“基槽栅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4469451个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法-CN201611024998.4在审
发明人：刘红侠;赵璐;汪星;冯兴尧;费晨曦;王永特 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构是在衬底上自下而上包含厚度为4‑10nm铪基铝酸盐高k栅介质薄膜(1)、厚度为2‑3nm的TiN阻挡层(2)、厚度为4‑6nm的Ti氧元素吸附层(3)以及厚度为100‑150nm重金属Pt栅电极(4)，其中，铪基铝酸盐高k栅介质薄膜采用HfAlO3或HfO2/Al2O3叠层结构；本发明的栅氧化层材料结晶温度高、电学特性和栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管
基于 si 衬底铪基铝酸盐高金属结构制备方法

[发明专利]一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法-CN202210609538.7在审
发明人：孟佳琳;王天宇;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法。该具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；铪基铁电背栅介质，其为正交相，覆盖所述背栅电极；二维沟道材料，形成在所述铪基铁电背栅介质上，其在水平方向的投影与背栅电极在水平方向的投影有交叠；源电极和漏电极，形成在所述二维沟道材料两端；铪基铁电顶栅介质，其为正交相，覆盖上述器件；顶栅电极，形成在所述铁电顶栅介质上，其在水平方向的投影与二维沟道材料和背栅电极在水平方向的投影有交叠，在垂直方向上实现基于双铁电耦合的双突触调控
一种具有垂直结构神经突触存储器及其制备方法

[发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制备方法-CN201811467122.6在审
发明人：林信南;黄樟伟 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种GaN基HEMT器件及其制备方法，由于GaN基HEMT器件的栅结构采用三掩膜版结构(3‑mask)，即在栅金属层和p‑GaN帽层增加一层金属层，可以显著降低栅阻，增加场板设计的灵活性。使得器件在高VDS下减少动态通断，由于栅金属的中含有Al成分，而且刻蚀沉积栅金属时没有影响p‑GaN层，所以其栅电阻很小，其栅控能力增强，从而进一步提升器件的整体性能。
栅金属制备能力增强提升器件栅金属层金属层掩膜版栅电阻栅结构场板刻蚀帽层通断沉积

[发明专利]一种具有高介电常数结晶相的锆基栅介质材料以及其制备方法-CN201611120940.X在审
发明人：陈小强;熊玉华;魏峰;赵鸿滨;杜军 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高介电常数结晶相的锆基栅介质材料以及其制备方法。该锆基栅介质材料通过稀土化合物掺杂氧化锆，经退火结晶化处理而得。其制备方法为：(1)采用磁控溅射、激光溅射技术制备稀土化合物与氧化锆混合均匀的锆基薄膜，或者采用ALD技术制备稀土化合物与氧化锆的叠层结构薄膜；(2)对所形成的锆基薄膜或叠层结构薄膜进行退火结晶化处理，本发明采用稀土化合物掺杂氧化锆，可以优化锆基栅介质的能带结构，同时有效控制锆基栅介质氧空位含量，减小漏电流，提高锆基栅介质材料的综合性能。 1
锆基制备稀土化合物栅介质材料薄膜退火掺杂氧化锆高介电常数结晶化处理叠层结构结晶相氧化锆栅介质磁控溅射能带结构退火气氛有效控制综合性能漏电流氧空位减小溅射激光优化

[发明专利]一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构-CN201610624781.0有效
发明人：王勇;王瑛;丁超 -专利权人：东莞华南设计创新院;广东工业大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为：一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。
一种锗基硅锗降场层 ldmos 器件结构

[实用新型]一种用于田间道路的栅栏-CN202320404682.7有效
发明人：高飞飞 -专利权人：河北新景源市政建筑工程有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： E04H17/16 文献下载
摘要：上述栅栏包括至少四组栅板、对位连接组件、设置于相邻两组所述栅板之间的加固结构以及焊接在所述栅板底部处的支撑结构。所述对位连接组件包括焊接于所述栅板相对应一侧外壁位置处的定位筒、焊接于所述栅板相对应另一侧外壁位置处的基块、和所述定位筒相适配的滑杆。所述加固结构包括贯穿开设在对应定位筒前壁处的嵌装槽、和所述嵌装槽过盈配合的填充块、固定安装在所述填充块上的基板。本实用新型的栅栏，采用竖向插装的方式实现多组栅板之间的便捷组合，且基于间隙配合设置以适应两组栅板之间夹角的角度变化，对位精准且拆装便捷，此外，组装的紧密度高，防风抗震性能得到增强。
一种用于田间道路栅栏

[发明专利]一种基于poket结构的TFET器件-CN201911131629.9在审
发明人：胡建平;柯声伟 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于poket结构的TFET器件，包括衬底、晶化层、两个栅极、源极、漏极、两个栅介质层、硅基沟道和口袋，衬底、晶化层、两个栅极、源极、漏极、两个栅介质层、硅基沟道和口袋分别为长方体结构，晶化层固定设置在衬底上，晶化层的下端面与衬底的上端面贴合，源极、口袋、硅基沟道和漏极按照从左到右的顺序排布在晶化层上，第一栅介质层位于硅基沟道和口袋的前侧，第一栅极位于第一栅介质层的前侧，第二栅介质层位于硅基沟道和口袋的后侧，第二栅极位于第二栅介质层的后侧；优点是具有较大的导通电流，在集成电路设计领域应用时，采用较少的数量即可实现集成电路的大驱动电流，从而可以减小集成电路的面积和功耗。
一种基于 poket 结构 tfet 器件

[发明专利]一种激光设备用光学音圈电机调焦模组-CN202211054979.1在审
发明人：陶立军;付兴威;蔡亮;徐侠;张远强 -专利权人：奔腾激光(浙江)股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B23K26/046 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光设备用光学音圈电机调焦模组，其技术方案要点是包括有固定底座和镜筒安装座，固定底座设有音圈电机和磁栅尺感应装置，音圈电机包括磁体部件和线圈部件；磁栅尺感应装置包括磁栅尺读数头和磁栅基尺；固定底座设有导向滑轨，镜筒安装座设有导向滑座，导向滑轨的宽度两侧壁上均开设有直角导向槽，导向滑座设有嵌槽，嵌槽内沿其宽度两侧的内侧壁上均开设有直角滑槽，直角滑槽内转动连接有滚柱，导向滑座设有保持架，滚柱的径向侧壁抵接于直角滑槽与直角导向槽之间，滚柱的轴向端面与直角滑槽和直角导向槽间隙设置，滚柱设有多个并且各个滚柱沿直角滑槽的长度方向交错排列。
一种激光设备用光学音圈电机调焦模组

[发明专利]一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法-CN202010574731.2有效
发明人：郑理;游晋豪;程新红;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI基p‑GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法，包括：栅介质生长；栅金属生长；刻蚀以制作栅电极；生长第一层钝化层；源漏区欧姆接触；离子注入；生长第二层钝化层；打开源漏窗口；第一深槽刻蚀，第二深槽刻蚀。
一种 soi gan 增强功率开关器件制备方法

[发明专利]基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法-CN201611024689.7在审
发明人：刘红侠;王永特;赵璐;汪星;费晨曦;冯兴尧 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层介电常数低和栅极金属向栅氧化层扩散的问题。该结构自下而上包含Ge衬底(1)、La基高k栅介质薄膜(2)、TiN阻挡层(3)、Ti氧元素吸附层(4)以及重金属Pt栅电极(5)，其中La基高k栅介质薄膜采用厚度为6‑12nm的La2O3或LaAlO3或La2O3/Al2O3叠层结构；TiN阻挡层厚度为2‑4nm；Ti氧元素吸附层厚度为3‑6nm；重金属Pt栅电极厚度为100‑200nm。本发明具有栅氧化层介电常数高、栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。
基于 ge 衬底 la 介质材料金属结构制备方法

[发明专利]基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法-CN201611032861.3在审
发明人：刘红侠;汪星;赵璐;冯兴尧;费晨曦;王永特 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统氧化铪高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构自下而上包含Ge衬底(1)、厚度为4‑10nm的铪基铝酸盐高k栅介质薄膜(2)、厚度为2‑3nm的TiN阻挡层(3)、厚度为4‑6nm的Ti氧元素吸附层(4)以及厚度为100‑150nm重金属Pt栅电极(5)，其中，铪基铝酸盐高k栅介质薄膜采用HfAlO3或HfO2/Al2O3叠层结构；本发明的结晶温度高、电学特性和栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管
基于 ge 衬底铪基铝酸盐高金属结构制备方法

[实用新型]一种金线莲无菌组培箱-CN201821984184.X有效
发明人：江爱明 -专利权人：江爱明
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金线莲无菌组培箱，包括基箱和移动轮，所述移动轮设置在基箱底端，所述基箱前壁设置有栅槽，所述基箱内部前壁与栅槽对应处设置有第二过滤层，所述基箱内部左右两壁均设置有第二杀菌灯。风机配合加热器通过温度传感器和控制器对该组培箱内温度进行调节，设置的光调节机构配合补光灯通过光强传感器和控制器对光照强度进行调节，可以实现光照强度和温度的自动控制，使用更便捷，减轻工作人员的工作压力，设置的放置机构方便培养基的取放
金线莲组培箱基箱无菌控制器移动轮前壁栅槽光照加热器本实用新型光强传感器温度传感器放置机构机构配合通风机构通风效果组织培养左右两壁培养基补光灯光调节过滤层杀菌灯风机取放组培细菌配合

[发明专利]一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法-CN200910242119.9有效
发明人：王振兴;张志勇;彭练矛;王胜 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法，氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道，在沟道区域生长一层金属钇薄膜，然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇，得到的氧化钇薄膜作为顶栅介质。本发明首次实现了在碳纳米管和石墨烯表面直接生长高介电常数顶栅介质，解决了原子层沉积无法在碳纳米管或者石墨烯表面成核生长高介电常数栅介质薄膜的问题，氧化钇顶栅介质具有很高的介电常数和良好的绝缘性质，并实现高效的栅调制，且制作工艺简单，材料和工艺成本低廉，为碳基高性能器件的实现提供了一个解决方案，满足碳基规模化集成电路的需求。
一种场效应晶体管介质及其制备方法

[发明专利]一种防止小孩坠落的飘窗式防盗网-CN201510060183.0有效
发明人：黄媛 -专利权人：黄俊柳
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： E06B9/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止小孩坠落的飘窗式防盗网，防盗网采用不锈钢管焊接制作，包括一个方形的基框和若干条“匚”字形的横栅、竖栅，其中横栅和竖栅均焊接在基框上，并由横栅和竖栅交错穿插焊接形成一个沿基框向外突出的飘窗式栅格体，所述防盗网下部横栅与竖栅形成的栅格之间还焊接有加强横栅和加强竖栅，使防盗网下部的栅格间隙比防盗网中部和上部的栅格间隙小一倍，而且每根竖栅均采用单根不锈钢管一体弯曲成形。本防盗网通过加密防盗网下部的栅格，使防盗网下部的栅格间隙足够小，从而可以有效地防止小孩坠落，而且防盗网每根竖栅均采用单根不锈钢管一体弯曲成形，有效避免了普通防盗网分段焊接式竖栅负重时焊接处容易发生断裂的安全隐患
一种防止小孩坠落飘窗式防盗网

[实用新型]一种用于灭弧室的装配设备-CN202122894095.4有效
发明人：曾添 -专利权人：珠海林顺机电有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B23P19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的用于灭弧室的装配设备包括基台、转盘与容纳座，装配设备还包括沿转盘的周向依次布置的第一上料机构、第一栅片定位机构、栅片压紧机构、铁芯定位机构、铁芯压紧机构和下料机构；栅片压紧机构装配于基台；铁芯定位机构包括第一铁芯上料组件与预紧组件；铁芯压紧机构装配于基台；下料机构装配于基台。第一上料机构实现灭弧室壳体的上料，将壳体放置于容纳座，第一栅片定位机构与栅片压紧机构实现栅片的上料与装配，铁芯定位机构与铁芯压紧机构实现铁芯的上料与装配，下料机构实现灭弧室的下料，从而实现灭弧室的自动装配
一种用于灭弧室装配设备