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[实用新型]一种豆腐压制成型装置-CN201721552732.7有效
发明人：常海红;赵梅;张兆生;张维斌 -专利权人：常海红
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： A23C20/02 文献下载
摘要：一种豆腐压制成型装置，目的是压制成型快，节省人力；本实用新型包括铁架、转盘及转轴、压杆及压盘、连接杆及管套、卡位齿轮及卡扣、弹簧及套筒、传动杆及锥形齿轮、U型铁件、卡套和工作台；铁架垂直固定在工作台上，，套筒固定在连接杆另一端且与铁架平行；转盘装在转轴上，转轴与传动杆相垂直，转轴上装有锥形齿轮，传动杆上部装有与转轴上锥形齿轮相配的锥形齿轮，传动杆上锥形齿轮和转轴上锥形齿轮相咬合；传动杆下端焊接一个U型铁件，U型铁件装在套筒上端并通过螺钉螺母与套筒连接在一起；弹簧装在套筒内，其上端连接在U型铁件下方，弹簧下端连接在压杆的上方；压杆下端装有压盘。
锥形齿轮转轴传动杆套筒铁架连接杆弹簧下端压杆成型装置豆腐压制上端管套压盘转盘本实用新型垂直固定螺钉螺母套筒连接工作台可旋转齿轮卡扣卡套卡位相配咬合焊接轴承平行垂直

[实用新型]用于铁型覆砂工艺的铁型射砂密封装置-CN201220723120.0有效
发明人：李文生;靳志坚 -专利权人：侯马市东鑫机械铸造有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B22C15/23 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于铁型覆砂工艺的铁型射砂密封装置，它包括射砂板（1），模型（4）和铁型（5），铁型（5）设置在射砂板（1）的下方，铁型（5）上设置有射砂孔，模型（4）设置在铁型（5）的下方，且与铁型（5）形成空腔，射砂板（1）与铁型（5）之间设置有第一密封套（2）、第二密封套（3），铁型（5）上的射砂孔与第一密封套（2）、第二密封套（3）上的圆形通孔正对，所述第一密封套（2）、第二密封套（3）的材质为氟橡胶本实用新型结构简单，使用方便，有效解决了由于铁型弯曲变形导致的泄压与跑砂的问题，节约了资源，提高了砂型的致密性。
用于铁型覆砂工艺铁型射砂密封装置

[发明专利]一种定点压紧铁型的装置和方法-CN201810140048.0在审
发明人：刘同帮;洪华泽;应浩;沈永华;潘东杰 -专利权人：浙江省机电设计研究院有限公司
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B22C9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种定点压紧铁型的装置和方法，它属于铁型覆砂领域。本发明定点压紧铁型的装置包括气缸、气缸活塞杆、辊道立柱、横撑、上动梁、下动梁、导向销、顶杆和上压勾，气缸设置有气缸活塞杆，横撑安装在辊道立柱上，气缸与下动梁固定，气缸活塞杆与上动梁相连，导向销安装在横撑上，下动梁套设在导向销上，顶杆设置在下动梁上表面，上动梁两侧边各设置有两只上压勾。本发明还提供一种操作方便的定点压紧铁型的方法。本发明结构合理，对合箱后的上下铁型进行压紧，防止浇注时胀箱，安全可靠，满足使用需求。
动梁压紧铁气缸活塞杆导向销横撑气缸顶杆辊道立柱铁型覆砂对合箱上表面浇注铁型压紧

[发明专利]一种电积钴溶液中深度除痕量铁的方法-CN201611072791.4有效
发明人：杨斌;王广欣;陈晓芳;赵云超;张鹏飞;逯峙 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C25C1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种电积钴溶液中深度除痕量铁的方法，采用螯合型树脂Monophos，经静态离子交换法深度脱除钴溶液中杂质铁的工艺，然后通入电积槽进行电积除杂净化，可得到铁含量小于1ppm的99.999%的高纯钴；本发明适用于电积钴液中痕量铁的深度脱除，该工艺简单易操作、稳定性好、成本低、绿色环保、且树脂经过脱铁处理后可以循环利用。
电积钴痕量铁脱除静态离子交换螯合型树脂除杂净化绿色环保循环利用电积槽高纯钴杂质铁钴溶液树脂电积脱铁

[发明专利]一种T型BiFeO3-CN202111251504.7在审
发明人：宋建民;周斌;刘炜;刘紫源;崔浩楠;曾浩宇;陈笑影;安纪华;穆子芊 -专利权人：河北农业大学
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种T型BiFeO3铁电薄膜材料的制备方法，通过磁控溅射的方法在LaAlO3(001)基底上形成La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极和T型BiFeO3薄膜，即得到T型BiFeO3铁电薄膜材料。该方法能够在底电极/基片上制备出一层T型BiFeO3薄膜，该T‑BiFeO3铁电薄膜具有外延结构，体现出极佳的保持特性和抗疲劳特性
一种 bifeo base sub

[发明专利]铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置-CN201810861528.6有效
发明人：刘川川;苏同上;殷月伟;李晓光 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置。铁电薄膜晶体管，包括：基板；设置在基板上的底电极层；设置在底电极层背向基板一侧上的铁电层，铁电层的材料为具有非易失铁电极化的材料；设置在铁电层背向基板一侧上的半导体沟道层；设置在半导体沟道层背向基板一侧上的源电极和漏电极通过向底电极层施加电压调节铁电层的极化状态，进而通过铁电层的极化状态调控半导体沟道层中的载流子的浓度和电阻，改变流过OLED的电流大小，实现OLED串联分压的连续调制和不同灰阶的OLED显示，控制方式简单
薄膜晶体管有机发光阵列驱动电路显示装置

[发明专利]2-2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具-CN201410712388.8有效
发明人：李永川;郭瑞彪;钱明;薛术;郑海荣;陈然然;苏敏;刘广 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：2‑2型压电陶瓷/单晶铁电复合材料的制备方法和制备冶具通过将压电陶瓷/单晶铁电材料进行精磨，使其达到预设厚度。然后沿压电陶瓷/单晶铁电材料的长度方向切割形成深度固定的沟槽。最后沿沟槽朝向将多个压电陶瓷/单晶铁电材料子块堆叠，再在堆叠后的沟槽内填充聚合物。因此，在沟槽深度固定时，聚合物的厚度就能固定为沟槽深度，从而能够避免聚合物厚度超过阈值而影响压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度。且上述方法中采用先切割后堆叠填充，使得压电陶瓷/单晶铁电材料的总宽度固定为预设的压电陶瓷/单晶铁电材料厚度，使其符合用户要求。
压电陶瓷单晶铁电复合材料制备方法

[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用-CN202210128236.8在审
发明人：郭炜;赵紫辉;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用。器件包括外延结构，包括第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气；以及形成在所述第二半导体层上的源极、漏极和栅极，所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间；其中，在所述栅极和第二半导体层之间还设置有铁电层，所述铁电层由六方晶型的铁电材料形成，其至少用于耗尽所述栅极下方的二维电子气，从而实现HEMT器件增强型功能和阈值电压的调控本发明中提供的一种结合六方晶型的铁电材料制备而成的增强型GaN基HEMT器件，阈值电压稳定性好，制备工艺简单。
一种增强 gan hemt 器件制备方法应用

[发明专利]一种高d33无铅铌酸锶钙钠钨青铜型压铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201610077167.7有效
发明人：杨祖培;康守诚;魏灵灵;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种高d33无铅铌酸锶钙钠钨青铜型压铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为Sr1.85Ca0.15NaNb5O15+x wt.本发明的无铅铌酸锶钙钠钨青铜型压铁电陶瓷材料具有较低的介电损耗，较高的最大介电常数，弛豫性明显增强，即陶瓷材料在较宽温度范围内具有较大的介电常数，此外该陶瓷材料具有较好的铁电性能，通过掺杂改性，降低矫顽场
陶瓷材料电陶瓷材料钨青铜铌酸锶钙钠无铅压铁制备掺杂改性介电常数高温空气介电损耗介质陶瓷铁电性能压电性能极化成品率弛豫性矫顽场

[发明专利]一种基于铁电单晶薄膜的β辐射伏特效应的电池转能器件及其制备方法-CN202111375850.6在审
发明人：宋志雄;杨帆;陈恒;江正明;王凯先 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G21H1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种基于铁电单晶薄膜的β辐射伏特效应的电池转能器件及其制备方法，所述电池转能器件包括上电极层、铁电单晶薄膜层和基片层；其中，所述上电极层、铁电单晶薄膜层和基片层依次相连设置。本发明首次将铁电单晶薄膜应用到β辐射伏特效应电池中，铁电材料由于自发极化会在内部形成电场，电场强度比传统的p‑n结内建电场高一个数量级，电压输出较p‑n结型转能器件高几个数量级。采用铁电单晶薄膜结构，能够在很大程度上提升电流输出。
一种基于铁电单晶薄膜辐射伏特效应电池器件及其制备方法

[实用新型]五磁路组装工装组件-CN201921815080.0有效
发明人：马璐锋 -专利权人：青岛海荣欣智能装备有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种五磁路组装工装组件，包括：工装，其上表面上设置有轭铁组件收容腔和向上凸出的压块导向柱；压块，其下表面上设置有用于与压块导向柱适配的导向孔和向下凸出的压块定位柱组，且该压块上还设置有与压块定位柱组同心设置并上下贯穿的中心磁型腔；其中，该压块定位柱组设置成适于接收在轭铁组件收容腔的四个角部上以定位置于轭铁组件收容腔内的五磁路的轭铁组件，该中心磁型腔设置成能够定位置于该轭铁组件上的五磁路的中心磁，并定位置于该中心磁上的五磁路的华司
磁路组装工装组件

[发明专利]介电弹性体材料及其制备方法-CN200810064238.5无效
发明人：冷劲松;刘彦菊;张震;刘立武;施亮;于凯 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：介电弹性体材料及其制备方法，它涉及介电弹性体材料及其制备方法。它解决了现有介电弹性体材料介电常数低、形变量小、产生形变所施加的电压接近于材料的击穿电压的问题。介电弹性体材料由硅树脂BJB TC5005中的可塑剂、催化剂、硅橡胶原胶和驰豫型铁电陶瓷材料制成。制备方法：先将除驰豫型铁电陶瓷材料以外的原材料进行常温搅拌，再加入驰豫型铁电陶瓷材料再次进行常温搅拌，将制得物倒入制模模具中进行固化处理。本发明介电弹性体材料介电常数高、形变量大、形变所需电压远低于本发明介电弹性体材料的击穿电压。本发明制备方法简单、易操作、工艺容易控制。
弹性体材料及其制备方法

[发明专利]一种基于铁电PN结的光电器件及其制备方法-CN202110915632.0在审
发明人：王振兴;王艳荣;王峰;何军 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铁电PN结的光电器件及其制备方法，包括基板；位于所述基板上形成PN结的铁电半导体材料层和光敏材料层，其中所述铁电半导体材料层和与所述光敏材料层在竖直方向上部分重叠并在接触面上形成PN结；第一电极和第二电极，分别与所述铁电半导体材料层和所述光敏材料层电连接。本发明形成的PN结中的铁电半导体材料和光敏材料接触后能够形成内建电势，在施加栅压脉冲后，内建电势能够进行非易失地调控，从而非易失地调控光照下器件的短路电流，进而提高光电器件的效率。
一种基于 pn 光电器件及其制备方法

[发明专利]N型二硒化钨负电容场效应晶体管及其制备方法-CN202111456128.5有效
发明人：张增星;董建国 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，包括在所述栅电极层上沉积厚度为19~21nm的氧化铪锆铁电薄膜，在所述氧化铪锆铁电薄膜上沉积厚度为1~3nm的氧化铝电容匹配层，控制氧化铪锆铁电薄膜和氧化铝电容匹配层的厚度，提高了铁电负电容性能，对所述氧化铪锆铁电薄膜和所述氧化铝电容匹配层进行热处理，以提高铁电性，将所述二硒化钨半导体转移至所述氧化铝电容匹配层上，在所述二硒化钨半导体上形成金属铟源电极和金属铟漏电极，通过匹配二硒化钨半导体和金属铟的功参数，提高了N型接触性能，进而降低了N型二硒化钨负电容场效应晶体管的亚阈值摆幅。本发明还提供了一种N型二硒化钨负电容场效应晶体管。
型二硒化钨负电容场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法-CN201210394318.3无效
发明人：刘秋香;马才兵;唐新桂;蒋艳平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法，其低漏电流半导体薄膜异质结是在基底上沉积具有钙钛矿结构的弱铁电性薄膜层，然后在铁电薄膜层上再沉积多铁性薄膜，形成ABO3型多铁性薄膜／ABO3铁电薄膜／基底异质结薄膜结构，结合合适的气氛和退火工艺，此薄膜异质结的漏电流密度比单层ABO3型多铁薄膜的漏电流密度低约3至5个数量级。
一种漏电半导体薄膜异质结制备方法

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