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[发明专利]改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法-CN202310333920.4在审
发明人：田志;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括低压器件区、中压器件区和高压器件区；步骤S2，回刻蚀中压器件区和低压器件区的有源区；步骤S3，在中压器件区和低压器件区形成第一栅氧化层；步骤S4，去除低压器件区的第一栅氧化层；步骤S5，在低压器件区形成第二栅氧化层。本申请同时对中压器件区和低压器件区的有源区进行回刻蚀，避免单独回刻蚀高压器件区和中压器件区对低压器件区的隔离部件的消耗，确保低压器件区的隔离部件高于有源区，不增加低压器件的漏电。
改善金属高压器件集成工艺低压漏电方法

[发明专利]BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法-CN201210081512.6无效
发明人：刘建华 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列的高压器件区和低压器件区；在所述衬底上热氧化形成高压器件区和低压器件区的栅氧化层，所述高压器件区的栅氧化层厚度大于低压器件区的栅氧化层；在所述高压器件区和低压器件区的栅氧化层上沉积多晶硅；刻蚀多晶硅形成所述高压器件区和低压器件区的栅极，停留在低压器件区的栅氧化层上；刻蚀去除所述高压器件区的栅氧化层；以所述高压器件区和低压器件区的栅极为掩膜，形成高压器件区和低压器件区的源/漏区。本发明解决了高压器件和低压器件因栅极氧化层厚度差，在同时去除中造成的低压器件有源区损伤而漏电和隔离失效或高压器件源/漏区无法形成硅化物。
bcd 工艺栅极氧化刻蚀方法

[发明专利]半导体结构、形成方法以及掩膜版-CN202010760792.8在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体结构、形成方法以及掩膜版，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括沿第一行依次排布的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区，沿第二行依次排布的第三器件区、第二器件区、伪器件区以及第一器件区，且第一行中的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区分别与第二行中的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区互为中心对称排布。本发明实施例，第一遮挡层露出第一器件区和伪器件区，第一遮挡层露出的面积较大，使得第一遮挡层的工艺窗口较大，降低了形成第一遮挡层的工艺难度，提高了第一遮挡层的套刻精度。
半导体结构形成方法以及掩膜版

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710305619.7有效
发明人：杜丽娟;赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括相邻的第一器件区和第二器件区，第一器件区和第二器件区的器件掺杂类型不同；在基底上形成第二器件区功能层；在第二器件区功能层上形成底部抗反射涂层；向第二器件区底部抗反射涂层掺杂刻蚀抑制离子；掺杂刻蚀抑制离子后，在第二器件区底部抗反射涂层上形成光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀第一器件区底部抗反射涂层；以第二器件区的光刻胶层为掩膜，刻蚀第一器件区的第二器件区功能层。本发明通过向第二器件区的底部抗反射涂层掺杂刻蚀抑制离子，降低刻蚀第一器件区底部抗反射涂层的工艺对第二器件区底部抗反射涂层的刻蚀速率，从而避免第二器件区的第二器件区功能层被刻蚀。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种显示面板和显示装置-CN202310662315.1在审
发明人：董丹 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括显示区，显示区包括常规显示区和器件设置区，常规显示区至少部分围绕器件设置区，相比于常规显示区子像素的阴极膜厚，将器件设置区内子像素的阴极厚度减薄，增加器件设置区的发光效率，与没有对器件设置区中阴极厚度做减薄的显示面板相比，在与常规显示区保持相同发光效率时，器件设置区无需较大的电流密度，即可达到与常规显示区保持相同发光效率，降低了器件设置区的电流密度，提升了器件设置区的器件寿命；同时将常规显示区和器件设置区子像素出光侧的滤光结构的膜厚差异化设计，降低常规显示区和器件设置区之间的色差，平衡器件设置区与正常区域的反射一致性。
一种显示面板显示装置

[发明专利]一种宽工作温度范围的分布反馈半导体激光器-CN202011250138.9有效
发明人：张敏明;杨思康 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽工作温度范围的半导体器件，属于半导体器件领域，包括：器件区和应力补偿区，器件区包括有源区，有源区为多量子阱结构，器件区和应力补偿区的热膨胀系数不相等；当半导体器件的温度高于初始温度时，应力补偿区用于为器件区提供应力，以对温度升高在器件区中产生的阈值电流升高和微分增益降低进行补偿。利用器件区和应力补偿区的材料热学与力学性质差异，通过应力补偿区向器件区施加应力，补偿温度升高对器件阈值电流和微分增益的影响，使得器件可在宽温度范围内工作，且在该宽温度范围内保证恒定的阈值电流和高的调制带宽，高温条件下器件能耗较低，降低运行成本，此外，无需为器件额外设置温度补偿电路，降低器件复杂度。
一种工作温度范围分布反馈半导体激光器

[发明专利]BCD器件-CN202210967258.3在审
发明人：汪琦;朱丽霞;方明旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种BCD器件，所述器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区和低压器件区，所述高压器件区用于形成高压器件，所述低压器件区用于形成低压器件；高压漂移区，形成于所述高压器件区内，包括高压注入区及高压非注入区，且所述注入区的离子掺杂浓度大于等于2.5E12cm‑2；低压漂移区，形成于所述低压器件区内，包括低压注入区，且所述注入区的离子掺杂浓度大于等于2.5E12cm通过本发明解决了现有的BCD器件中漂移区的离子掺杂浓度满足高压LDMOS器件的需求时低压LDMOS器件的性能受到影响的问题。
bcd 器件

[实用新型]自卸车变流柜换热装置及自卸车变流柜-CN202120433809.9有效
发明人：徐志平;张巴图;特木尔巴图;赵泽琦;陈晓可;杨世英;王吉明;郭俊义;李广洲;闫志军;赵杰;杜潇;赵东江;高永飞;朱红伟;程建峰 -专利权人：中国神华能源股份有限公司哈尔乌素露天煤矿
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：自卸车变流柜换热装置中，箱体密闭设置；相连通的换热区和第一器件区，换热区设置有换热器；第二器件区和第三器件区，第一器件区连通在第二器件区和第三器件区之间，第二器件区和第三器件区均与换热区相连通，以使对第一器件区、第二器件区和第三器件区进行降温后的气流进入换热区降温；风机设置在换热区或者第一器件区。
卸车变流柜换热装置变流柜

[发明专利]具有嵌入式EEPROM的电可编程器件及其制作方法-CN200710042341.5有效
发明人：詹奕鹏;黄声河;杨震 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种具有嵌入式EEPROM的电可编程器件及其制作方法。该方法包括：提供包括第一器件区和第二器件区的衬底；在第一器件区和第二器件区中生长第一栅氧化物层；以及在第一器件区中形成第一扩散区，并且在第二器件区中形成第二扩散区和第三扩散区。此外，该方法包括注入第一多个离子以在第一器件区中形成第四扩散区以及在第二器件区中形成第五扩散区。第四扩散区与第一扩散区重叠。
具有嵌入式 eeprom 可编程器件及其制作方法

[发明专利]DDRIO版图结构、集成电路版图及半导体器件-CN202311058009.3在审
发明人：李长猛 -专利权人：牛芯半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种DDRIO版图结构，包括：内部信号区，位于DDRIO版图结构的上部边缘处，用于布设与芯片内部结构连接的信号线；低压器件区，位于内部信号区下方；高压器件区，位于低压器件区下方；静电放电器件区，位于高压器件区下方，用于放置静电放电器件；外部信号区，位于静电放电器件区的最上层，用于布设与芯片外部结构连接的信号线；稳压电容区，位于静电放电器件区的下方，用于放置高压电源的稳压电容；内部信号区、低压器件区、高压器件区、静电放电器件区和稳压电容区的宽度相等。本申请技术方案提供的DDRIO版图结构清晰明了，可以快速定位IO单元所包含的各器件所在区域，有效缩减DDRIO版图的结构设计时间，提高设计效率。
ddrio 版图结构集成电路半导体器件

[发明专利]SiGe源/漏区制造方法-CN201210183117.9有效
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种SiGe源/漏区制造方法，通过在刻蚀源/漏区凹槽之前对器件密集区的源/漏区进行掺杂离子注入，使得在刻蚀形成源/漏区凹槽过程中，所述器件密集区的刻蚀速率小于器件稀疏区，从而使得形成的所述器件密集区的源/漏区凹槽比器件稀疏区的浅，进而在SiGe填充源/漏区凹槽时，能够避免器件密集区的源/漏区凹槽填充SiGe出现凹陷，使得器件密集区与器件稀疏区的SiGe源/漏区的厚度保持一致，避免出现负载效应。
sige 制造方法

[发明专利]半导体器件及其金属硅化物分离结构制造方法-CN202010596845.7在审
发明人：申靖浩;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭;罗英 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其金属硅化物分离结构的制造方法，包括：提供一包括第一NMOS器件区和PMOS器件区的半导体衬底；在PMOS器件区上形成第一阻挡层，以露出第一NMOS器件区；在露出的第一NMOS器件区的表面形成第一金属硅化物层；在第一NMOS器件区上形成第二阻挡层，以露出PMOS器件区；在露出的PMOS器件区的表面形成第二金属硅化物层。通过使用两次阻挡层，选择性的分离NMOS器件区和PMOS器件区，使得能够在第一NMOS器件区和PMOS器件区的表面形成具备不同的表面电阻的金属硅化物结构。
半导体器件及其金属硅分离结构制造方法

[发明专利]用于CMOS技术的应变感应迁移率增强纳米器件及工艺-CN200510030311.3有效
发明人：陈军;杨士宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS半导体集成电路器件。该CMOS器件包括NMOS器件，其中NMOS器件包括栅极区、源极区、漏极区以及在源极区和漏极区之间形成的NMOS沟道区。在源极区和漏极区中形成碳化硅材料。碳化硅材料使沟道区处于拉伸模式。CMOS器件还具有PMOS器件，其中PMOS器件包括栅极区、源极区和漏极区。PMOS器件具有在源极区和漏极区之间形成的PMOS沟道区。在源极区和漏极区中形成硅锗材料。硅锗材料使沟道区处于压缩模式。
用于 cmos 技术应变感应迁移率增强纳米器件工艺

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110071809.3在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，沿与鳍部的延伸方向相垂直的方向，基底包括第一器件区和第二器件区，第二器件区的器件工作电压大于第一器件区的器件工作电压，第一器件区和第二器件区的鳍部高度相等；隔离层，位于鳍部露出的衬底上，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁，且第二器件区的隔离层顶部高于第一器件区的隔离层顶部；第一栅氧化层，位于第二器件区中，且保形覆盖露出于隔离层的鳍部；第二栅氧化层，位于第一器件区中第二器件区的隔离层顶部高于第一器件区的隔离层顶部，提高栅极结构在第二器件区的填充性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201610764720.4在审
发明人：陈海;郑忠庆;王祝山 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了半导体器件及其制备方法。该器件包括器件区；划片支撑区，所述划片支撑区环绕所述器件区设置，并且所述划片支撑区沿着远离器件区的方向向下延伸与所述器件区的底部构成凹槽；以及金属层，所述金属层覆盖所述凹槽。该半导体器件避免了对器件背面进行整体减薄处理，使不影响器件功能的划片支撑区保持一定的厚度，从而可以增强整体器件的机械强度，避免硅晶片发生卷曲、破损等问题。
半导体器件及其制备方法

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