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[发明专利]碳包覆铝材及其制造方法-CN200980118418.X有效
发明人：井上英俊;中山邦彦;足高善也 -专利权人：东洋铝株式会社
申请日： 2009-01-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C23C24/08 文献下载
摘要：本发明提供可以改善含碳层与铝材的密接性和含碳层所含的含碳粒子彼此间的密接性的碳包覆铝材及其制造方法。碳包覆铝材具备：铝箔(1)；在铝箔(1)的表面上形成的含碳层(2)；以及在铝箔(1)与含碳层(2)之间且在铝箔(1)表面的至少一部分区域形成的、含有铝的碳化物的中间层(3)。含碳层(2)含有多个含碳粒子(22)，且在含碳粒子(22)的表面形成有机物层(23)。在含碳粒子(22)的表面形成树脂层，使形成了树脂层的树脂包覆含碳粒子附着于铝箔(1)的表面，并将铝箔(1)与树脂包覆含碳粒子置于含有含烃物质的空间内进行加热。
碳包覆铝材及其制造方法

[发明专利]开口的形成方法-CN201210253893.1有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种开口的形成方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成含碳介质层，且所述含碳介质层为低k材料或超低k材料；采用沉积的方法在所述含碳介质层上形成硬掩膜层，沉积时所述含碳介质层与硬掩膜层的接触处的碳被损耗；在所述硬掩膜层中形成开口图形，所述开口图形底部露出所述含碳介质层；采用含碳气体束离子轰击所述开口图形的侧壁和底部形成的夹角处，以对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充；对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充后，以所述形成开口图形的硬掩膜层为掩膜，对所述含碳介质层进行刻蚀形成开口。
开口形成方法

[实用新型]一种含碳飞灰循环气化的装置-CN201920100407.X有效
发明人：张连华;陈柏金;陈刚;杨监峰;孙鑫 -专利权人：中聚信海洋工程装备有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C10J3/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种含碳飞灰循环气化的装置，包含气化炉、含碳飞灰送入组件和含碳飞灰喷出组件。气化炉包含：炉腔、布风体、渣盘，气化炉内煤层下层为渣层、中层为燃烧层、上层为气化层；含碳飞灰送入组件包含：含碳飞灰输送管道，其穿过布风体；含碳飞灰喷出组件包含：含碳飞灰喷出罩，含碳飞灰喷出罩与含碳飞灰输送管道之间设置隔层空间；含碳飞灰喷出罩的侧壁上设有喷出孔，喷出孔穿透含碳飞灰喷出罩侧壁，含碳飞灰输送管道套置于含碳飞灰喷出罩内，含碳飞灰输送管道与隔层空间相连通，含碳飞灰依序从含碳飞灰输送管道、隔层空间、喷出孔进入燃烧层内。本实用新型的有益效果是：提高碳的转化率、消除飞灰污染，保护环境、降低企业运行成本。
飞灰喷出飞灰输送管道隔层空间喷出孔气化炉本实用新型飞灰循环送入组件气化的燃烧层布风侧壁运行成本气化层炉腔渣层渣盘煤层下层穿透上层中层穿过污染

[发明专利]电阻式传感器及其制造方法、显示屏及触摸屏-CN201910146982.8有效
发明人：翟峰;贾松霖;李旭娜;杨小龙;邢汝博 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种电阻式传感器及其制造方法、显示屏及触摸屏，电阻式传感器包括衬底层、至少两层可拉伸银导体层及可拉伸含碳层，每相邻两层可拉伸银导体层之间设置有可拉伸含碳层，衬底层包覆可拉伸银导体层及可拉伸含碳层在本发明的电阻式传感器中，由可拉伸银导体层作为导电层，可拉伸含碳层作为电阻层，可拉伸银导体层和可拉伸含碳层具有良好可拉伸、压缩及形变恢复性能，能够有效提高电阻式传感器的形变及形变恢复性能，使得电阻式传感器可应用于可拉伸或压缩等场景中可拉伸含碳层可被拉伸设置，且当可拉伸含碳层受力拉伸时，可拉伸含碳层的电阻阻值改变，通过测量可拉伸含碳层的电阻值可以确定电阻的拉伸变形量。
电阻传感器及其制造方法显示屏触摸屏

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201510005138.5在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成含碳的过渡层；采用含碳的反应气体在过渡层上沉积含碳量高于过渡层的粘附层，使沉积的粘附层的含碳量从靠近衬底的部分至远离衬底的部分逐渐增大；在粘附层上形成含碳量高于粘附层的第一介质层。互连结构包括：衬底、过渡层；设于过渡层上且含碳量高于过渡层的粘附层，粘附层的含碳量从靠近衬底的部分至远离衬底的部分逐渐增大；第一介质层，第一介质层的含碳量高于粘附层。本发明的有益效果在于：第一介质层能够通过粘附层实现与过渡层之间较好的粘附性，进而不容易在第一介质层中产生裂纹，这样互连结构的性能不容易因层间介质层产生裂纹而受到影响。
互连结构及其形成方法

[发明专利]类钻碳膜及其制作方法-CN201010600156.5有效
发明人：黄家宏;林昭宪;吴政谚;高于迦 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种类钻碳膜，包含：一类钻碳附着层设于一基材及一类钻碳强化层设于该类钻碳附着层的表面；其中，该类钻碳附着层的石墨结构所占的比例高于该类钻碳强化层的石墨结构所占的比例。该类钻碳膜的制作方法是包含：将一基板置于一反应腔体中；将一含碳气体通入该反应腔体中，并以一离子源提供该含碳气体701～3000eV的解离能量，使该含碳气体于该基板的表面沉积形成一类钻碳附着层；以该离子源提供该含碳气体100～700eV的解离能量，使该含碳气体于该类钻碳附着层沉积形成一类钻碳强化层。本发明通过高能量离子源提供高解离能量使该含碳气体解离，而形成高附着性及高硬度的类钻碳膜，无须掺杂或中介层等方式便可提升类钻碳膜的附着性。
类钻碳膜及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210275753.8在审
发明人：潘昇良;陈泳字;李中傑;徐永昌;洪嘉阳;王柏荃;陈冠亘;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法，制造方法包含形成栅极结构于半导体基板上；沉积含碳密封层于栅极结构之上；沉积含氮密封层于含碳密封层之上；引入含氧前驱物于含氮密封层上；加热基板使含氧前驱物解离成氧自由基，以将氧自由基掺杂至含氮密封层中；于加热基板后，蚀刻含氮密封层及含碳密封层，使得含氮密封层及含碳密封层的剩余物留在栅极结构的侧壁上作为栅极间隙壁。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]机械部件-CN201980041433.2有效
发明人：佐藤健介;山本幸治;平塚悠辅;桥本和弥 -专利权人：株式会社小松制作所
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明的机械部件具备：由机械结构用钢制成的芯部、以及由该机械结构用钢形成的中含碳层和高含碳层，所述中含碳层覆盖该芯部，所述高含碳层覆盖该中含碳层且具有0.8～1.5％的碳浓度。该高含碳层包含分散有碳化物的马氏体组织及残留奥氏体组织，长径比为1.5以下的球状化碳化物为该碳化物的总数的90％以上，原奥氏体晶界上的球状化碳化物的个数为该碳化物的总数的40％以下。
机械部件

[发明专利]形成含碳外延硅层的方法-CN201410226203.2在审
发明人： Y·金;Z·叶;A·佐嘉吉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：在第一方面中，提供一种在基材上形成外延层叠层的方法。此方法包含：(1)选择所述外延层叠层的目标碳浓度；(2)在所述基材上形成含碳硅层，所述含碳硅层所具有的初始碳浓度、厚度以及沉积时间中的至少之一依据所选择的目标碳浓度进行选择；以及(3)在蚀刻前，在所述含碳硅层上形成非含碳硅层
形成外延方法

[实用新型]一种复合滑板-CN201720211575.7有效
发明人：王富成;魏国平;牛智旺;吴斌;沈明科;何波;尚俊利 -专利权人：浙江自立高温科技有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B22D41/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种复合滑板，一种复合滑板，包括上滑板、下滑板，上滑板和下滑板有贯穿的通孔，上滑板由上无碳耐火材料层和下含碳耐火材料层组成，下滑板由上含碳耐火材料层和下无碳耐火材料层组成，所述下含碳耐火材料层和上含碳耐火材料层层面滑动接触该复合滑板采用无碳耐火材料层和含碳耐火材料层复合而成，结合效果良好，体积稳定性明显提高，有效降低了连铸浇钢过程中出现夹钢，漏钢的风险。
一种复合滑板

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201080042659.3有效
发明人：杉本雅裕;関章宪;川桥宪;高桥康夫;前田将克 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该制造方法具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。在含钛层和氮化物半导体层之间形成TiN和TiC的无限固溶体Ti(C，N)的层。由此，含钛层在其边界部整体上相对于氮化物半导体层被欧姆接触。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610919656.2在审
发明人：郑二虎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成含碳转移层以及位于所述含碳转移层之上的图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜分多步蚀刻所述含碳转移层，直到达到设定蚀刻深度为止，其中，在每步蚀刻中包括下述步骤以所述图形化的掩膜层为掩膜蚀刻所述含碳转移层一定深度；去除所述含碳转移层侧壁上的应力层；在所述含碳转移层侧壁上形成第一侧壁保护层。该制作方法可以改善含碳转移层的颈缩剖面线扭曲问题，进而改善关键尺寸缩小能力和线宽粗糙度。该半导体器件和电子装置由于上述制作方法使关键尺寸缩小能力和性能提高。
半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]形成含碳外延硅层的方法-CN200780028487.2无效
发明人： Y·金;Z·叶;A·佐嘉吉 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：于第一方面中，提供一种在基材上形成外延层堆栈的方法。此方法包含：(1)选择该外延层堆栈的一标的碳浓度；(2)在该基材上形成一含碳硅层，并依据所选择的该标的碳浓度，选择该含碳硅层所具有的一初始碳浓度、一厚度以及一沉积时间中的至少一者；以及(3)在蚀刻前，在该含碳硅层上形成一非含碳硅层
形成外延方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410195991.3有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成含碳介质层；在所述含碳介质层表面形成富碳保护层，且所述富碳保护层材料中碳原子浓度大于含碳介质层材料中碳原子浓度；在所述富碳保护层表面形成图形化的硬掩膜层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀富碳保护层以及含碳介质层形成开口，所述开口底部暴露出衬底表面；形成填充满所述开口的金属层。本发明避免了底切现象的产生，提高形成的金属层的质量，进而优化半导体结构的性能。
碳保护层半导体结构开口衬底表面硬掩膜层介质层金属层碳原子表面形成图形介质层表面介质层材料图形化衬底底切刻蚀掩膜暴露优化

[发明专利]键帽结构及其制造方法-CN202110863192.9在审
发明人：张胜帆;蔡磊龙;潘锦松;沈昌焕 -专利权人：致伸科技股份有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01H13/83 文献下载
摘要：一种键帽结构，包括键帽、第一材料图案层及含类钻石碳图案层。第一材料图案层设置在键帽上方，其中第一材料图案层具有第一开口贯穿第一材料图案层。含类钻石碳图案层设置在第一材料图案层上方，其中含类钻石碳图案层具有第二开口贯穿含类钻石碳图案层，第二开口大致对准第一开口。
结构及其制造方法

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