专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3028504个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]炉缸侧壁内衬-CN201220214932.2有效
  • 徐瑞图;何汝生 - 明光瑞尔非金属材料有限公司
  • 2012-05-14 - 2012-12-12 - C21B7/06
  • 本实用新型的炉缸侧壁内衬,包括材料衬体和Al2O3耐材衬体,其特征在于:材料衬体与Al2O3耐材衬体之间设有隔热。优选地,所述材料衬体与Al2O3耐材衬体之间全部或部分设有隔热(3)。隔热为单层或多层。所述隔热每层厚度为5mm — 50mm。所述隔热由陶瓷纤维板、陶瓷纤维毡或陶瓷纤维毯构成。所述隔热的导热系数不高于所述Al2O3耐材衬体的导热系数。
  • 侧壁内衬
  • [发明专利]一种硅基复合负极材料及其制备方法和储能器件-CN201711038683.X有效
  • 苏航;李阳兴;刘辰光;王平华 - 华为技术有限公司
  • 2017-10-30 - 2021-10-15 - H01M4/36
  • 本发明实施例提供了一种用于制造终端或者电动车储能电池的硅基复合负极材料,包括硅基材料内核以及形成在所述硅基材料内核表面的包覆层,所述包覆层包括快离子导体以及材料,所述材料形成于所述快离子导体表面,所述快离子导体形成于所述硅基材料内核表面并位于所述硅基材料内核以及所述材料之间,以将所述硅基材料内核与所述材料分隔开。所述硅基复合负极材料具有高容量、高导电导离子性、高结构稳定性,能够自保护以防止硅基材料内核受到HF的腐蚀,且能够在电池首次充电过程中原位生成LiF,具有良好的循环稳定性能。
  • 一种复合负极材料及其制备方法器件
  • [发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法以及光掩模-CN202011339150.7在审
  • 松桥直树 - 信越化学工业株式会社
  • 2020-11-25 - 2021-06-08 - G03F1/22
  • 发明涉及的光掩模板包括:基板;被加工膜;以及由含有铬的材料构成的膜,该膜从远离基板的一侧起具有第1、第2、第3以及第4。第1的铬含有率为40原子%以下(),氧含有率为38原子%以上(),氮含有率为22原子%以下(),且厚度为6nm以下()。第2的铬含有率为38原子%以下(),氧含有率为30原子%以上(),氮含有量为18原子%以下(),为14原子%以下(),且膜厚为22nm以上()且32nm以下()。第3的铬含有率为50原子%以下(),氧含有率为30原子%以下(),氮含有量为20原子%以上(),且膜厚为6nm以下()。第4的铬含有率为44原子%以下(),氧含有率为20原子%以上(),氮含有量为20原子%以下(),为16原子%以下(),且膜厚为13nm以上()。
  • 光掩模坯料制造方法以及
  • [发明专利]一种通过两次图案化制做磁性隧道结阵列的方法-CN201611131067.4有效
  • 张云森;麻榆阳;肖荣福 - 上海磁宇信息科技有限公司
  • 2016-12-09 - 2022-02-01 - H01L43/12
  • 一种通过两次图案化制做磁性隧道结阵列的方法,包括:在底电极基底上依次形成磁性隧道结多层膜、硬掩模膜和牺牲掩模膜;形成图膜、无机抗反射和光刻胶,用光刻工艺图形化定义形成第一图案;等离子预处理第一图案光刻胶;采用反应离子刻蚀工艺把第一图案图形转移到硬掩模;除去残留的图膜和聚合物;再次形成图膜、无机抗反射和光刻胶,用光刻工艺图形化定义形成第二图案;等离子体预处理第二图案光刻胶;采用反应离子刻蚀工艺把第二图案转移到硬掩模膜,在第一图案和第二图案的交叉处,最终形成图形化定义的硬掩模;除去残留的图膜和聚合物;对磁性隧道结多层膜进行刻蚀。
  • 一种通过两次图案制做磁性隧道阵列方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top