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[发明专利]生长在刃型位错模板上的Ⅲ族氮化物器件-CN200880101732.2无效
发明人： L·T·罗马诺 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：半导体发光器件包括纤维锌矿III族氮化物半导体结构，此III族氮化物半导体结构包括布置在n型区(71)和p型区(73)之间的发光层(72)。模板层(18)和位错弯曲层(20)在所述发光层(72)之前生长。所述模板层(18)生长为使得所述模板层内的位错的至少70％是刃型位错(29、30、31、32)。所述模板层内的刃型位错(29、30、31、32)的至少一些延续到所述位错弯曲层内。所述位错弯曲层(20)生长为具有与所述模板层(18)不同量值的应变。在所述模板层(18)和所述位错弯曲层(20)之间的界面处的应变改变导致所述模板层内的刃型位错(29、30、31、32)的至少一些在所述位错弯曲层内弯曲到不同的取向。生长在弯曲的刃型位错(33)之上的半导体材料可呈现减小的应变。
生长刃型位错模板氮化物器件

[实用新型]一种错层板件的冲压模具-CN202221515770.6有效
发明人：张裕明;李鑫;张文姣 -专利权人：上海元禾汽车零件有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种错层板件的冲压模具，属于模具结构技术领域，其包括上模和下模；上模包括自上而下依次设置的上模座、上模板和上模压料板，上模压料板的板面开设嵌合孔，在嵌合孔内嵌合错层凸模；下模包括自下而上依次设置的下模座、下模板、挂台板和下模压料板，下模压料板外围套设错层凹模；模具压合状态下，上模压料板和下模压料板相互错开，上模压料板和错层凹模形成局部分型面，错层凸模和下模压料板形成局部分型面，且错层凸模和错层凹模形成局部分型面；其通过调整错层工艺间隙为负间隙，即区别于传统，模具压合状态下，给了错层凸模和错层凹模局部分型面，显著缓解压合状态下的扯压现象，借此解决加工零部件易开裂的问题。
一种错层板件冲压模具

[发明专利]具有高位错密度的中间层的发光二极管及其制造方法-CN201080038644.X有效
发明人：柳泓在;芮景熙 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：这里公开了一种具有高位错密度的中间层的发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；基于氮化镓的n型接触层，设置在缓冲层上；基于氮化镓的p型接触层，设置在n型接触层上；活性层，插入在n型接触层和p型接触层之间；基于氮化镓的第一下半导体层，插入在缓冲层和n型接触层之间；基于氮化镓的第一中间层，插入在第一下半导体层和n型接触层之间，其中，第一中间层的位错密度低于缓冲层的位错密度，并且高于第一下半导体层的位错密度。通过这种构造，可以通过具有相对高位错密度的第一中间层来防止在第一下半导体层内形成的位错转移到n型接触层。
具有高位密度中间层发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法-CN201810678576.1有效
发明人：邵慧慧;徐现刚;开北超;李沛旭;郑兆河 -专利权人：潍坊华光光电子有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法，自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型光限制层、n型波导层、发光层、电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN光限制层和表面欧姆接触层，n型光限制层内设有位错折断层，位错折断层为AlxGa1‑xN与Si3N错折断层，可以实现将GaN基激光器结构生长中所产生的穿透位错折断，从而降低延伸至发光层中的穿透位错密度，从而改善和提高GaN基激光器的性能和使用寿命。
一种具有折断结构 gan 激光器外延及其生长方法

[发明专利]利用层错减少位错和应力的方法、LED外延片及应用-CN202011136251.4在审
发明人：周圣军;唐斌;宫丽艳 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用层错减少位错和应力的方法、LED外延片及应用，适用于半导体技术领域。本发明利用所述方法生长的LED外延片结构包括蓝宝石衬底以及由下至上依次生长的层错诱导层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层。本发明利用层错诱导层在外延生长的未掺杂GaN材料中形成基面层错，可以弥补GaN与蓝宝石的晶格常数失配，从而降低GaN外延薄膜的位错密度和残余应力，尤其适用于在未掺杂GaN层上构建高铟组分InGaN/GaN
利用减少应力方法 led 外延应用

[实用新型]在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件-CN201822021971.0有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供一种在无层错半极性(20‑21)GaN基板上制备的发光器件，其中包括：无层错半极性面(20‑21)GaN基板；位于无层错半极性(20‑21)GaN基板上的掺杂Si的N型GaN层；在N型GaN层上有源层，包括单量子阱层或多量子阱层，每个量子阱层包括InGaN量子阱和GaN量子垒；在有源层上的掺杂Mg的P型GaN层；以及位于P型GaN层外表面的P型电极和位于N型GaN层的外露表面上的N型电极。
半极性发光器件制备掺杂多量子阱层半极性面单量子阱量子阱层上有源层外露表面量子垒量子阱源层

[发明专利]发光器件及其制作方法-CN201310193631.5有效
发明人：梁兴华;夏德玲;徐宸科;赵志伟;李水清 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：其发光器件，至少包括：半导体外延叠层，包含N型半导体层、P型半导体层以及夹在所述N型半导体层和P型半导体层之间的发光层，其表面具有缺陷位错；抗电迁移金属，通过预处理的方式填充到所述N型或/和P型半导体层表面的缺陷位错内，以堵塞所述半导体外延叠层由于缺陷位错形成的电迁移通道，减少漏电的发生。
发光器件及其制作方法

[发明专利]基于Al-N共掺的SiC外延结构及其制备方法-CN202110339341.1有效
发明人：钮应喜;左万胜;王敬;单卫平;朱明兰;张晓洪;袁松;史田超;胡新星;仇成功;史文华 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Al‑N共掺的SiC外延结构及其制备方法，所述基于Al‑N共掺的SiC外延结构由下至上依次包括：衬底、Al‑N共掺层一、Al‑N共掺层二、Al‑N共掺层三、N型掺杂层一、Al‑N共掺层四、Al‑N共掺层五、N型掺杂层二、漂移层；各层的生长均是在1580～1680℃温度和50～500mbar压力下流通原料气体和掺杂气体进行的；在衬底与N型掺杂层一之间插入了三层Al‑N共掺层，在N型掺杂层一与N型掺杂层二之间插入了两层Al‑N共掺层，从而提高从基面位错向穿透刃型位错的转换效率，抑制了在形成器件的漂移层中存在基面位错，并降低堆垛层错密度。
基于 al sic 外延结构及其制备方法

[发明专利]发光二极管与其制作方法-CN201610789116.7有效
发明人：陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、主动层、第二型半导体层以及至少一个电流控制结构。第一型半导体层具有第一区及第二区。第一区具有第一穿透位错密度。第二区具有第二穿透位错密度。第一穿透位错密度大于第二穿透位错密度。主动层连接于第一型半导体层。第二型半导体层连接于主动层。电流控制结构连接于第一型半导体层及第二型半导体层的其中至少一个。因此，主动层对应第二区处，是以较小的穿透位错密度形成，故可改善发光二极管的发光效率。
穿透位错第一型半导体层电流控制结构发光二极管主动层第二型半导体层电流注入区域第一区垂直投影发光效率制作

[实用新型]低位错密度的LED芯片-CN201020003717.9有效
发明人：伍永安;高绍兵 -专利权人：山西乐百利特科技有限责任公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型低位错密度的LED芯片，属于LED芯片技术领域；提供一种低位错密度的LED芯片；采用的技术方案是：低位错密度的LED芯片，包括：蓝宝石衬底、GaN缓冲层、N型电极、反射层、金属热沉单元、N型GaN、有源层、P型GaN和P型电极，蓝宝石衬底的上方自下而上依次设置有GaN缓冲层、N型电极、反射层、金属热沉单元、N型GaN、有源层、P型GaN和P型电极；上述金属热沉单元厚度不小于50微米，金属热沉单元的横向为间隔控制100-200μm之间的呈周期性分布的小单元；本实用新型应用在低位错密度的LED芯片设计与制造技术领域。
低位密度 led 芯片

[实用新型]用于叶片的铺层结构和叶片-CN201620900324.5有效
发明人：熊剑波;何海东;刘小顺 -专利权人：三一重型能源装备有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： B29C70/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及风力发电机叶片制造技术领域，特别涉及一种用于叶片的铺层结构和叶片。该铺层结构用于铺设在叶片的模具型腔内壁与螺栓套之间，至少包括层叠设置的基础层和错层，基础层和错层分别包括多层玻纤布，其中，错层中的玻纤布的最大长度小于基础层中的玻纤布的最小长度。当使用者利用叶片模具制造叶片时，将错层和基础层层叠设置，然后布置螺栓套。错层可配合基础层将螺栓套与模具型腔根部的内壁之间的间隙填充的同时，基础层不会干涉螺栓套的布置，进而使得基础层和错层中的玻纤布不干涉螺栓套的布置的同时保证了螺栓套与玻纤布的连接强度。
用于叶片结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111019390.3在审
发明人：今井朋弘;中泽芳人;永久克己 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：根据一个实施例的半导体器件包括IGBT，该IGBT包括p型集电极层和位错抑制层，p型集电极层在硅衬底的背表面上，位错抑制层用于与p型集电极层中的硅形成异质结。位错抑制层包括硅锗(SiGe)层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种具有高发光效率的发光二极管-CN201510912084.0在审
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。本发明在位错阻挡层下设置位错集合区，减少发光区域的位错密度，改善了发光区域的外延晶体质量，减弱大工作电流下Efficiency-Droop效应及提高了发光二极管的可靠性；采用位错阻挡层起到了增加P电极的电流扩展效果
一种具有发光效率发光二极管

[实用新型]一种具有高发光效率的发光二极管-CN201521024108.0有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。本实用新型在位错阻挡层下设置位错集合区，减少发光区域的位错密度，改善了发光区域的外延晶体质量，减弱大工作电流下Efficiency-Droop效应及提高了发光二极管的可靠性；采用位错阻挡层起到了增加P电极的电流扩展效果
一种具有发光效率发光二极管

[发明专利]高光效绿光LED外延片及制造方法-CN202010093862.9在审
发明人：解向荣 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提出一种高光效绿光LED外延片及制造方法，其特征在于，包括：蓝宝石衬底、以及在蓝宝石衬底上依次生长的：AlN缓冲层、氮化镓层、氮化镓/氮化铟镓循环层、N型GaN层、高温InGaN/GaN量子阱层、nGaN/GaN发光量子阱层和P型GaN层。其主要通过氮化镓/氮化铟硅循环层结构可以解决氮化镓层中的位错和层错，有效提升半极性氮化镓的晶体质量；通过多循环的氮化铟硅结构可以有效降低氮化镓结构中的位错，从而减少氮化镓的位错穿透半极性氮化镓结构进入量子阱结构，有效降低了位错密度，提升了量子阱结构的晶体质量。
高光效绿光 led 外延制造方法

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