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[发明专利]直接熔炼方法-CN99810230.X无效
发明人：卡罗琳·A·麦卡锡;罗德尼·J·德赖;塔拉·E·戈兹沃西 -专利权人：技术资源有限公司
申请日： 1999-09-03 - 公布日： 2001-09-26 - 主分类号： C21B11/00 文献下载
摘要：一种自含金属的供给材料生产金属的直接熔炼法,其以熔融金属池为基础,熔炼主要发生在金属层,载气/含金属供给材料/固体含碳材料通过喷枪/喷嘴喷射进入金属层,含氧气体被喷射进入熔池上方的顶部空间,后燃烧由熔池释放出的反应气体,含金属供给材料和固体含碳材料的喷射使得熔融材料被喷射出,形成过渡区。
直接熔炼方法

[发明专利]使用碳化硅基层形成的二色性滤光镜-CN200880018966.0无效
发明人： L·M·扎博夫;V·A·沙玛米安;J·A·塞弗尔利;S·V·珀兹 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：该方法包括与基底相邻地沉积多个成对层。多个成对层中的每一对包括由具有第一折射指数的含硅和碳的材料形成的第一层和由具有不同于第一折射指数的第二折射指数的含硅和碳的材料形成的第二层。
使用碳化硅基层形成二色性滤光

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201811365851.0在审
发明人：涂官瑶;彭羽筠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：上述方法也包括：使用一原子层沉积工艺，在上述栅极堆叠的一侧壁上，形成一密封层。上述原子层沉积工艺包括：交互并依序将一第一含硅前体气体与一第二含硅前体气体引至上述栅极堆叠的上述侧壁上，以形成上述密封层。上述第二含硅前体气体具有的碳的原子浓度与上述第一含硅前体气体的碳的原子浓度不同。上述方法还包括：局部移除上述密封层，以在上述栅极堆叠的上述侧壁上形成一密封元件。
含硅前体栅极堆叠密封层半导体装置结构原子层沉积工艺侧壁半导体基底密封元件移除

[发明专利]使用非碳可流动CVD处理形成氧化硅-CN201080040606.8无效
发明人： J·梁;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：揭示了一种形成氧化硅层的方法。该方法可包含下列步骤：混合一种无碳的含硅与氮前驱物及自由基前驱物，并沉积一种含硅与氮层于基材上。接着将含硅与氮层转变为氧化硅层。
使用非碳可流动 cvd 处理形成氧化

[发明专利]负极活性材料及其制备方法、二次电池和用电设备-CN202310190996.6在审
发明人：陈鹏;张子栋;褚春波 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供的负极活性材料包括至少部分表面设置碳层的硅基材料和设置在所述碳层表面的含有氮元素的含钛化合物层，含有氮元素的含钛化合物层使所述负极活性材料在电导率和锂离子传输速度上相比纯含钛化合物更有优势，进而使采用该负极活性材料的锂离子电池具有较好的电化学性能
负极活性材料及其制备方法二次电池用电设备

[发明专利]硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺-CN202180080877.4在审
发明人：许瑞元;K·尼塔拉;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理气体进入PECVD腔室内的处理空间中，处理气体包括含碳气体。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。
通过等离子体增强化学沉积形成工艺

[发明专利]一种碳包裹金属氟化物及其制备方法和应用-CN201910809660.7在审
发明人：柳永宁;邹坤洋;陈元振;戴欣;井伟涛;薛通 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳包裹金属氟化物及其制备方法和应用，包括以下步骤：(1)将含氟有机物溶解于有机溶剂中，获得含氟有机物溶液A；(2)将金属氧化物分散于含氟有机物溶液A中，获得悬浊液B；(3)将悬浊液B过滤，取滤物加热烘干干燥后，获得含氟有机物包裹的金属氧化物C；(4)将含氟有机物包裹的金属氧化物C，在保护气体氛围下，升温反应后，获得碳包裹金属氟化物。本发明的一种碳包裹金属氟化物的制备方法，按其制备过程利用含氟有机物和金属氧化物作为反应物，通过一步反应，实现金属氧化物向金属氟化物的转变，并在外部形成一层非晶碳层，制备工艺简单，制备过程不会引入和产生氟气
含氟有机物金属氧化物金属氟化物碳包裹制备过程悬浊液制备方法和应用保护气体非晶碳层加热烘干升温反应一步反应有机溶剂制备工艺反应物氟化氢氟气滤物制备过滤溶解引入外部

[发明专利]一种抗菌与生物相容性骨植入材料及其制备方法和应用-CN201910308750.8有效
发明人：张维;刘可;刘军 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： A61L27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗菌与生物相容性骨植入材料，包括骨植入材料以及形成于骨植入材料表面的复合抗菌层；所述复合抗菌层通过将含碳等离子体或含硅等离子体注入到骨植入材料表面层得到过渡层，再将含氮等离子体或含磷等离子体注入到过渡层得到；所述含碳等离子体、含硅等离子体、含氮等离子体和含磷等离子体中均不包含氢元素和氧元素；所述抗菌与生物相容性骨植入材料的相对表面电势为0.01～0.5V。
一种抗菌生物相容性植入材料及其制备方法应用

[发明专利]一种回收废旧含碳耐火制品制备抗水化含钙砂的方法-CN201510197712.1在审
发明人：曹大力 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：一种回收废旧含碳耐火制品制备抗水化含钙砂的方法，涉及一种利用制备处理废旧含碳不烧耐火制品及制备抗水化含钙砂的方法，所述的方法是一种回收废含碳耐火制品及制备抗水化的含钙砂方法，所述方法包括将含钙砂破碎成制备镁钙碳砖、白云石碳砖和氧化钙碳砖及浇注料等耐火制品所需的粒度后，与废旧的含碳耐火制品放置在一起，在500-700℃的条件下煅烧，去除废旧含碳耐火制品中的不定型碳，回收镁碳砖中的氧化镁和石墨，回收镁钙碳砖中的镁钙砂和石墨，并使含钙砂的表面覆盖一层薄的CaCO₃膜，起到含钙制品防水化的作用，制备出防水化性能良好的含钙砂。
一种回收废旧耐火制品制备水化含钙方法

[发明专利]一种防止预还原烧结矿过度熔化的方法-CN201210204235.3有效
发明人：张辉;周明顺;翟立委;刘杰 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C22B1/16 文献下载
摘要：本发明公开一种防止预还原烧结矿过度熔化的方法，其特点烧结布料时按上小下大不同粒度的三种含碳球团分上、中和下三层布置，上层占烧结料层总质量的45%~55%，中层占烧结料层总质量的25%~35%，下层占烧结料层总质量的15%~25%；含碳球团粒度范围为3mm~12mm，由铁料、含碳原料及粘结剂混合制成，布完料后进行预还原烧结，得到成品预还原烧结矿。本发明的优点及效果在于，分层布置不同含碳量和粒度的烧结球团，增加了烧结料层的透气性，提高了燃料的利用率和预还原烧结利用系数，改善了预还原烧结矿的质量。烧结料中下层采用大球团烧结，且球团中添加低温时反应性好而超过1300℃反应性降低的石油焦，防止烧结过程中料层过熔，提高预还原烧结矿的金属化率。
一种防止还原烧结过度熔化方法

[发明专利]碳包覆含硅球体及其制备方法和应用-CN202111187627.9有效
发明人：张艳芳 -专利权人：维达力实业（深圳）有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳包覆含硅球体及其制备方法和应用。制备方法包括：提供基材和具有微纳米尺寸的半球形结构的微纳纹理模板，球半径为R；在基材上施加转印胶，转印，固化，制备具有微纳米尺寸的半球形结构的第一中间体；在第一中间体上仿形沉积制备第一碳包覆层，厚度为S1；在第一碳包覆层上仿形沉积硅层，硅层的厚度≥(2R‑S1)；采用保护胶在硅层上制备表面为平面的保护胶层；采用蚀刻等离子源对保护胶层和硅层进行蚀刻，硅层的蚀刻厚度为2R，制备得到含硅球体；在含硅球体未被碳包覆层包覆的表面上沉积第二碳包覆层
碳包覆含硅球体及其制备方法应用

[实用新型]一种含多孔碳片的卷烟滤嘴-CN201220237353.X有效
发明人：于宏晓;赵砚棠;姜福东;朱战营;赵曰利 -专利权人：山东中烟工业有限责任公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： A24D3/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含多孔碳片的卷烟滤嘴，在卷烟滤嘴中设有至少一个多孔碳片过滤层，多孔碳片过滤层为夹有多孔碳片的圆片形。所述的多孔碳片，呈树叶状，边缘呈锯齿状；尺寸2±0.2μm，厚度150-180nm，孔径2-5nm，比表面积350-450m2/g。含多孔碳片的卷烟滤嘴能有效降低主流烟气中的邻苯二酚、间苯二酚、对苯二酚、苯酚、邻甲酚、间甲酚和对甲酚主要酚类有害成分，降低率达到50%以上，在卷烟烟气减害方面具有广阔的应用前景。
一种多孔卷烟

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201210119153.9在审
发明人：廖晋毅;简金城 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含一栅极结构、一外延层以及一含碳的硅锗盖层。栅极结构位于一基底上。外延层位于栅极结构侧边的基底中。含碳的硅锗盖层位于外延层上。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]负极材料及其制备方法、负极极片、电化学装置和电子装置-CN202180004431.3在审
发明人：陈志焕 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：提供了负极材料及其制备方法、负极极片、电化学装置和电子装置，该负极材料包括：芯，所述芯包括：多孔碳材料；含硅化合物Si‑M‑C，所述含硅化合物Si‑M‑C负载在所述多孔碳材料的孔中，其中，M为B、N、O、Al中的一种或多种；导电碳层，所述导电碳层位于所述芯的表面上。
负极材料及其制备方法电化学装置电子

[发明专利]一种锂离子电池硅碳负极极片-CN202010249176.6在审
发明人：崔日俊;李国敏 -专利权人：深圳格林德能源集团有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池硅碳负极极片，所述硅碳负极极片包括负极集流体和涂覆于所述集流体表面的膜层，所述的膜层至少含有两层负极活性物质层，所述的靠近集流体的膜层为含硅层，远离集流体的膜层为石墨层，所述的含硅层和石墨层均含活性材料
一种锂离子电池负极