成，其晶圆衬底为高阻衬底，可以减少衬底的涡流损耗，并且所述滤波器管芯上用于布线的金属层为厚金属工艺，寄生电阻小，因此可以集成高Q值的电感和电容元件；无需分立表面贴装电感、电容元件
一种射频天线开关芯片