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[发明专利]用于实现RPS净化的气体混合器-CN202180079522.3在审
发明人：阮芳;D·凯德拉亚;A·班塞尔;V·S·C·帕里米;R·纳拉亚南;B·N·拉马穆尔蒂;S·L·明斯;J·G·K·约瑟夫;R·乔德里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大体圆柱形的侧壁，所述大体圆柱形的侧壁限定以径向图案布置的上部多个孔隙。上部孔隙中的每一者与净化出口中的一者流体耦接。大体圆柱形的侧壁限定下部多个孔隙，所述下部多个孔隙以径向图案布置且在上部多个孔隙下方。下部孔隙中的每一者与沉积出口中的一者流体耦接。
用于实现 rps 净化气体混合器

[发明专利]用于斜面沉积减少的背侧气体泄漏-CN202180080507.0在审
发明人： V·S·C·帕里米;D·凯德拉亚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：示例性基板支撑组件包括限定基板平台的静电夹盘主体。基板平台由上表面表征。平台可限定净化孔。平台可包括设置在上表面的内部区域中的多个台面。每个台面可从上表面向上突出。平台可包括密封带，密封带从上表面以圆周图案向上延伸，并部分环绕上表面的内部区域。台面和密封带的顶表面可形成基板的支撑表面。密封带可限定多个间隙。组件可包括与静电夹盘主体耦接的支撑杆、嵌入静电夹盘主体内的加热器、和与支撑表面的净化孔耦接的背侧气源。
用于斜面沉积减少气体泄漏

[发明专利]处理腔室沉积限制-CN202180082431.5在审
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;S·河;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统可以包括腔室主体，该腔室主体包括侧壁和基部。该系统可包括延伸穿过腔室主体基部的基板支撑件。腔室主体可限定通路，该通路在该腔室主体的该基部处绕该基板支撑件周向地延伸。该系统可包括设置在腔室主体内的一个或多个隔离器。一个或多个隔离器可在一个或多个隔离器与腔室主体之间限定排放路径。排放路径可延伸到腔室主体的基部。该系统可包括流体源，该流体源在绕该基板支撑件延伸的该通路处与该腔室主体流体地耦接。
处理沉积限制

[发明专利]具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计-CN202310691393.4在审
发明人： A·A·哈贾;V·S·C·帕里米;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
具有改进电弧放电性能静电吸盘设计

[发明专利]具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计-CN201911214538.1有效
发明人： A·A·哈贾;V·S·C·帕里米;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计。本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
具有改进电弧放电性能静电吸盘设计

[发明专利]用于气体输送调节的腔室部件-CN202080085197.7在审
发明人：阮芳;D·凯德拉亚;T·V·恩古耶;M·童;S·L·明斯;V·S·C·帕里米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室可包括界定中心孔的入口歧管。入口歧管还可界定第一通道和第二通道，且通道中的每一个可延伸穿过中心孔的径向外侧的入口歧管。腔室还可包括气体箱，气体箱的特征在于面对入口歧管的第一表面和与第一表面相对的第二表面。气体箱可界定与入口歧管的中心孔对准的中心孔。气体箱可在第一表面中界定第一环形通道，第一环形通道围绕气体箱的中心孔延伸并且与入口歧管的第一通道流体耦接。气体箱可界定第二环形通道，第二环形通道从第一环形通道径向向外延伸并且与入口歧管的第二通道流体耦接。第二环形通道可与第一环形通道流体隔离。
用于气体输送调节部件

[发明专利]减少缺陷的沉积工艺-CN202080091198.2在审
发明人：闵笑全;B·I·宋;H·J·吴;V·S·C·帕里米;P·K·库尔施拉希萨;K·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。
减少缺陷沉积工艺

[发明专利]有针对性的加热控制系统-CN202080090318.7在审
发明人： V·S·C·帕里米;S·拉达克里什南;闵笑全;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·普拉巴卡尔;S·哈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和底座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括配置成支撑半导体基板的支撑台板。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽件。屏蔽件可包括穿过屏蔽件限定的多个孔口。基板支撑件可包括安置在屏蔽件的孔口中的块。
针对性加热控制系统

[发明专利]减少氢沉积工艺-CN202080088499.X在审
发明人：闵笑全;V·S·C·帕里米;P·K·库尔施拉希萨;K·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：半导体处理的示例性方法可包括用含氢前驱物处理基板的表面。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括使基板与含钨前驱物接触。方法可包括在基板上形成包括钨的起始层。方法可包括由含氢前驱物处理起始层。方法可包括形成含钨前驱物和含碳前驱物的等离子体。等离子体中的氢可限于含碳前驱物中包括的氢。方法可包括在起始层上形成含钨硬掩模层。
减少沉积工艺

[发明专利]用于改良基板处理的基板底座-CN202080038428.9在审
发明人： V·卡尔塞卡尔;V·K·普拉巴卡尔;V·S·C·帕里米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种基板底座，包括：导热基板支撑件，导热基板支撑件包括网格；导热杆，导热杆中包括多个导通棒，各个导通棒具有第一端及第二端；以及传感器。各个导通棒的第一端电气耦合至网格，且传感器布置于各个导通棒的第一端及第二端之间，且配置成检测流过各个导通棒的电流。
用于改良处理底座

[发明专利]静电吸附工艺-CN202080030601.0在审
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺气体导入工艺腔室；(3)从射频(RF)功率源施加功率至喷头；(4)在基板上执行处理；(5)停止施加RF功率；(6)从工艺腔室移除工艺气体；以及(7)停止施加DC功率。
静电吸附工艺

[发明专利]用于静电卡盘的方法及工具-CN202080011909.0在审
发明人：许璐;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;B·S·权;V·S·C·帕里米;K·D·李;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：此处所述的实施例涉及用于监控静电卡紧性能的方法及工具。性能测试仅需要一个翘曲的基板及一个参考基板来执行。为了运行测试，参考基板定位于工艺腔室中静电卡盘上，且翘曲的基板定位于参考基板上。电压从功率源施加至静电卡盘，产生静电卡紧力以将翘曲的基板紧固至参考基板。此后，渐进地减少施加的电压，直到静电卡紧力太弱而无法将翘曲的基板维持在平坦的形式，导致翘曲的晶片解卡紧。通过使用传感器在沉积期间监控腔室的阻抗，可识别解卡紧的阈值电压，在此处参考基板的阻抗和翘曲的基板的阻抗偏移。
用于静电卡盘方法工具

[实用新型]衬底支撑件-CN202021336306.1有效
发明人： A·A·哈贾;V·S·C·帕里米;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
衬底支撑

[发明专利]用来实现高温清洁以供快速处理晶片的技术-CN201980033690.1在审
发明人： V·S·C·帕里米;蒋志钧;G·巴拉苏布拉马尼恩;V·B·沙赫;S·斯里瓦斯塔瓦;A·K·班塞尔;韩新海;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总的来说提供改进的方法，所述方法用于清洁真空腔室以在腔室陈化工艺之前从真空腔室移除吸附的污染物，同时将所述腔室维持在所期望的沉积处理温度下。所述污染物可由清洁气体与腔室部件以及真空腔室的壁反应而形成。
用来实现高温清洁快速处理晶片技术

[实用新型]衬底处理腔室及用于在其中设置的底座-CN202020083218.9有效
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;K·D·李;S·河;J·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
衬底处理用于其中设置底座

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