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[实用新型]一种高纯度一甲胺的分离工艺系统-CN202321636936.4有效
发明人：范芸珠;闫继勇;刘立彬;肖光;王刚;朱明华;冯贵俊;李长猛 -专利权人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本实用新型属于一甲胺分离领域，具体涉及一种高纯度一甲胺的分离工艺系统。包括二甲胺塔、一甲胺塔；二甲胺侧线采出后对一甲胺纯化处理，其带出的二甲胺可以返回至二甲胺塔继续处理；该工艺系统将现有的一甲胺产品纯度由96%提高到99.9%，同时提高整个甲胺装置的产能，降低能耗。二甲胺则符合优等品的要求。
一种纯度一甲胺分离工艺系统

[实用新型]一种蒸汽冷凝液余热回收系统-CN202321048331.3有效
发明人：冯贵俊;肖光;刘立彬;郝胜杰;韩士亮;李长猛;武敏杰;朱明华;赵传毓 -专利权人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： F28B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种蒸汽冷凝液余热回收系统，包括蒸汽冷凝液罐，所述蒸汽冷凝液罐的顶部连通有余热回收器一，所述余热回收器一的顶部连通有余热回收器二，所述余热回收器二的安装位置高于余热回收器二，所述余热回收器一和余热回收器二输出的冷凝液均通过液封后回流进入蒸汽冷凝液罐。该系统既利用了常压冷凝液罐放空的的蒸汽余热和冷凝水，又净化和美化了环境，实现双赢。
一种蒸汽冷凝余热回收系统

[实用新型]一种降低甲胺装置蒸汽消耗的系统-CN202321063011.5有效
发明人：范芸珠;肖光;刘立彬;闫继勇;朱明华;李长猛;冯贵俊;任慧敏 -专利权人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低甲胺装置蒸汽消耗的系统，甲胺合成气依次经过高温换热器、蒸发器、脱氨塔再沸器、甲醇预热器、分离塔再沸器、脱氨塔进料预热器，使合成气的温度降低到90℃以下。通过优化换热流程，实现热量回收，降低甲胺装置的蒸汽消耗。
一种降低装置蒸汽消耗系统

[发明专利]DDRIO版图结构、集成电路版图及半导体器件-CN202311058009.3在审
发明人： 李长猛 -专利权人：牛芯半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种DDRIO版图结构，包括：内部信号区，位于DDRIO版图结构的上部边缘处，用于布设与芯片内部结构连接的信号线；低压器件区，位于内部信号区下方；高压器件区，位于低压器件区下方；静电放电器件区，位于高压器件区下方，用于放置静电放电器件；外部信号区，位于静电放电器件区的最上层，用于布设与芯片外部结构连接的信号线；稳压电容区，位于静电放电器件区的下方，用于放置高压电源的稳压电容；内部信号区、低压器件区、高压器件区、静电放电器件区和稳压电容区的宽度相等。本申请技术方案提供的DDRIO版图结构清晰明了，可以快速定位IO单元所包含的各器件所在区域，有效缩减DDRIO版图的结构设计时间，提高设计效率。
ddrio 版图结构集成电路半导体器件

[发明专利]一种有机硅裂解高环的回收利用装置及方法与应用-CN202010124696.4有效
发明人：安鲁伟;刘立彬;刘飞;李静敏;李长猛;赵传毓 -专利权人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明涉及有机硅裂解高环的处理技术领域，尤其涉及一种有机硅裂解高环的回收利用装置及方法与应用。所述回收利用方法包括如下步骤：将有机硅裂解产生的高环与硫酸进行酯化反应，得甲硅烷基硫酸酯。将所述甲硅烷基硫酸酯在碱性件下进行水解反应，得水解物。将所述水解物油水分离，水相外排，油相进入裂解单元进行裂解重排反应。本发明通过酯化反应、碱性水解和油水分离的方法，有效分解、分离、去除了高环中的这些杂质，解决了杂质在裂解釜不断积累问题，提高裂解釜产能、延长裂解釜运行周期，降低了裂解单元蒸汽消耗。同时，还将有机硅裂解的重组分废物转化成了目标产物，实现了对高环的资源化回收利用。
一种有机硅裂解回收利用装置方法应用

[发明专利]一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法-CN202210138155.6在审
发明人：范芸珠;肖光;刘立彬;闫继勇;冯贵俊;李长猛;任慧敏;朱明华 -专利权人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，包括如下步骤：将有机硅粗单体通入隔壁塔的隔板的一侧，隔壁塔的上部实现低沸物和一甲基三氯硅烷的分离，隔壁塔的下部实现高沸物和二甲基二氯硅烷的分离，隔板的另一侧实现一甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷的采出。在达到同样分离纯度的前提下，本发明的方法比传统精馏节约能耗15％以上，能减少三台设备的投资及占地，设备投资降低5％以上，并能使流程简化。
一种同时脱除有机硅单体中高低沸物方法

[实用新型]一种有效回收高碳醇中丁醇、辛醇、辛烯醛的装置-CN202122977826.1有效
发明人：范芸珠;刘立彬;张雪春;闫继勇;李长猛;朱明华 -专利权人：聊城鲁西多元醇新材料科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C07C29/76 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种有效回收高碳醇中丁醇、辛醇、辛烯醛的装置，包括，脱水塔、丁醇精馏塔、气液分离塔、辛烯醛精馏塔、辛醇精馏塔，高碳醇废液进入脱水塔，脱水塔的液相出口连接丁醇精馏塔，丁醇精馏塔的液相出口连接分离塔，气液分离塔的气相出口连接辛烯醛精馏塔，气液分离塔的液相出口连接辛醇精馏塔。丁醇回收率为75％及以上，辛醇回收率为55％及以上，辛烯醛回收率为65％及以上。高碳醇中有用组分的总收率能达到35％以上。
一种有效回收高碳醇中丁醇辛醇辛烯装置

[发明专利]一种衬底隔离环的版图结构-CN201910948970.7有效
发明人： 李长猛;朱敏 -专利权人：芯创智（北京）微电子有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底隔离环的版图结构，版图结构包括：由多个长度相同或不同的N阱隔离环单元首尾相连构成的封闭或不封闭的N阱隔离环和由多个长度相同或不同的P阱隔离环单元首尾相连构成的封闭或不封闭的P阱隔离环。本发明采用的衬底隔离环单元可以重复应用在版图设计中的各个场景，并且完全满足工艺设计规范，提高集成电路版图设计的效率，减轻版图设计人员的压缩产品流片时间的压力。
一种衬底隔离版图结构

[实用新型]一种乙烯气化的系统-CN202020403981.5有效
发明人：冯贵俊;肖光;刘立彬;韩士亮;李长猛;赵传毓;赵传喜;李明霞 -专利权人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： F17C7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种乙烯气化的系统，利用装置中间罐自身储存的介质丙醇作为载冷体，同时使用装置自身产生的丙醛加氢循环热水去加热载冷体，既利用了乙烯气化的冷量，又将丙醛加氢的循环热水热量移走，节约了两方面的能源消耗。
一种乙烯气化系统

[实用新型]一种燃烧器系统-CN202021209116.3有效
发明人：冯贵俊;杨勇;贾永朋;李长猛;吴恒明;郝胜杰;翁和标 -专利权人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： F23D14/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种燃烧器系统，该燃烧器系统包括燃烧器筒体，助燃风进口，火焰检测器管道，火焰检测器，燃料气进口管道和燃烧器烧头；所述火焰检测器管道和燃料气进口管道均位于燃烧器筒体内，两者平行设置，火焰检测器管道位于燃料气进口管道的上方；所述火焰检测器放置于火焰检测器管道内，火焰检测器距燃烧器烧头的水平距离在1.5米以内；助燃风进口位于燃烧器筒体上与燃烧器烧头相对的一端。该系统将普通火焰检测器放入直管内，定位在距火焰有效距离1.5米内，实现火焰检测；利用大流量的助燃空气带走炉膛内1000℃高温辐射热，使普通的火焰检测器可以正常使用。
一种燃烧系统

[实用新型]基本数字逻辑单元、集成电路版图及半导体器件-CN202022170411.9有效
发明人： 李长猛;唐重林 -专利权人：牛芯半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于Finfet工艺的基本数字逻辑单元、集成电路版图以及半导体器件。基本数字逻辑单元包括电源区、MOS区、多晶硅伪结构。MOS区所述MOS区具有第一类源端，且第一类源端延伸至所述MOS区的左边缘和/或右边缘；多晶硅伪结构位于所述MOS区的一侧，对应于所述第一类源端的所在侧，所述多晶硅伪结构的纵向中心线为所述基本数字逻辑单元的第一类边框；所述第一类边框用于在拼接形成版图的过程中，与别的数字逻辑单元的第一类边框合并。本申请技术方案能够提高版图设计速度。
基本数字逻辑单元集成电路版图半导体器件

[发明专利]基于Finfet工艺的基本数字逻辑单元、集成电路版图-CN202011045769.7在审
发明人： 李长猛;唐重林 -专利权人：牛芯半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于Finfet工艺的基本数字逻辑单元、集成电路版图以及半导体器件。基本数字逻辑单元包括电源区、MOS区、多晶硅伪结构。MOS区所述MOS区具有第一类源端，且第一类源端延伸至所述MOS区的左边缘和/或右边缘；多晶硅伪结构位于所述MOS区的一侧，对应于所述第一类源端的所在侧，所述多晶硅伪结构的纵向中心线为所述基本数字逻辑单元的第一类边框；所述第一类边框用于在拼接形成版图的过程中，与别的数字逻辑单元的第一类边框合并。本申请技术方案能够提高版图设计速度。
基于 finfet 工艺基本数字逻辑单元集成电路版图

[发明专利]一种废催化剂中贵金属的回收工艺及装置-CN201810656335.7有效
发明人：刘立彬;张延蕊;王东;周广乐;孙道成;李长猛;姚金龙;马亮亮;曹会全;赵青 -专利权人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司
申请日： 2018-06-24 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种废催化剂中贵金属的回收工艺及装置，一种废催化剂中贵金属的回收工艺为利用双氧水直接将液相废催化剂在强酸性环境中氧化分离，从而回收贵金属铑；一种废催化剂中贵金属的回收装置，包含反应釜、废催化剂溶液进口管线、双氧水进口管线、硫酸进口管线、反应釜顶部出口管线、反应釜底部出口管线、反应釜夹套、相分离器、焚烧系统、浓缩系统、催化剂制作工序、高位槽、冷凝器、水封池、异味回收系统、蒸汽进口管线、蒸汽出口管线、脱盐水进口管线；操作简单、反应充分，全过程总耗时5‑10h，回收率达到95‑98％。
一种催化剂贵金属回收工艺装置

[发明专利]一种SARADC系统采样MOM电容的版图设计方法-CN201811276724.3有效
发明人： 李长猛;栾昌海;刘寅 -专利权人：成都九芯微科技有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明提供了一种SARADC系统采样MOM电容的版图设计方法，包括以下步骤：根据电路功能需要，确定单位电容；对位电容和虚拟电容进行排布，完成电容阵列布局和走线；提取每个单位电容的寄生参数，分析位电容精度。本发明还提供一种MOM电容及MOM电容阵列，适用于高速高精度SARADC采样电容系统，利用金属走线的寄生电容，可以有效减小版图面积，提高电容匹配性，提高SARADC精度和采样速率。
一种 saradc 系统采样 mom 电容版图设计方法

[发明专利]一种基于pmos管和金属层的电容的版图设计方法及版图结构-CN201911325574.5在审
发明人：宋欣;李长猛;吴汉明 -专利权人：芯创智（北京）微电子有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于pmos管和金属层的电容的版图设计方法及版图结构，版图设计方法包括：在作为底层电容的pmos管的栅极上方堆叠至少一层金属，构成单位电容；其中，至少一层金属中的第一层金属以插指的形状排布在pmos管栅极上方，第一层金属的一端接在pmos管的栅极上，构成单位电容的负极，另一端接在pmos管的源漏端，构成单位电容的正极。本发明将pmos管和金属层结合起来，在原有的pmos电容中加入第一层金属或是多层金属堆叠起来，这样就可以在面积不变的情况下获得更大的电容值，从而更满足集成电路高集成度的要求。
一种基于 pmos 金属电容版图设计方法结构

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