“木岛健”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果65个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]膜结构体及其制造方法-CN201880073619.1有效
发明人： 木岛健;滨田泰彰 -专利权人：日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/079 文献下载
摘要：膜结构体具有：基板(11)，其是包含由(100)面构成的上表面(11a)的硅基板；取向膜(12)，其形成于上表面(11a)上，具有立方晶的晶体结构，且包含(100)取向的氧化锆膜；以及导电膜(13)，其形成于取向膜(12)上，具有立方晶的晶体结构，且包含(100)取向的铂膜。取向膜(12)与导电膜(13)之间的界面(IF1)的平均界面粗糙度比基板(11)与取向膜(12)之间的界面(IF2)的平均界面粗糙度大。
膜结构及其制造方法

[发明专利]膜结构体及其制造方法-CN201780033448.5有效
发明人： 木岛健 -专利权人：克里斯托株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：膜结构体(10)具有基板(11)、形成在基板(11)上且包含组成式Pb(Zr1‑xTix)O3所示的第一复合氧化物的压电膜(14)、以及形成在压电膜(14)上且包含组成式Pb(Zr1‑yTiy)O3所示的第二复合氧化物的压电膜(15)。x满足0.10＜x≤0.20，y满足0.35≤y≤0.55，压电膜(14)具有拉伸应力，压电膜(15)具有压缩应力。
膜结构及其制造方法

[发明专利]膜结构体、压电体膜及超导体膜-CN201980093697.2在审
发明人： 木岛健;小西晃雄 -专利权人：前进材料科技株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：根据本发明，对于各种压电材料，能够将具有单晶的晶体结构的压电体膜形成在本发明的膜结构体之上。本发明的膜结构体具备：基板；形成于所述基板上的、含氧化锆的具有四方晶的晶体结构的缓冲膜；形成于所述缓冲膜上的、外延生长的含铂族元素的金属膜；以及形成于所述金属膜上的、外延生长的含Sr(Ti1‑x，Rux)O3(0≤x≤1)的膜。
膜结构压电超导体

[发明专利]膜结构体-CN202010219883.0在审
发明人： 木岛健;小西晃雄 -专利权人：前进材料科技株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供一种膜结构体，能够使含有锆钛酸铅的压电膜的压电特性提高。膜结构体(構造体)具有：基体(11)；形成于基体(11)上，并且含有锆钛酸铅的下部压电膜(21)；形成于下部压电膜(21)上，并且含有锆钛酸铅的上部压电膜(22)。基体(11)具有压缩应力，下部压电膜(21)和上部压电膜(22)均具有拉伸应力，下部压电膜(21)的弹性常数大于上部压电膜(22)的弹性常数。
膜结构

[发明专利]铁电体陶瓷及其制造方法-CN201580038020.0有效
发明人： 木岛健 -专利权人：友技科株式会社
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L41/319 文献下载
摘要：以提高压电特性为课题。本发明的一个方式是铁电体陶瓷，其特征在于，具备Pb(Zr1‑ATiA)O3膜和形成在所述Pb(Zr1‑ATiA)O3膜上的Pb(Zr1‑xTix)O3膜，所述A以及所述x满足下述式1～式3。0≤A≤0.1…式1；0.1＜x＜1…式2；A＜x…式3。
铁电体陶瓷及其制造方法

[发明专利]铁电晶体膜、电子元件、铁电晶体膜的制造方法和铁电晶体膜的制造装置-CN201210479358.8无效
发明人： 木岛健;本多祐二;饭塚大助;秦健次郎 -专利权人：友技科株式会社;新科实业有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种籽晶膜的取向得到良好地转印，并且具有适于量产的成膜速度的铁电晶体膜的制造方法。一种铁电晶体膜的制造方法，其特征在于，在基板(10)上通过溅射使籽晶膜(14)进行外延生长并形成，在所述籽晶膜上通过旋涂涂布法形成含有铁电体材料的非晶膜，在氧气氛中加热所述籽晶膜和所述非晶膜，由此使所述非晶膜氧化而晶体化，从而形成铁电体涂布烧结晶体膜(15)。
电晶体电子元件制造方法装置

[发明专利]PBNZT强电介质膜、溶胶凝胶溶液、成膜方法及强电介质膜的制造方法-CN201080001396.1有效
发明人： 木岛健;本多祐二 -专利权人：友技科株式会社
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以充分地防止氧离子的缺损的PBNZT强电介质膜。本发明的PBNZT强电介质膜是由以ABO3表钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb2+、并且作为B点位离子含有Zr4+及Ti4+的PZT系强电介质，在A点位作为A点位补偿离子含有Bi3+，在B点位作为B点位补偿离子含有Nb5+。
pbnzt 电介质溶胶凝胶溶液方法制造

[发明专利]压电材料及压电元件-CN201010517412.4有效
发明人：滨田泰彰;木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2009-04-01 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O3及Ba(Zr、Ti)O3为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O3和Ba(Zr、Ti)O3的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1-x)Bi(Fe1-yMny)O3-xBa(ZruTi1-u)O3表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe1-yMny)O3的自发极化量及高居里温度，通过Ba(ZruTi1-u)O3能够实现压电特性的提高。
压电材料元件

[发明专利]陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件-CN200910246239.6有效
发明人：名取荣治;木岛健;古山晃一;田崎雄三 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2002-06-13 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。
陶瓷及其制造方法以及电介质电容器半导体装置元件

[发明专利]铁电体电容器、铁电体电容器的制造方法、铁电体存储器-CN200910211976.2有效
发明人： 木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性良好的铁电体电容器及其制造方法。铁电体电容器(100)包括：基板(20)；形成于所述基板(20)的上方的第一电极(22)；形成于所述第一电极(22)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)O3表示的复合氧化物构成的第一铁电体层(24)；形成于所述第一铁电体层(24)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)1-XNbXO3表示的复合氧化物构成的第二铁电体层(26)；以及形成于所述第二铁电体层(26)上方的第二电极(30)。
铁电体电容器制造方法存储器

[发明专利]压电材料及压电元件-CN200910129911.3有效
发明人：滨田泰彰;木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2009-04-01 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O₃及Ba(Zr、Ti)O₃为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O₃和Ba(Zr、Ti)O₃的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1-x)Bi(Fe_1-yMn_y)O₃-xBa(Zr_uTi_1-u)O₃表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe_1-yMn_y)O₃的自发极化量及高居里温度，通过Ba(Zr_uTi_1-u)O₃能够实现压电特性的提高。
压电材料元件

[发明专利]陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置-CN200810172708.X无效
发明人： 木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种可低温成膜的陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置。本发明涉及的陶瓷膜制造方法包括：在基体的上方形成材料层的步骤；将含有水蒸气及氧气的气体导入氧化气体制造部(30)的步骤；以及将氧化气体制造部(30)内的上述气体加热并提供到氧化炉(20)内、使材料层氧化的步骤。
陶瓷膜制造方法以及装置

[发明专利]元件基板及其制造方法-CN200710163830.6无效
发明人：金田敏彦;木村里至;降旗荣道;木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种可形成精度良好的微细图形金属层的元件基板及其制造方法。所述制造方法包括：在第一支持基板(10)上形成剥离层(24)的工序；在剥离层上形成一定图形的金属层(34)的工序；在第一支持基板上涂布含有无机基板原料的溶胶－凝胶溶液的工序；通过施加热处理去除溶胶－凝胶溶液的溶剂而形成无机基板(114)的工序；以及通过分解剥离层而将金属层(34)从所述第一支持基板上剥离，使所述金属层从所述第一支持基板(10)上移动至无机基板上的工序。
元件及其制造方法

[发明专利]镀覆基板及其制造方法-CN200710163831.0无效
发明人：金田敏彦;木村里至;降旗荣道;尼子淳;泽木大辅;木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种可形成精度良好的微细图形金属层的镀覆基板以及其制造方法。本发明的镀覆基板(100)的制造方法是通过化学镀法来形成金属层(33)的镀覆基板的制造方法，其包括：在基板(10)上形成一定图形的树脂成形体(22)的工序；在树脂成形体上形成催化剂层(31)的工序；通过将基板浸渍在化学镀液中，在催化剂层上析出金属从而形成金属层(33)的工序。
镀覆及其制造方法

[发明专利]元件基板及其制造方法-CN200710163829.3无效
发明人：金田敏彦;木村里至;降旗荣道;木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种可形成精度良好的微细图形金属层的元件基板及其制造方法。本发明的元件基板的制造方法包括：在第一支持基板上形成剥离层的工序；在剥离层上形成一定图形的金属层(33)的工序；以夹着金属层的方式在第一支持基板(10)的上方配置第二支持基板(110)的工序；在第一支持基板与第二支持基板之间流入流动状态的树脂材料(114a)的工序；固化树脂材料而形成树脂基板(114)的工序；以及通过分解剥离层而将金属层从所述第一支持基板上剥离，使所述金属层从所述第一支持基板(10)上移动至所述树脂基板的工序。
元件及其制造方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 65 条