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[发明专利]晶体管型铁电存储器及其制造方法-CN200610161862.8无效
发明人：木岛健;小西晃雄 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有新型结构的晶体管型铁电存储器。晶体管型铁电存储器(100)包括：基板(10)；在上述基板(10)的上方形成的栅电极(20)；在上述基板(10)的上方形成的覆盖上述栅电极(20)的铁电层(30)；在上述铁电层(30)的上方形成的源电极(40)；在上述铁电层(30)的上方形成的位于和上述源电极(40)分离位置的漏电极(42)；以及在上述铁电层(30)的上方形成的位于上述源电极(40)和上述漏电极(42)之间位置的沟道层(50)。
晶体管型铁电存储器及其制造方法

[发明专利]极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法-CN202310312054.0在审
发明人：陈敦军;朱子孟;潘丹峰;郭慧 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法。该器件利用刻槽+沉积铁电薄膜的方法获得多片鳍形铁电栅。利用铁电极化耗尽沟道二维电子气，实现增强型器件。此外，由于铁电薄膜的负电容效应，器件有超低的亚阈值斜率。鳍形铁电栅可以增大阈值电压的调控范围、减小栅极漏电流、降低亚阈值斜率，最终实现高阈值电压、高开关速度和低功耗的器件。
极化调控超低亚阈值斜率增强型铁电栅 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种褐铁型红土镍矿盐酸常压浸出清洁生产方法-CN201310081853.8有效
发明人：曲景奎;郭强;齐涛;宋云霞;张培育;时美玲 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C22B3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种褐铁型红土镍矿盐酸常压浸出清洁生产方法。本发明的褐铁型红土镍矿盐酸常压浸出清洁生产方法，包括以下步骤：1）将褐铁型红土镍矿与盐酸混合进行常压浸出反应；2）将步骤1）得到的酸浸液进行煅烧反应；3）将步骤2）生成的氯化氢气体经除尘后进入吸收塔生成盐酸；同时，收集铁氧化物粉末；4）将步骤3）得到的铁氧化物粉末用清水洗涤、过滤；5）将步骤4）得到的固体滤饼进行液相氧化反应，制得相应铬产品；渣相得到铁精粉；6）将步骤4）得到的酸性滤液制得Ni、Co产品。本发明可以实现褐铁型红土镍矿常压浸出液中铁与镍、钴、铬的分离，有效解决红土镍矿常压浸出液难以处理的问题。
一种褐铁型红土矿盐常压浸出清洁生产方法

[发明专利]一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法-CN202110756423.6在审
发明人：郑明;关朋飞;郭立童 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法，属于电子元件领域。其具有(111)取向的高性能PMN‑PT铁电单晶衬底，高性能PMN‑PT铁电单晶衬底上表面设有外延生长特性的钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜；通过控制施加在该多铁异质结构上的直流电场强度，使得高性能PMN‑PT铁电单晶衬底诱导出压电应变，该应变通过刚性的外延界面传递至钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜，从而实现当直流电场撤去时LaVO铁磁/铁电多铁异质结构方法简单，生产方便，具有广泛的实用性。
一种反铁磁铁电多铁异质结构及其制备方法

[发明专利]一种多模型高频底座天平试验的转接装置-CN201810122998.0在审
发明人：徐安;黄镇球;赵若红;傅继阳;吴玖荣;刘爱荣;黄友钦 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01M9/06 文献下载
摘要：一种多模型高频底座天平试验的转接装置，包括转接板、转接板垫块、模型垫块、I型压铁、II型压铁，转接板上开设n×m阵列的孔，孔的规格均相同；转接板垫块安装在风洞转盘底座上，转接板安装在转接板垫块上，螺栓依次穿过转接板、I型压铁后用螺母紧固；天平放置在转接板上，在每个天平底座的外侧均匀放置若干模型垫块，II型压铁将模型垫块和天平底座压住，螺栓依次穿过转接板、II型压铁后用螺母紧固。
转接板垫块压铁底座转接装置天平螺栓风洞试验风洞转盘螺母紧固天平底座建筑物模型穿过测试系统均匀放置试验装置试验压住测试

[实用新型]一种多模型高频底座天平试验的转接装置-CN201820215368.3有效
发明人：徐安;黄镇球;赵若红;傅继阳;吴玖荣;刘爱荣;黄友钦 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G01M9/06 文献下载
摘要：一种多模型高频底座天平试验的转接装置，包括转接板、转接板垫块、模型垫块、I型压铁、II型压铁，转接板上开设n×m阵列的孔，孔的规格均相同；转接板垫块安装在风洞转盘底座上，转接板安装在转接板垫块上，螺栓依次穿过转接板、I型压铁后用螺母紧固；天平放置在转接板上，在每个天平底座的外侧均匀放置若干模型垫块，II型压铁将模型垫块和天平底座压住，螺栓依次穿过转接板、II型压铁后用螺母紧固。
转接板垫块压铁底座转接装置天平本实用新型螺栓风洞试验风洞转盘螺母紧固天平底座建筑物模型穿过测试系统均匀放置试验装置试验压住测试

[实用新型]一种能够及时提醒关闭电洛铁的支架-CN201920118807.3有效
发明人：胡楷 -专利权人：重庆培铭光电科技有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够及时提醒关闭电洛铁的支架，在底板的一的设置用于放置电洛铁头的U型块，U型块的U型面底部中心设置压力传感器；底板上还设置信号处理器、计时器以及提醒模块；压力传感器与信号处理器电性连接；计时器和提醒模块均与信号处理器电性连接；当电洛铁放在U型块上时，电洛铁会对U型块的U型面底部中心设置的压力传感器产生压力，压力传感器将压力传感器感应到的压力信号传送至信号处理器，同时计时器开始计时，当长时间不使用电洛铁时，计时器则一直计时，若计时达到预设时长时，则提醒模块发出提醒信号；当电洛铁被拿起，压力传感器没有感应到压力信号后，则计时器停止计时并清零；如此循环，装置设计简单，工作可靠。
一种能够及时提醒关闭电洛铁支架

[发明专利]半导体器件及其栅极结构的形成方法-CN201911095436.2在审
发明人：徐秋霞;陈凯 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其栅极结构的形成方法，包括：提供半导体层，在半导体层上形成包括N型MOSFET区域或/和P型MOSFET区域的有源区；在有源区上依次形成假栅叠层、栅极侧墙、N型或/和P型源/漏区以及层间介质层；去除假栅叠层以形成栅极开口，在栅极开口处依次形成界面氧化物层和铁电材料栅介质层；在铁电材料栅介质层上形成应力牺牲层，并进行退火处理；在退火处理过程中，通过应力牺牲层的夹持作用，诱发铁电材料栅介质层形成铁电相栅介质层；去除应力牺牲层；在铁电相栅介质层上形成金属栅层。本发明在引入负电容效应的同时，也获得了器件所需的带边功函数，并防止了超薄铁电栅介质层的栅漏电流过大。
半导体器件及其栅极结构形成方法

[发明专利]铁电薄膜的制造方法及复合电子组件的制造方法-CN201310421569.0在审
发明人：饭田慎太郎;樱井英章 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电薄膜的制造方法及复合电子组件的制造方法，所述铁电薄膜的制造方法不设置晶种层或缓冲层，就能够简便地制造结晶取向被择优控制为（100）面的铁电薄膜。通过向具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极的表面照射常压等离子体之后，涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜。
薄膜制造方法复合电子组件

[发明专利]一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管-CN201110251405.9无效
发明人：朱俊;郝兰众;李言荣;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，属于微电子技术领域。薄膜和AlxGa1-xN(0＜x≤1)薄膜形成的GaN异质结；在AlxGa1-xN薄膜上具有栅、源、漏电极，在栅电极与AlxGa1-xN薄膜之间具有栅介质薄膜；所述栅介质薄膜或者是LiNbO3(LNO)铁电薄膜、或者是LiTaO3(LTO)铁电薄膜、或者是M元素掺杂的LNO或LTO铁电薄膜。由于LNO或LTO铁电薄膜中的C+方向铁电自发极化的作用，导致AlGaN/GaN异质结中的2DEG被完全耗尽，从而使得本发明提供的铁电薄膜栅GaN异质结场效应晶体管表现出常关特征，即形成增强型器件。本发明提供的铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管具有结构简单的特点，且实现工艺简单、重复性好、稳定性和可靠性高。
一种薄膜增强 gan 异质结场效应晶体管

[发明专利]一种提高反铁电电容器击穿电压的方法-CN201911269608.3在审
发明人：曹菲;闫世光;陈学锋;王根水;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高反铁电电容器击穿电压的方法，包括：（1）测量反铁电电容器的击穿电压，记为V1；（2）在所述反铁电电容器的两个电极端面施加直流电压V2，并保压一定时间，以提高反铁电电容器击穿电压；其中，
一种提高反铁电电容器击穿电压方法

[实用新型]扣压板式调高调距扣件-CN200520036404.2无效
发明人：李成辉;王平;刘学毅 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： E01B9/38 文献下载
摘要：其构成包括轨下铁垫板、设置在轨下铁垫板下面的调高垫板、设置在轨下铁垫板端部的楔形轨距块、通过T型螺栓安装在轨下铁垫板上的T型螺栓座和弹条，在所述的轨下铁垫板的两端对应设有一阶梯型联结压板，轨枕连接螺栓的过孔设置在阶梯型联结压板的下板块上，阶梯型联结压板的上板块压接在轨下铁垫板上，所述的楔形轨距块设置在压板和铁垫板之间，在压板及轨下铁垫板的压接部位设置有限制铁垫板纵向移动的凹凸对应结构。
扣压板式高调扣件

[发明专利]HDMI连接器成品组装及包装一体化智能设备-CN202010027309.5有效
发明人：陆文天;曹建平;王胜;张建明 -专利权人：深圳市创益通技术股份有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01R43/18 文献下载
摘要：本发明公开一种HDMI连接器成品组装及包装一体化智能设备，包括有机架、控制装置、主转盘、铁壳放料装置、铁壳送料裁切装置、铁壳进料装置、铁壳搬运装置、铁壳位置修正装置、胶芯半成品进料装置、铁壳后盖折弯装置、铁壳卡扣折弯装置、铁壳水平终压装置、铁壳竖向终压装置、成品电测装置、成品电测OK品出料装置、成品电测NG品剔除装置、成品换向装置、副转盘、成品搬运装置、麦拉送料裁切装置、麦拉搬运组装装置、出料搬运装置；通过利用控制装置控制各个装置配合工作，可自动将胶芯半成品组装到铁壳上，再将麦拉自动粘贴到铁壳上，实现组装和包装一体化智能生产，有效提高了生产效率，减少人力耗费，并大大降低了人工成本。
hdmi 连接器成品组装包装一体化智能设备

[发明专利]一种三栅型六位存储器件及其制备方法-CN202210930733.X在审
发明人：王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本发明公开一种三栅型六位存储器件及其制备方法。该三栅型六位存储器件包括：衬底；三个栅电极，彼此间隔分布在所述衬底上；铁电栅介质层，其为有机铁电聚合物薄膜，覆盖上述结构；沟道层，其二维铁电半导体材料，形成在所述铁电栅介质层上；源电极和漏电极，形成在所述沟道层两侧，分别先后对三个栅电极施加正向电压，使有机铁电聚合物薄膜和二维铁电半导体材料发生不同程度的极化翻转，从而获得六个不同的极化翻转组合状态，实现器件的六位存储功能。
一种三栅型六位存储器件及其制备方法

[发明专利]在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法-CN200710040758.8无效
发明人：郭益平;顾明元 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在Si基板上制备高度(110)取向铁电薄膜的方法，包括：粘结层材料的选择，(110)取向Pt的制备以及高度(110)取向钙钛矿型铁电薄膜的制备。使用氧化物电极作为SiO₂/Si基板的缓冲层，并在氧化物缓冲层上通过物理溅射法制备(110)取向的Pt底部电极，最后在该Pt底部电极上制备高度(110)取向的钙钛矿型铁电薄膜。本发明方法简单，能够制备出一致性、重复性好的高度(110)取向的铁电薄膜。该薄膜具有优越的介电性能，可以满足微电子及MEMS等高技术应用对铁电薄膜材料性能的要求，对铁电薄膜材料的制备技术具有重大的影响。
si 基板上制备 110 取向薄膜方法