“图形填充”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果666076个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]版图中插入填充图形的方法-CN201210496239.3有效
发明人：李彦正;周京英;孙长江 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种版图中插入填充图形的方法，包括以下步骤在每个局部区域的允许插入填充图形的结构中，虚拟地插入标准填充图形。计算该局部区域在虚拟地插入填充图形之后的图形密度，判断其是否大于或等于该局部区域的图形密度的最低要求。如果是，在该局部区域的允许插入填充图形的结构中实际插入该填充图形。如果否，在该局部区域的允许插入填充图形的结构中，虚拟地插入比上一次虚拟插入的填充图形更大的新的填充图形。不断重复直至该局部区域在插入新的填充图形之后的图形密度大于或等于该局部区域的图形密度的最低要求。本申请可以快速地实现在版图中插入填充图形，使得所有局部区域都满足最低的图形密度要求。
版图插入填充图形方法

[发明专利]占领图形填充方法-CN201610373502.8有效
发明人：陈华伦;孔蔚然 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种占领图形填充方法，包括如下步骤：步骤一、根据图形数据占比率要求值和图形隔离规则确定占领图形的填充规则；步骤二、在版图中找出需要进行占领图形填充的空白区域；步骤三、按照占领图形的填充规则在版图的空白区域进行占领图形填充本发明能实现占领图形的智能填充，使占领图形填充后的图形数据占比率无限逼近要求值。
占领图形填充方法

[发明专利]利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法-CN201010545835.7有效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法，包括如下步骤：得到芯片制备中某个图层的可填充区域；预设一组图形密度不等的填充图形；等分为多个小块区域，设定在填充后图层的图形密度，小块区域的最小图形密度值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值；计算上述各小块区域初始的图形密度值；计算填入的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值；采用虚拟图形填充的方法调整每个小块区域的图形密度；对各小块区域中的可填充区域进行填充，使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。本发明的方法，改善了填充后的局部区域图形密度的均一性。
利用冗余图形填充调整芯片密度方法

[发明专利]用来降低全局图形密度效应的智能栅层填充方法-CN00806056.8无效
发明人： C·T·加布里尔;T·D·郑;S·波斯拉;小H·L·苏尔 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2000-12-07 - 公布日： 2002-04-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了用模拟填充图形来智能填充栅层以产生目标图形密度的方法。同时提供确定栅层上的栅区的栅布局与确定半导体衬底上的有源扩散区的扩散区布局。对于栅布局,确定图形密度。此外,在一组预定的填充图形中提供图形密度范围。各个预定的填充图形具有多个模拟填充图形,并与所提供的图形范围内的图形密度相关。在预定的填充图形组中,选择一个预先填充图形来产生目标图形密度。然后,借助于将由选择的预定填充图形组成的模拟填充图形置于未被栅区和扩散区占据的区域中,来填充栅层。在这样做的过程中,当与栅布局的图形密度组合时,目标图形密度被提供在栅层中。
用来降低全局图形密度效应智能填充方法

[发明专利]冗余图形的填充方法-CN201110312357.X有效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种冗余图形的填充方法，包括步骤：1)根据半导体器件中各层次的相互关系，计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域；2)以不可填充冗余图形区域的边界作为填充算法的起始边，环状填充冗余图形，每一次环状填充为填充算法的一个计算循环。该方法将不可填充区域的边界作为填充算法的起始边，环状插入冗余图形，如此，保证了在需要冗余图形保护的器件周围，优先插入冗余图形，从而得以更好地保证器件的良率。
冗余图形填充方法

[发明专利]半导体版图和半导体版图的布局方法-CN201910980989.X在审
发明人：李彦正 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：所述半导体版图包括：预定区域和填充区域；所述预定区域包括有源层，和/或，栅层；所述填充区域包括至少一个填充图形，所述填充图形包括填充有源层和填充栅层，所述填充图形的式样是根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度生成得到的所述半导体版图的布局方法包括：获取预定区域的有源层和栅层的图形密度；根据所述预定区域的有源层和栅层的图形密度生成填充图形；在所述预定区域中的填充区域填充所述填充图形，生成所述半导体版图。本申请通过将填充图形整体填充在所述填充区域中，避免在填充图形过程中有源层和栅层之间的关系协调匹配的问题。
填充预定区域源层栅层半导体版图半导体制造技术关系协调区域填充图形过程整体填充匹配申请式样

[发明专利]一种闭合曲线图形填充方法-CN201710148539.5有效
发明人：周燕;曾凡智 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G06T11/40 文献下载
摘要：本发明提供一种闭合曲线图形填充方法，首先，输入闭合曲线图形，并选取闭合曲线图形边界的外接矩形以缩小填充范围；其次，对外接矩形平均分为四个区域，并选取各区域的角落点作为种子的填充点；再次，分别对四个区域中闭合曲线图形的外部区域进行种子填充，得到闭合曲线图形的外部区域；最后，分别提取四个区域中未填充的区域，作为闭合曲线图形的内部闭合区域；并对闭合曲线图形的内部闭合区域进行填充。本发明闭合曲线图形填充方法实用性强和适应性强，该闭合曲线图形填充方法可有效避免因图形对象多和图形复杂而产生填充不完整和填充错误的问题，从而大大提高图形填充的效率和填充的准确性。
一种闭合曲线图形填充方法

[发明专利]改版冗余图形填充方法、系统及电子设备-CN202310626845.0在审
发明人：曹云;李佳佳;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种改版冗余图形填充方法、系统及电子设备，包括：提供改版版图，改版版图具有改版版图层次；获得改版冗余图形可填充区域；获得位于改版冗余图形可填充区域内的冗余图形作为第一冗余图形区；获得相邻改版版图层次中的区域外组合冗余图形；在变形固定组合冗余图形库中，获得区域外组合冗余图形对应的位于改版冗余图形可填充区域外的变形冗余图形作为第二冗余图形区；将改版版图层次中的独立冗余图形作为第三冗余图形区；将第一冗余图形区、第二冗余图形区及第三冗余图形区合并为改版版图层次的改版冗余图形，将改版冗余图形填充至改版冗余图形可填充区域内，实现对改版版图进行改版冗余图形的填充。
改版冗余图形填充方法系统电子设备

[发明专利]曲线图形光学邻近修正方法-CN202010279739.6有效
发明人：陈世杰;黄增智;郭进 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种曲线图形光学邻近修正方法，在对导入的原始设计图形进行光学邻近修正后，对曲线图形进行填充拟合处理以形成标准图形；所述填充拟合处理的步骤包括：在包含所述曲线图形的边线的设定区域内排布标准填充图形的阵列；将与所述曲线图形相交的所述标准填充图形作为填充拟合图形，所述填充拟合图形具有与所述曲线图形重叠的重叠部分以及与所述曲线图形不重叠的非重叠部分；通过使所述曲线图形合并所述非重叠部分或去除所述重叠部分，形成所述标准图形本发明通过对硅光器件的曲线图形进行填充拟合处理，以形成标准图形，使版图图形符合常规光掩模版标准，在确保光学邻近修正结果接近原始图形的同时，降低光掩膜版生产成本。
曲线图形光学邻近修正方法

[发明专利]图形的颜色填充方法、装置、计算机设备及存储介质-CN201711116349.1有效
发明人：叶洪 -专利权人：广州视睿电子科技有限公司;广州视源电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：本发明公开了图形的颜色填充方法、装置、计算机设备及存储介质。该方法包括：监听到画布中的光标点当前处于任一图形的所在区域时，获取图形的绘制参数信息；根据绘制参数信息，确定光标点当前在图形上的具体图形部位；根据选定的颜色对具体图形部位进行预填充；当接收到填充指令且监听到光标点停留在具体图形部位上时，将预填充的颜色确定为具体图形部位的目标颜色进行填充。利用该方法，能够根据对画布上光标点的监听确定图形上待填充的具体图形部位以及有效实现具体图形部位上颜色的预填充及填充，从而简单快捷地实现了对演示类功能应用中图形的个性化填充，进而增强了演示类功能应用的演示效果
图形颜色填充方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种冗余图形的填充方法-CN201410161258.X无效
发明人：郜彬;于世瑞;陈权;毛智彪;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种冗余图形的填充方法，包括提供芯片版图并通过逻辑运算获得冗余图形的填充区域；基于设计规则在所述冗余图形的填充区域中填充冗余图形；将所述芯片版图划分为多个不重合的窗口；以及计算各所述窗口在填充所述冗余图形后的图形密度并判断所述图形密度是否超出预定范围，若超出则通过逻辑运算移除该窗口内的冗余图形并填充新的冗余图形，以使各所述窗口的最终图形密度调整在所述预定范围内。本发明能够有效提高图形层密度的均匀性。
一种冗余图形填充方法

[发明专利]基于FPGA的直写光刻图形填充方法、装置、光刻机和介质-CN202310419139.9在审
发明人：周安萌;王岩岩;邵德洋 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPGA(Field‑Programmable Gate Array，即现场可编程门阵列)的直写光刻图形填充方法、装置、光刻机和介质，其中，基于FPGA的直写光刻图形填充方法，包括：获取曝光图形区域数据和图形数据；根据曝光图形区域数据将曝光图形区域划分为N个处理通道，获取N个处理通道的区域数据，其中，N≥2；根据N个处理通道的区域数据和图形数据对位于曝光图形区域中的图形进行筛选和切割处理；同时对N个处理通道中的图形进行填充。本发明实施例的基于FPGA的直写光刻图形填充方法，通过设置多个处理通道，多个处理通道能实现并行接收并处理图形的填充，提高对曝光图形的填充效率，整体缩短填充时间，提升设备产能。
基于 fpga 光刻图形填充方法装置介质

[发明专利]ECO改版改变冗余图形填充方法、终端设备和存储介质-CN202011562072.7在审
发明人：张逸中;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ECO改版冗余图形填充方法，包括：从ECO改版前版图数据中，将冗余填充图形和非冗余填充图形分别抽取出来；将提取的非冗余填充图形与ECO改版版图图形进行层与层的差异对比，并在有差异位置生成标定识别层；保留标定识别层外的冗余填充图形，移除标定识别层内的冗余填充图形，形成第一中间版图图形；根据ECO改版版图图形数据，在第一中间图形数据标定识别层范围内重新插入并优化冗余图形，形成第二中间版图图形；将第一中间版图图形和第二中间版图图形合并得到最终本发明能够有效地避免ECO造成冗余图形发生位移等问题，缩短了冗余图形的填充周期，同时极大程度的减小了冗余图形对工艺的影响，提高了工艺的稳定性。
eco 改版改变冗余图形填充方法终端设备存储介质

[发明专利]冗余金属的填充方法-CN201911368197.3在审
发明人：曹云;于明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种冗余图形的填充方法，包括：提供一版图，所述版图上设置有主图形区和冗余图形区；提供至少三组待填充的冗余图形；计算各组所述冗余图形在所述冗余图形区中的图形密度；按照所述图形密度从大到小的顺序将各组所述冗余图形依次填充在所述冗余图形区中本发明中，先填充图形密度大的所述冗余图形可以快速提升所述冗余图形区的有效图形密度；进一步的，按照所述图形密度从大到小的顺序填充所述冗余图形，可以有效减小冗余图形的图形密度差异，从而使得在整个晶片上(主图形区和冗余图形区)达到均匀的有效图形密度，从而改善微负荷效应。
冗余金属填充方法

[发明专利]一种提高狭长区域冗余图形填充率的方法-CN201310491943.4无效
发明人：阚欢;张旭升;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G06T11/40 文献下载
摘要：一种提高狭长区域冗余图形填充率的方法，包括：步骤S1：对所述的版图进行一次性传统的冗余图形偏移交错填充；步骤S2：筛选所述冗余图形之未充分填充区域；步骤S3：对所述冗余图形之未充分填充区域再次进行冗余图形偏移交错填充；步骤S4：重复步骤S2、S3，直至所述冗余图形均充分填充。通过本发明所述提高狭长区域冗余图形填充率的方法所获得的版图之冗余图形不仅填充充分、图案密度分布均匀，而且进一步提高后续化学机械研磨或刻蚀的均一性，增强半导体器件的可靠性。
一种提高狭长区域冗余图形填充方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条