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[发明专利]GaN基增强型MOS-HEMT器件及其制备方法-CN201710509569.4有效
发明人：张有润;刘程嗣;刘影;庞慧娇;胡刚毅;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法，从下至上依次包括：Si衬底、GaN层、AlGaN层、钝化层、处于栅下AlGaN层中由金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物，合金化合物上侧覆盖有氧化钽栅介质层，金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物是通过在氮气环境下高温退火使氧化钽栅介质层下的AlGaN层上表面部分与钽金属反应生成的，产生类似栅槽刻蚀的作用从而实现增强型HEMT，合金化合物生成后剩余的钽金属在氧气环境高温氧化生成氧化钽栅介质层，形成氧化钽栅介质的MOS‑HEMT；本发明避免了高精度干法刻蚀GaN基材料的复杂工艺，避免了等离子刻蚀栅凹槽过程对晶格造成损伤，具有简化工艺、可操作性高、提高器件性能等特点。
gan 增强 mos hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种磁吸式桥梁排水格栅-CN201921773198.1有效
发明人：李玉龙;于明;边伟;白捷;马聚山;巩红红;徐斌;高婧;邢淑美;王成祥 -专利权人：山东东泰工程咨询有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： E01D19/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁吸式桥梁排水格栅，包括沉槽机构、格栅机构：沉槽机构包括固定基环、固定凸起、安装槽、定位槽、锁孔、磁钢；格栅机构包括格栅基环、栅条、定位凸起、滑槽、锁销机构；滑槽包括由内环至外环依次设置的第一
一种磁吸式桥梁排水格栅

[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器-CN201510380084.0有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器用具有悬臂梁栅的MOS管代替传统的MOS管。悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的悬臂梁栅NMOS管，谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上，该悬臂梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁栅，悬臂梁栅下方设计有下拉电极板，下拉电极板接地，相对于传统MOS管在截止时栅极氧化层很薄，导致栅极氧化层中的场强很大会产生一定的栅极漏电流，该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅MOS管关断时，悬臂梁栅是悬浮的，栅极氧化层中的场强比较小，栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低
硅基低漏电悬臂梁 mos 交叉耦合振荡器

[发明专利]一种糯玉米育种培育用保温培育装置及其培育方法-CN202110923350.5有效
发明人：孙萍东;郑洪建;林金元;王慧;于典司;关媛;顾炜;胡颖雄;卫季辉;施标;况慧云 -专利权人：上海市农业科学院
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： A01G9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种糯玉米育种培育用保温培育装置及其培育方法，包括育种基土、定位槽、湿度传感器、进风管、防护罩、控制器、排风管、卡槽和电热丝，所述育种基土内部插接有定位槽，所述定位槽上端套接有防护罩，所述防护罩两侧外壁分别设置有进风管和排风管，所述定位槽内部设置有栅板，所述栅板中间位置处设置设置有通孔，所述通孔内部设置有湿度传感器；所述防护罩上端内部插接有水管，所述水管下表面嵌入安装有等距分布的喷头，所述防护罩顶端内壁对称安装有第一灯罩、第二灯罩和第一温度传感器
一种玉米育种培育保温装置及其方法

[发明专利]极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202310312054.0在审
发明人：陈敦军;朱子孟;潘丹峰;郭慧 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法。该器件利用刻槽+沉积铁电薄膜的方法获得多片鳍形铁电栅。利用铁电极化耗尽沟道二维电子气，实现增强型器件。鳍形铁电栅可以增大阈值电压的调控范围、减小栅极漏电流、降低亚阈值斜率，最终实现高阈值电压、高开关速度和低功耗的器件。最后，多沟道可以保证大的输出电流。
极化调控超低亚阈值斜率增强型铁电栅 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法-CN201711404647.0有效
发明人：刘洪刚;常虎东;孙兵;袁志鹏;肖冬萍 -专利权人：苏州闻颂智能科技有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件，包括从下往上依次层叠的衬底层、由氮化镓和氮化铝构成的缓冲层、氮化镓沟道层、Al(ln,Ga,Sc)N势垒层、P型帽层、氮化硅钝化层；增强型GaN基HEMT器件还包括：设于P型帽层和Al(ln,Ga,Sc)N势垒层中的N型扩散层；设于Al(ln,Ga,Sc)N势垒层上表面的源电极和漏电极；设于P型帽层上表面的栅电极，栅电极位于源电极和漏电极之间；N型扩散层位于栅电极和漏电极之间以及栅电极和源电极之间通过在栅漏之间形成耗尽区，使其具有较高的击穿电压。本发明公开一种增强型GaN基HEMT器件的制备方法，将现有技术中依赖于刻蚀工艺的增强型GaN基HEMT器件制作流程中所涉及的P型帽层刻蚀工艺省去，改为离子注入工艺，提高了增强型GaN基HEMT器件制作工艺的一致性
一种增强 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法-CN202010431522.2在审
发明人：乌李瑛;程秀兰;付学成;马玲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，包括如下步骤：A、将衬底清洗后，放入原子层沉积的反应腔；B、将第一反应前驱体通入反应腔，在衬底上形成单分子层；C、将第二反应前驱体通入反应腔，与単分子层反应形成高介电栅介质层；D、重复步骤B和C，以形成一定厚度的高介电栅介质层薄膜；E、在反应腔中通入氟基等离子体，使高介电栅介质层进行氧缺陷修复，得氟化的高介电栅介质层薄膜。本发明通过在原子层沉积的反应过程中，在反应腔体里引入氟基等离子体来实现。氟基等离子体可以用以修补高介电栅介质的氧缺陷从而有效的减少界面态及减少漏电流，提高栅介质的介电常数。
一种提高原子沉积介质薄膜介电常数方法

[实用新型]一种培养基废料回收装置-CN202222769483.4有效
发明人：陈政禹;林地 -专利权人：澄迈一盒鲜农业科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B02C23/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种培养基废料回收装置，包括底座和上框体，底座通过弹性机构安装有分离箱，分离箱一侧铰接有下框体，下框体内设有多个栅条一，栅条一上设有多个尖锥，上框体内设有多个栅条二，栅条二上设有避让槽，下框体上穿设有导杆利用多个尖锥穿入塑料袋内以避免塑料袋落入分离箱内，通过切割轮将塑料袋割破，在偏心轮和弹性机构的配合作用下，使分离箱在底座上振动，使得培养基从塑料袋内掉落，通过翻转下框体，使上框体在重力作用下沿着导杆向下滑动并将塑料袋从尖锥上推落
一种培养基废料回收装置

[发明专利]硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池-CN202110109067.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池，包括硅基片以及在所述硅基片的两侧分别设置的半导体层、导电层以及栅线，所述半导体层分别设置于所述硅基片的两侧，所述导电层设置于所述半导体层的外侧，所述栅线设置在所述导电层的外侧，其中栅线采用铜线以及覆盖在铜线上的导电胶组成。该技术方案通过将印刷银电极更改为铜线电极，从而降低硅基异质结电池的成本。
硅基异质结电池制备方法

[发明专利]一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法-CN200610112107.0有效
发明人：龙世兵;陈杰智;刘明;陈宝钦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源和漏的两个隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积的顶栅栅电极。本发明同时公开了一种SOI基顶栅单电子晶体管的制备方法。利用本发明，大大提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制备工艺、降低了制备成本，并提高了制备效率。
一种 soi 基顶栅单电子晶体管及其制备方法

[实用新型]一种培养箱-CN201120279019.6有效
发明人：王绪敏;任鲁风;冯杰;邵长君;李欣刚 -专利权人：中国科学院北京基因组研究所
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种培养箱，包括托盘以及设置在所述托盘内将所述托盘分隔成多个分格的由多个相互平行的横向挡板和多个相互平行的纵向挡板交叉形成的分割栅，所述分割栅的下端面与所述托盘的内底面存在使所述分割栅的多个分格连通的间隙本实用新型的培养箱内的分割栅将托盘分隔成底部连通的多个分格，固体培养基通过分割栅底部间隙分布于整个托盘，固体培养基的高度高于分割栅的底部以形成数量众多的、高度一致、空间相对独立的固体培养分格，从而提高细菌培养通量
一种培养

[发明专利]一种GaN基HEMT器件-CN201810360107.5在审
发明人：刘洪刚;常虎东;孙兵 -专利权人：苏州闻颂智能科技有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基HEMT器件，不影响器件可靠性的前提下，降低源漏寄生电阻，并减小GaN基HEMT器件的导通电阻，使GaN基HEMT器件低电压工作。一种GaN基HEMT器件，包括栅电极、源电极、漏电极以及自下至上依次层叠的衬底、缓冲层、GaN沟道层、第一势垒层、第二势垒层、介质钝化层；所述GaN沟道层和所述第一势垒层中形成有N型离子注入区，所述源电极和所述漏电极形成在所述N型离子注入区上表面；所述栅电极形成在所述第一势垒层上表面并位于所述源电极和所述漏电极之间；所述介质钝化层环绕所述栅电极设置以将所述栅电极与所述N型离子注入区隔离。
势垒层栅电极漏电极源电极介质钝化层上表面导通电阻寄生电阻依次层叠影响器件低电压缓冲层衬底减小源漏环绕隔离

[发明专利]铅酸蓄电池负极板栅用铅基钡钠铝合金及其制备方法和应用-CN202310329620.9在审
发明人：张伟;王永东;刘毅 -专利权人：巨江电源科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22C11/02 文献下载
摘要：本发明属于铅酸蓄电池制造技术领域，具体涉及一种铅酸蓄电池负极板栅用铅基钡钠铝合金及其制备方法和应用。本发明的铅酸蓄电池负极板栅用铅基钡钠铝合金由以下质量百分数的成分组成：钡0.1‑0.3％，钠0.03‑0.08％，铝0.003‑0.05％，铅余量。本发明的铅酸蓄电池负极板栅用铅基钡钠铝合金有效提高了板栅合金的耐腐蚀性，使合金具有高于基底合金的时效硬度，钡的加入可以细化晶粒，使板栅厚度降低到0.6mm以下，在极板重量相同的情况下，提高了活性物质量，
蓄电池极板栅用铅基钡钠铝合金及其制备方法应用

[发明专利]制造闪存装置的方法-CN200510082588.0无效
发明人：李承撤;宋弼根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-07-11 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明公开了一种用以制造闪存装置的方法，其包含：在半导体基板上连续层叠隧道氧化膜、第一导电膜、介电膜、第二导电膜及金属硅化物膜；及图案化该金属硅化物膜、第二导电膜、介电膜、第一导电膜及隧道氧化膜以形成叠层栅电极；在具有该叠层栅电极之整个所得到的表面上执行自由基氧化过程，由此维持在执行该自由基氧化过程之前的叠层栅电极分布，同时在该叠层栅电极的侧壁上形成侧壁氧化膜；及在其上执行自由基氧化过程的整个所得得到的表面上执行氢气氛的热处理过程
制造闪存装置方法

[发明专利]具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS-HEMT器件及其制备方法-CN201810783099.5在审
发明人：王洪;陈迪涛;周泉斌;耿魁伟 -专利权人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO₂薄膜，第一栅介质层的厚度为5‐15nm；第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜，第二栅介质层的厚度为5‐15nm；本发明采用金属氧化物/SiO₂的叠层介质结构，减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤，使其适用于GaN基HEMT器件的制备；同时弥补了SiO₂介电常数低的缺陷，使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电
栅介质层金属氧化物制备异质结外延二氧化硅叠栅金属氧化物薄膜磁控溅射沉积栅极控制能力高介电常数氧化物介质介电常数介质结构源漏电极漏电栅电极叠层覆盖减小损伤

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