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[发明专利]包括基片上覆锗层的结构体的制造方法-CN200980114593.1无效
发明人：尼古拉斯·达瓦尔;奥列格·科农丘克;埃里克·圭奥特;塞西尔·奥尔内特;法布里斯·拉勒门特;克里斯托夫·菲盖;迪迪埃·朗德吕 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及包括支持基片(1)上覆锗层(3)的结构体的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：(a)形成包括所述支持基片(1)、氧化硅层(20)和所述锗层(3)的中间结构体(10)，所述氧化硅层(20)与所述锗层(3)直接接触，(b)在中性或还原性气氛中于规定的温度下对所述中间结构体(10)施加规定时间的热处理，从而使来自所述氧化硅层(20)的至少一部分氧通过所述锗层(3)扩散。
包括基片上覆锗层结构制造方法

[发明专利]一种硅锗纳米线的制作方法-CN201610613954.9在审
发明人：王勇;王瑛;丁超 -专利权人：东莞华南设计创新院;广东工业大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层B；(4)在该锗基片上生长的40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层C；(5)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺牲层D；(6)在该基片上生长40纳米氮化硅介质层；(7)在该基片上采用电子束光刻与剥离的方法沉积40纳米宽的金属铂；(8)利用金属铂为掩膜，采用ICP刻蚀的方法，刻蚀氮化硅掩膜层、锗牺牲层B、硅锗沟道层B、锗牺牲层A、硅锗沟道层A和锗衬底；(9)去除金属铂；(10)采用选择性腐蚀的方法腐蚀锗牺牲层；(11)去除氮化硅掩膜层，形成双层硅锗纳米线。
一种纳米制作方法

[发明专利]半导体装置及其制备方法-CN200780100178.1无效
发明人：塔-霍·洛;会安-萨恩·阮 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该方法包括在介电层内形成至少一个沟槽、从而将半导体基片的一部分暴露，至少在该至少一个沟槽的底部形成硅-锗缓冲层，在该硅-锗缓冲层上形成锗种子层且在该锗种子层上形成锗层。还公开了一种半导体装置。该半导体装置包括半导体基片、置于该半导体基片之上的介电层、在该介电层且将该半导体基片的一部分暴露的至少一个沟槽、至少置于该至少一个沟槽的底部之上的硅-锗缓冲层，置于该硅-锗缓冲层之上的锗种子层以及置于该锗种子层之上的锗层
半导体装置及其制备方法

[发明专利]SOI衬底的形成方法-CN201210071755.1无效
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种SOI衬底的形成方法，包括：提供第一基片和第二基片，在所述第一基片表面形成锗硅层；在所述锗硅层表面形成顶层硅层；在所述顶层硅层的第二表面形成第一绝缘层；利用离子注入工艺使得所述锗硅层或第一基片内形成离子注入层；将所述第二基片与所述第一绝缘层进行粘合；对所述第一基片、锗硅层进行第一退火处理，使得所述锗硅层或第一基片在离子注入层的位置发生开裂；除去所述顶层硅层表面的锗硅层和/或所述锗硅层表面的部分第一基片，形成由于所述离子注入层的位置位于所述第一基片或锗硅层内，不位于所述顶层硅层内，所述第一基片或锗硅层开裂对所述顶层硅层的厚度不会产生影响，使得所述顶层硅层的厚度容易控制。
soi 衬底形成方法

[实用新型]自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构-CN201920281024.7有效
发明人：李海欧;李炎;胡蕾琪;刘赫;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构，该自组织锗硅纳米晶基片由下至上依次生长：非掺杂硅衬底、硅缓冲层、锗层、硅包覆层以及二氧化硅层；其中，所述自组织锗硅纳米晶基片上利用分子外延生长技术，使所述锗层、所述硅包覆层和所述二氧化硅层的中部均向上凸起，形成自组织硅锗纳米晶结构。本实用新型提供的自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构以顶栅极层电控空穴型自组织锗硅纳米晶电控量子点结构为基础，为构建量子计算机的量子比特基本单元提供了可实现高集成度、快速操控的量子点结构。
纳米晶自组织锗硅量子点结构电控本实用新型二氧化硅层覆层硅包锗层外延生长技术空穴量子计算机顶栅极层高集成度硅缓冲层基本单元向上凸起非掺杂硅衬底操控构建硅锗量子生长

[发明专利]自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构及制备方法-CN201910167088.9在审
发明人：李海欧;李炎;胡蕾琪;刘赫;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构及制备方法，该自组织锗硅纳米晶基片由下至上依次生长：非掺杂硅衬底、硅缓冲层、锗层、硅包覆层以及二氧化硅层；其中，所述自组织锗硅纳米晶基片上利用分子外延生长技术，使所述锗层、所述硅包覆层和所述二氧化硅层的中部均向上凸起，形成自组织硅锗纳米晶结构。本公开提供的自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构及制备方法以顶栅极层电控空穴型自组织锗硅纳米晶电控量子点结构为基础，为构建量子计算机的量子比特基本单元提供了可实现高集成度、快速操控的量子点结构。
纳米晶自组织锗硅量子点结构电控制备二氧化硅层覆层硅包锗层外延生长技术空穴量子计算机顶栅极层高集成度硅缓冲层基本单元向上凸起非掺杂硅衬底操控构建硅锗量子生长

[发明专利]一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法-CN201110098970.6有效
发明人：安霞;黄如;林猛;郭岳;李志强;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-04-20 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C23C10/08 文献下载
摘要：本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理，以实现在基片上淀积硅钝化层；最后再淀积一层高本发明可以大大减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、有效地抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效率。
一种 mos 器件衬底表面钝化方法

[发明专利]一种工作波段为11500-12500nm的远红外带滤光片-CN202111682816.3在审
发明人：侯树军;周东平;侯树伟;樊利花 -专利权人：苏州厚朴传感科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：该一种工作波段为11500‑12500nm的远红外带滤光片，包括正面膜系、基片和背面膜系，所述正面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共46层，所述基片为锗片，所述基片直径为20mm，所述基片厚度为1mm，所述锗基片两面抛光，两个面上分别镀制正面膜系和背面膜系，所述背面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共76层。使得基板在使用的时候，在正面膜系和反面膜系镀于基板上的作用下，最终得到的远红外带通滤光片的透过率曲线，波段可以在11500‑12500nm中进行工作，具有较高的透过率，其他波段高度截止。
一种工作波段 11500 12500 nm 外带滤光

[发明专利]一种FDSOI的锗硅层的制作方法-CN202111053103.0在审
发明人：陈勇跃;洪佳琪;颜强;谭俊;周海锋;成鑫华;方精训 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FDSOI的锗硅层的制作方法，方法包括：提供SOI基片；在SOI基片的顶层硅上外延形成锗硅层；形成覆盖锗硅层的硅盖帽层；在硅盖帽层上沉积含有氧自由基的氧化物，以形成氧化物材料层；在锗硅层表面热氧化形成氧化层，锗硅层的厚度同时被减小，利用氧化物材料层中氧自由基的催化氧化作用使硅盖帽层氧化，且在氧化层和锗硅层的界面处形成锗凝聚；进行热退火将氧化层和锗硅层界面处凝聚的锗扩散到整个锗硅层；刻蚀去除氧化物材料层和氧化层本发明不仅实现了锗硅层锗浓度的提升，还降低高浓度锗硅层制备所需的时间和热预算，同时还保证锗硅层的工艺质量，使得锗硅层能很好的适用于半导体器件的制作，使半导体器件的性能得到改善。
一种 fdsoi 锗硅层制作方法

[发明专利]FDSOI上锗硅鳍体的制作方法-CN202010350253.7在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI上锗硅鳍体的制作方法，包括：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶层硅；步骤二、在顶层硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、形成对顶层锗硅层刻蚀后形成的锗硅鳍体；步骤四、对锗硅鳍体进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤41、进行热氧化在所述锗硅鳍体表面形成第一氧化层并在第一氧化层和锗硅鳍体的界面处形成锗凝聚；步骤42、进行热退火将凝聚的锗扩散到整个锗硅鳍体；步骤43、刻蚀去除第一氧化层。本发明能提升锗硅鳍体的锗浓度，还能同时对锗硅鳍体的宽度和高度进行精细调节。
fdsoi 上锗硅鳍体制作方法

[发明专利]FDSOI的顶层锗硅层的制作方法-CN202010458335.3在审
发明人：陈勇跃 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种FDSOI的顶层锗硅层的制作方法，包括步骤：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶部硅；步骤二、在顶部硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、对顶层锗硅层进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤31、进行热氧化在顶层锗硅层表面形成顶部氧化层并在顶部氧化层和底部的顶层锗硅层的界面处形成锗凝聚；步骤32、进行热退火将界面处凝聚的锗扩散到整个顶层锗硅层；步骤33、去除顶部氧化层。本发明能提升顶层锗硅层的锗浓度，能很好的控制顶层锗硅层的厚度以及能很好的提升顶层锗硅层的工艺质量。
fdsoi 顶层锗硅层制作方法

[发明专利]具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法-CN201510394479.6在审
发明人：刘智;成步文;何超;李传波;薛春来;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器，包括：一SOI衬底；一二氧化硅层，其制作在SOI层的n型顶层硅上，该二氧化硅层刻蚀有二氧化硅光栅，该二氧化硅光栅为一圆形或矩形结构，在二氧化硅光栅的空隙处制作有本征锗层，在本征锗层上制作有p型锗层，形成基片，所述二氧化硅光栅、本征锗层和p型锗层构成锗/二氧化硅亚波长光栅；n电极，其制作在SOI衬底的n型顶层硅上；p电极，其制作在p型锗层上；一抗反射绝缘介质层，其制作在基片的上表面；其中该n电极和p电极暴露出抗反射绝缘介质层外。本发明可以解决面入射硅基锗光电探测器目前存在的暗电流密度偏大，以及响应度和带宽之间相互制约的问题。
具有波长光栅结构入射硅基锗光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种绝缘体上纳米级硅锗材料及其制备方法-CN201110280667.8有效
发明人：徐文婷;肖清华;常青;屠海令 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种绝缘体上纳米级硅锗材料，包括绝缘衬底上的硅基片，该基片的顶硅层中生长有纳米级硅锗颗粒，该顶硅层为P型，电阻系数为1～10Ω·cm，顶硅层厚度为50～200nm，所述纳米级硅锗的粒径为1～30nm。其制备方法包括如下步骤：(1)绝缘衬底上的硅基片经过表面清洁后，放入离子注入设备中，保持注入方向与基片平面呈7～10°；(2)抽至高真空10-7Pa，保持室温，采用GeH4气源注入Ge离子，控制注入能量在该制备方法工艺过程清洁、无污染、简洁、无需缓冲层，并且制备得到的硅锗结构达到纳米级尺寸，能实现与当前集成电路工艺技术的兼容。
一种绝缘体纳米级硅锗材料及其制备方法

[发明专利]在硅上集成HEMT器件的方法-CN201310023631.0有效
发明人：米俊萍;周旭亮;于红艳;李梦珂;李士颜;潘教青 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种在硅上集成HEMT器件的方法，包括以下步骤：步骤1：采用UHVCVD方法，在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室进行高温处理；步骤3：采用低压MOCVD的方法，在锗层上外延生长掺铁的半绝缘层；步骤4：在半绝缘层上生长缓冲层；步骤5：用MOCVD的方法，在缓冲层上生长半导体层；步骤6：在半导体层上生长高掺杂的帽层，形成基片；步骤7：采用湿法腐蚀的方法，在基片的两侧从基片的表面向下腐蚀出台面，腐蚀深度到达半绝缘层内；步骤8：在帽层上表面的两侧制作源极和漏极；步骤9：在帽层的中间刻蚀出沟槽，暴露出半导体层，在半导体层上淀积金属形成栅极，完成HEMT的制备。
集成 hemt 器件方法

[发明专利]一种硅锗纳米线的制作方法-CN201611072423.X在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公布了一种硅锗纳米线的制作方法，其步骤如下(1)准备一硅半导体材料作为基片；(2)在该硅基片上生长35纳米厚的硅锗半导体材料层；(3)在硅锗半导体材料层上生长SiO2介质层30纳米；(4)采用电子束光刻和ICP刻蚀的方法刻蚀出30纳米宽的SiO2纳米线；(5)以SiO2为掩膜刻蚀硅锗材料层和硅衬底；(6)采用氧气氛围下450度退火的方式，氧化该样品；(7)采用氢氟酸溶液腐蚀样品，腐蚀掉氧化硅；(8)循环进行步骤(6)和(7)5‑6次；(9)采用盐酸和氨水清洗样品，制成硅锗纳米线。
一种纳米制作方法

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