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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]先进的CPV太阳能电池组件处理-CN201480030798.2有效
发明人： 塞西尔·奥尔内特;R·克劳斯;F·迪姆罗特;埃里克·圭奥特;E·马扎莱拉;C·德拉泽克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池组件结构(222)，所述太阳能电池组件结构用于支撑聚光光伏电池结构(3420)，并且包括半导体结构和二极管，其中，半导体结构包括第一半导体区(2800)，所述第一半导体区的至少一部分用于放置聚光光伏电池结构；以及第二半导体区(2200)，所述第二半导体区用于在第二半导体区内或第二半导体区上实现二极管，并且其中，第一半导体区的用于放置聚光光伏电池结构的部分与第二半导体区不垂直交叠。
先进 cpv 太阳能电池组件处理

[发明专利]多转移组件处理-CN201480030562.9有效
发明人： R·克劳斯;塞西尔·奥尔内特;E·马扎莱拉;F·迪姆罗特;埃里克·圭奥特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多个光伏电池的制造方法，该制造方法包括以下步骤获得相对于彼此以第一距离放置的多个光伏电池(8121‑8124)；将伸展材料(1150)附接至所述多个光伏电池；以及使所述伸展材料伸展(S61)，使得所述多个光伏电池相对于彼此以第二距离产生，其中，所述第二距离大于所述第一距离。
转移组件处理

[发明专利]包括基片上覆锗层的结构体的制造方法-CN200980114593.1无效
发明人：尼古拉斯·达瓦尔;奥列格·科农丘克;埃里克·圭奥特;塞西尔·奥尔内特;法布里斯·拉勒门特;克里斯托夫·菲盖;迪迪埃·朗德吕 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及包括支持基片(1)上覆锗层(3)的结构体的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：(a)形成包括所述支持基片(1)、氧化硅层(20)和所述锗层(3)的中间结构体(10)，所述氧化硅层(20)与所述锗层(3)直接接触，(b)在中性或还原性气氛中于规定的温度下对所述中间结构体(10)施加规定时间的热处理，从而使来自所述氧化硅层(20)的至少一部分氧通过所述锗层(3)扩散。
包括基片上覆锗层结构制造方法

[发明专利]再生基片的方法、层积晶片制造法和适宜的再生供体基片-CN200880021382.9有效
发明人： 塞西尔·奥尔内特;哈里德·拉德万 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及用于再生基片的方法，在所述基片表面的第一区域，特别是沿着所述基片的边缘，具有阶状残留物，所述阶状残留物突出于所述基片的剩余的第二区域的表面，其中，主要在对应于所述基片的所述剩余的第二区域的表面的平面内和/或在朝着所述基片的边缘斜切的平面内，所述第一区域包括修饰区，特别是离子植入区。为防止污染物在随后的层积晶片制造过程中的负面影响，再生方法包括材料去除步骤，执行该步骤以使第一区域中的基片的表面低于材料去除前的修饰区的高度。本发明还涉及使用再生基片的层积晶片制造法和其中第一区域的表面低于第二区域的表面的再生基片。
再生方法层积晶片制造适宜供体

[发明专利]薄膜制造方法-CN200680024450.8在审
发明人： 塞西尔·奥尔内特;伊恩·凯雷佛尔克;卡洛斯·马祖拉 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了薄膜制造方法。本发明涉及从初始晶片制造要应用于电子、光子或光电子的薄膜的方法，该方法包括通过所述晶片的其中一个表面植入原子核种的步骤，该方法包括以下阶段：(a)形成围绕所述晶片的外周的确定高度的台阶，所述晶片在所述台阶处的平均厚度小于所述晶片的其他部分的平均厚度；(b)使所述台阶免于被植入原子核种；以及(c)通过所述晶片的具有所述台阶的表面植入原子核种，从而以确定的植入深度形成植入区，所述薄膜在一侧由所述晶片的所述植入表面确定，而在另一侧由所述植入区确定。本发明还涉及通过所述方法获得的晶片。
薄膜制造方法

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