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[发明专利]含钽光致抗蚀剂-CN202180061016.1在审
发明人：埃里克·卡尔文·汉森;吴呈昊;蒂莫西·威廉·威德曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开内容涉及用基于钽的前体形成的膜以及形成与使用此类膜的方法。膜可以用作光可图案化的膜或对辐射敏感的膜。在非限制性的实施方案中，辐射可包含极紫外线(EUV)或深紫外线(DUV)辐射。
含钽光致抗蚀剂

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110334311.1在审
发明人：魏嘉林;翁明晖;刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;郑雅如;李志鸿;张庆裕;李资良;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
制造半导体器件方法

[发明专利]修整硬掩模层的方法、形成晶体管栅极的方法和堆叠结构-CN200710002192.X有效
发明人：王明俊;陈薏新;杨闵杰;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：三层堆叠层包括有一顶层光致抗蚀剂、一含硅层以及一底层光致抗蚀剂。依序图案化顶层光致抗蚀剂、含硅层、底层光致抗蚀剂和硬掩模层，然后对硬掩模层进行一修整工艺。由于本发明的底层光致抗蚀剂较薄且蚀刻过程中有所耗损，所以不会发生光致抗蚀剂线倒塌的情况。
修整硬掩模层方法形成晶体管栅极堆叠结构

[发明专利]用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具-CN202180015520.8在审
发明人：德赖斯·狄克特斯;蒂莫西·威廉·威德曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：含金属极紫外辐射(EUV)光致抗蚀剂的干法显影或干法去除在大气条件下进行或在没有真空设备的处理工具中进行。可以在大气压或过大气压下进行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。可以通过暴露于空气环境或使用非氧化性气体来执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。处理室或模块可以被修改或集成以利用烘烤、晶片清洁、晶片处理或其他光致抗蚀剂加工功能执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。在一些实施方案中，用于干法去除含金属的EUV光致抗蚀剂的处理室包括用于局部加热半导体衬底的加热组件和用于在半导体衬底上方进行局部气体输送的可移动排放喷嘴。
用于去除光致抗蚀剂处理工具

[发明专利]用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具-CN202211142175.7在审
发明人：德赖斯·狄克特斯;蒂莫西·威廉·威德曼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：含金属极紫外辐射(EUV)光致抗蚀剂的干法显影或干法去除在大气条件下进行或在没有真空设备的处理工具中进行。可以在大气压或过大气压下进行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。可以通过暴露于空气环境或使用非氧化性气体来执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。处理室或模块可以被修改或集成以利用烘烤、晶片清洁、晶片处理或其他光致抗蚀剂加工功能执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。在一些实施方案中，用于干法去除含金属的EUV光致抗蚀剂的处理室包括用于局部加热半导体衬底的加热组件和用于在半导体衬底上方进行局部气体输送的可移动排放喷嘴。
用于去除光致抗蚀剂处理工具

[发明专利]蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物-CN03819178.4无效
发明人： Y·K·泰勒;W·阮;C·G·N·李 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了一种蚀刻其上具有光致抗蚀剂材料图形的晶片的方法。该方法包括以含溴的等离子体硬化光致抗蚀剂材料。然后进行晶片的主蚀刻。还公开了一种用于硬化晶片上的光致抗蚀剂材料的图形的方法。该硬化方法包括提供含溴的等离子体并将光致抗蚀剂材料暴露在等离子体中，使得光致抗蚀剂材料下面的晶片的层不被蚀穿。在高密度等离子体处理装置中用于硬化晶片上的光致抗蚀剂材料的等离子体组合物包括溴。
蚀刻工艺用于硬化光致抗蚀剂方法组合

[发明专利]制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法-CN202110331803.5在审
发明人：赖韦翰;杨立柏;张尚文;张庆裕;林子扬;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法。制造半导体器件包括形成光致抗蚀剂层。将光致抗蚀剂层选择性暴露到光化辐射并显影以形成图案。光致抗蚀剂组合物包含：含碘敏化剂、光活性化合物和聚合物。含碘敏化剂包括铵、鏻或杂环铵碘化物，
制造半导体器件光致抗蚀剂组合方法

[发明专利]光刻方法-CN201510996538.7有效
发明人： P·D·休斯塔德;J·K·朴 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：所述方法包含：(a)提供包含待蚀刻的有机层的半导体衬底；(b)将光致抗蚀剂组合物层直接涂覆在所述有机层上，其中所述光致抗蚀剂组合物包含：包含酸可裂解离去基的树脂，其裂解形成酸基和/或醇基；光酸产生剂；以及溶剂；(c)使所述光致抗蚀剂层曝露于活化辐射；(d)加热所述光致抗蚀剂层，从而形成所述酸基和/或所述醇基；(e)将所述曝露的光致抗蚀剂组合物层用有机溶剂显影剂显影以形成抗蚀剂图案；(f)涂覆含硅组合物，其中所述组合物包含含硅聚合物和溶剂并且不含交联剂；(g)从所述衬底冲洗残余含硅组合物，将所述含硅聚合物的一部分留在所述抗蚀剂图案的表面上；以及(h)选择性蚀刻所述有机层。
光刻方法

[发明专利]形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202011627531.5在审
发明人：苏煜中;葛宗翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种形成光致抗蚀剂图案的方法，包括在形成于衬底上的光致抗蚀剂层上方形成保护层。所述保护层和所述光致抗蚀剂层被选择性地曝露于光化辐射。所述光致抗蚀剂层被显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述保护层包含没有含氮部分的聚合物和碱性淬灭剂、有机酸、光酸产生剂或热酸产生剂。
形成光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]用于反向图案化的方法和材料-CN201080022145.1无效
发明人： M·L·布拉德福德;E·S·梅尔;S·王 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：硅倍半氧烷树脂被施用于图案化光致抗蚀剂之上并被固化，以在图案表面之上产生固化的硅倍半氧烷树脂。随后，含CF4的反应离子蚀刻配方以将硅树脂“反蚀刻”到光致抗蚀剂材料之上，暴露出基于有机的光致抗蚀剂的整个上表面。接着，含O2的第二反应离子蚀刻配方蚀刻掉有机光致抗蚀剂。得到具有被图案化到光致抗蚀剂中的柱的尺寸和形状的通孔的硅树脂膜。任选地，可将新的图案转印到下层中。
用于反向图案方法材料

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法-CN02145838.3有效
发明人：李有京;姜圣哲;周振豪;李东基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-10-15 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G03F7/008 文献下载
摘要：本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，约5－100重量份的1，2－醌二叠氮化合物，约2－35重量份的含氮交联剂，约0.1－10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]用于反向图案化的方法和材料-CN201080022154.0有效
发明人： M·L·布拉德福德;E·S·梅尔;竹内香须美;S·王;C·耶克尔 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C08G77/18 文献下载
摘要：将硅倍半氧烷树脂施用于图案化光致抗蚀剂之上并固化，以在图案表面之上产生固化的硅倍半氧烷树脂。随后，使用碱性水溶液汽提剂或含CF4的反应离子蚀刻配方以将硅树脂“反蚀刻”到光致抗蚀剂材料之上，暴露光致抗蚀剂的整个上表面。接着，含O2的第二反应离子蚀刻配方蚀刻掉光致抗蚀剂。得到具有被图案化到光致抗蚀剂中的柱的尺寸和形状的通孔的硅树脂膜。任选地，可将新的图案转印到下层中。
用于反向图案方法材料

[发明专利]多层光致抗蚀剂系统-CN200310124967.2无效
发明人：乔治·G.·巴克利;詹姆斯·F.·卡梅伦 -专利权人：希普雷公司
申请日： 2003-11-20 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供多层光致抗蚀剂系统。在特别的方面，本发明涉及其上涂有光致抗蚀剂的底层组合物，特别是其上涂有在短曝光波长下成像的含硅光致抗蚀剂的底层组合物。
多层光致抗蚀剂系统

[发明专利]抗蚀剂图案形成方法-CN201110008725.1有效
发明人：中川大树;中岛浩光;若松刚史;原田健太郎;西村幸生;盐谷健夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供：抗蚀剂图案形成方法，包括以下步骤：使用包含含氟聚合物作为光致抗蚀剂用添加剂的感放射线性树脂组合物形成光致抗蚀剂被膜的步骤，其中，所述含氟聚合物采用凝胶渗透色谱法测定的重均分子量为1000～50000，在形成上述光致抗蚀剂被膜时与水的后退接触角为70度以上；将波长193nm处的折射率比空气的折射率大的液浸曝光用液体介于透镜与光致抗蚀剂被膜之间并对其进行放射线照射的步骤；以及现影上述曝光的光致抗蚀剂被膜的步骤
抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法-CN201480004032.7有效
发明人：李佑然;郑大哲;李东勋;朴泰文 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物和一种使用其剥离光致抗蚀剂的方法，其中所述用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物在移除和剥离光致抗蚀剂中表现出优异的性能，并可有效地抑制污点在含铜下膜等上的产生和残留用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物包含至少一种胺化合物；极性有机溶剂；亚烷基二醇系溶剂；和腐蚀抑制剂。
用于光致抗蚀剂剥离组合使用方法

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