专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]通讯传输装置及方法-CN201710856670.7有效
  • 刘一如 - 智邦科技股份有限公司
  • 2017-09-21 - 2021-03-30 - H04B7/0452
  • 此方法包括:依据不同天线组合对应的天线装置群组对通讯传输装置的多个天线进行分群以形成多个天线群,并自上述多个天线群中选择天线群;依据所选择的天线群中所对应的多个天线组合的多个信号参数统计量,在上述多个天线组合中选出第一天线组合以及最末天线组合;以及依据关联于第一天线组合的第一数据以及关联于最末天线组合的第二数据,设定第一天线组合或最末天线组合作为传输天线组合以进行传输
  • 通讯传输装置方法
  • [实用新型]一种六边形燃料电池双极板-CN202320572447.0有效
  • 吴粦静;朱思明;朱鑫宁;王茜;褚旭阳;周伟;黄建祥 - 厦门大学
  • 2023-03-22 - 2023-10-03 - H01M8/026
  • 本实用新型公开了一种六边形燃料电池双极板,双极板本体具有第一面和第二面,第一面设有交指以及与交指相连通的交指入口、交指出口,交指入口和交指出口间隔交指相对布置;第二面设有冷却剂流以及与冷却剂流相连通的冷却剂流入口、冷却剂流出口,冷却剂流入口和冷却剂流出口间隔冷却剂流相对布置,且冷却剂流入口和交指入口相邻布置。且,交指可使得反应气体强制扩散,反应气体易于均匀快速扩散。同时,双极板本体第二面设有冷却剂流,可及时对反应过程进行冷却降温,冷却效果好。
  • 一种六边形燃料电池极板
  • [发明专利]一种构网与跟网并联系统的控制参数整定方法-CN202310795222.6在审
  • 姚伟;宗启航;周泓宇;艾小猛;陈霞;文劲宇 - 华中科技大学
  • 2023-06-30 - 2023-09-08 - H02J3/40
  • 本发明公开了一种构网与跟网并联系统的控制参数整定方法,属于电力系统稳定性分析技术领域,综合考虑了构网与跟网并联的复杂场景,故障前后跟网通过逻辑切换改变输出,对该场景进行简化建模,忽略了跟网的锁相环环节,并对构网精简为二阶非线性微分方程,构建了简化的系统大信号模型;通过构建简化的构网与跟网两机并联系统的大信号数学模型,再离线阶段分析和整定构网双环反馈控制参数,实现构网在与跟网并联系统典型电压跌落下保持暂态功角稳定、电流限制且无功电流满足并网标准,提高了系统受扰后构网的暂态性能,维护电网安全稳定运行。
  • 一种网型风场并联系统控制参数方法
  • [实用新型]埋层终端结构-CN202121395102.X有效
  • 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 - 珠海市浩辰半导体有限公司
  • 2021-06-22 - 2021-12-14 - H01L29/40
  • 本申请公开一种埋层终端结构,包括N‑半导体漂移区,N‑半导体漂移区包括P半导体限环、P‑半导体埋层和N+半导体限环,P半导体限环的宽度大于或等于N半导体限环的宽度,P‑半导体埋层中的掺杂离子的浓度小于P半导体限环中的掺杂离子的浓度;绝缘介质层,设于N‑半导体漂移区的上表面,分别与P半导体限环的部分上表面、P‑半导体埋层的部分上表面和N+半导体限环的部分上表面接触,与P‑半导体埋层的接触区设有接触孔;第一板,通过接触孔与P‑半导体埋层接触。
  • 终端结构
  • [实用新型]复合终端结构-CN202121395001.2有效
  • 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 - 珠海市浩辰半导体有限公司
  • 2021-06-22 - 2021-12-14 - H01L29/40
  • 本申请公开一种复合终端结构,该复合终端结构包括N‑半导体漂移区,N‑半导体漂移区包括P半导体限环、P‑半导体VLD区和N+半导体限环,P‑半导体VLD区的一侧面与P半导体限环的部分另一侧面共面,P半导体限环的宽度大于或等于N+半导体限环的宽度;P‑半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于P半导体限环中的掺杂离子的浓度;一个或间隔的多个第一板,自P‑半导体VLD区的上表面向外延伸,第一板覆盖绝缘介质层的部分上表面并填充接触孔。
  • 复合终端结构
  • [发明专利]基于液晶D光学元件的高清光成像方法-CN202110689820.6有效
  • 李晖;何燕成;陈伟灵;余毅;钱文彤;杨飞凡 - 武汉工程大学
  • 2021-06-22 - 2023-07-14 - G06T5/40
  • 本发明提供了一种基于液晶D光学元件的高清光成像方法,包括步骤:在基于微透镜阵列的光成像系统中,将液晶D光学元件置于主透镜与微透镜阵列之间;在液晶D光学元件施加电压时,获取目标场景的清晰光图像;在未加电压时,获取成像探测器的模糊光图像;计算大气光A;确定未加电压时液晶D光学元件的透射率,复原目标场景的原始光图像;基于清晰光图像和原始光图像,合成高清光图像。本发明在主透镜与微透镜阵列之间加入液晶D光学元件,根据液晶分子指向矢与电压之间的关系,可以获取在不同电压下的光图像,经过各电压下光图像数据特征值的提取结合高清光成像复合算法,实现高清光的获取。
  • 基于液晶光学元件清光成像方法
  • [发明专利]高压N横向双扩散金属氧化物半导体管-CN02138394.4有效
  • 孙伟锋;易扬波;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2002-09-30 - 2004-04-07 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种高压N横向双扩散金属氧化物半导体管,由源、漏、栅、氧、栅氧和氧化层组成,栅氧设在源、漏和氧上,栅位于栅氧与氧化层之间,在栅、源和漏上设有铝引线,在源下方设有P阱,在P阱上设有P阱接触孔,P阱、漏和氧设在P衬底上,源连接有极板。本发明引入了极板且极板与源相连,极板即与地相接,从而获得低电压,而极板上的电压越低,由于极板的作用而在硅表面形成的耗尽区越大,故其削弱表面峰值电场效果越好,从而提高其击穿电压。
  • 高压横向扩散金属氧化物半导体
  • [发明专利]天线控制系统、天线控制方法以及无线接入点-CN201910597318.5在审
  • 刘一如 - 智邦科技股份有限公司
  • 2019-07-04 - 2021-01-05 - H04W16/28
  • 一种天线控制系统、天线控制方法以及无线接入点。天线控制系统包含无线接入点、记忆体以及处理器。无线接入点具有多个可调天线,依据不同排列运作,产生多个天线组合。记忆体储存各场组合对应的多种即时指标。处理器依据一即时指标在座标系上的群集程度,自场组合中选取候选场组合。处理器更依据至少另二种即时指标在对应座标系上的群集程度在候选场组合中选取一目标组合。处理器输出属于此目标组合对应的天线排列至无线接入点,令无线接入点依据天线排列调整天线的运作。本案的系统可动态地搜集数据并判断适切的天线
  • 天线控制系统控制方法以及无线接入

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