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[发明专利]含碳耐火材料的抗氧化剂-CN99107800.4无效
发明人：田守信;刘山林 -专利权人：宝山钢铁(集团)公司
申请日： 1999-05-31 - 公布日： 1999-12-08 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种含碳耐火材料的抗氧化剂，由0.15～10%(重量)的锌粉或锌粉和铝、镁、硅、硅钙粉、碳化硅、碳化硼、镁铝合金粉、氮化硅粉中的至少一种组成，其中锌粉≥0.15%，粒度小于0.5mm。该抗氧化剂能有效抑制氧化脱碳层的形成，可以提高镁碳砖等耐火材料的抗氧化性，使含碳耐火材料的氧化速度降低到原来的20%以下，基本消除烘烤时造成的脱碳层，显著提高冶金炉衬的使用寿命，减少耐火材料损耗和降低炼钢和含碳耐火材料的成本
耐火材料抗氧化剂

[发明专利]半固化片及其制品-CN202210137166.2在审
发明人：张书豪 -专利权人：台光电子材料股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半固化片，所述半固化片包括石英不织布与树脂组合物，所述树脂组合物包括：(A)40重量份至115重量份的含不饱和碳碳双键的树脂；以及(B)30重量份至120重量份的球型二氧化硅，其中，所述含不饱和碳碳双键的树脂包括50重量份至100重量份含乙烯基聚苯醚树脂或5重量份至40重量份的含乙烯基聚烯烃或其组合，且所述含不饱和碳碳双键的树脂中，含乙烯基聚苯醚树脂及含乙烯基聚烯烃的总重量份介于40重量份至115重量份之间。此外，本发明还公开一种由前述半固化片制成的制品，所述制品包括积层板或印刷电路板。
固化及其制品

[发明专利]二次电池用负极和二次电池-CN202180064759.4在审
发明人：佐佐达郎;黑田雄太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：一种二次电池用负极，其具备负极复合材料层，该负极复合材料层具有：包含石墨颗粒及含Si材料的负极活性物质、和粘结材料，所述含Si材料包含含Si材料A，该含Si材料A具有：碳相、和分散于所述碳相内的硅颗粒，在厚度方向上将负极复合材料层2等分时的上半部分的区域中所含的所述石墨颗粒的颗粒内部空隙率的平均值为13％以下，比下半部分的区域中所含的所述石墨颗粒的颗粒内部空隙率的平均值小。
二次电池负极

[发明专利]一种双包覆型正极材料及其制备方法和应用-CN202211635419.5在审
发明人：余海军;李长东;谢英豪;李爱霞 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明提供一种双包覆型正极材料及其制备方法和应用，所述双包覆型正极材料包括含锰正极材料内核，以及依次包覆在所述内核表面的第一壳层和第二壳层；所述第一壳层为硼包覆层，所述第二壳层为碳包覆层。本发明以含锰正极材料为内核，以包覆在内核表面的硼包覆层为第一壳层，以包覆在第一壳层表面的碳包覆层为第二壳层，以此形成了双包覆型正极材料。硼包覆层作为第一壳层，不仅可以提高正极材料的导电性能和结构稳定性，而且在硼包覆层的作用下，碳包覆层和含锰正极材料内核之间的相互作用得到增强，使得碳包覆层实现均匀包覆，有效提高了双包覆型正极材料的导电性能
一种双包覆型正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种等离子体联合过氧化氢的三元电池正极材料的制备方法-CN202210152753.9有效
发明人：请求不公布姓名;张荣芝;徐杰 -专利权人：上海鎏明科技有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及电池正极材料技术领域，且公开了一种等离子体联合过氧化氢的三元电池正极材料，2,7‑二炔基吡啶芴化合物经过超交联反应，在镍钴锰酸锂表面生成一种新型的含吡啶结构单元的超交联聚合物，经过高温碳化，超交联聚合物碳化形成碳层，吡啶结构单元热解形成活性的吡啶氮官能团，对碳层的导电性和有很大的提高，可以促进电子和离子的传递，并且吡啶氮官能团可以提高实际比容量，然后氮掺杂碳层经过氨气等离子体改性和过氧化氢氧化处理，在碳层表面形成含氮官能团和含氧官能团，可以提高碳层表面的导电性和亲水性，增强碳层在电解液中的浸润性，从而提高离子等物质在碳层表面的传质过程。
一种等离子体联合过氧化氢三元电池正极材料制备方法

[发明专利]集成电路器件-CN202110273389.7在审
发明人：洪智硕;李相昊;朴瑞龙;安志荣;李基硕;李基硕;崔允荣;韩昇煜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种集成电路器件，包括：衬底，包括多个有源区；位线，在衬底上沿水平方向延伸；直接接触部，连接在从多个有源区中选择的第一有源区与所述位线之间；内部氧化物层，接触直接接触部的侧壁；以及含碳氧化物层，在所述位线的侧壁上沿竖直方向非线性地延伸，含碳氧化物层接触所述位线的侧壁。
集成电路器件

[发明专利]一种基于遗传模拟退火参数优化的飞灰含碳量预测方法-CN202211709674.X在审
发明人：王耀和;冯旭刚;张林 -专利权人：铜陵有色金属集团股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及工业测量技术领域，具体为一种基于遗传模拟退火参数优化的飞灰含碳量预测方法，包括如下步骤，S1：从数据库中提取飞灰含碳量的历史数据，并划分训练集和测试集；S2：将训练集中对应飞灰含碳量历史数据的影响参数作为输入变量，构建三层BP神经网络建立飞灰含碳量预测模型；S3：对BP神经网络进行初始化；S4：采用误差梯度下降法更新BP神经网络的权值和阈值，得到飞灰含碳量预测值。本发明通过从历史数据库中获得影响因素的长期历史数据，采用主元分析法去掉冗余的相关变量和对飞灰含碳量贡献率低的变量，筛选出飞灰含碳量软测量模型的输入变量；改进了遗传模拟退火，有效地抑制了遗传算法过早收敛，
一种基于遗传模拟退火参数优化飞灰含碳量预测方法

[发明专利]一种Si@C@MOFs复合材料及其制备方法、负极材料、负极极片和锂电池-CN202310341678.5在审
发明人：闫泽;邱强 -专利权人：重庆太蓝新能源有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明通过在硅类化合物表面包覆含碳材料层，并在含碳材料层表面包覆一层MOFs材料，从而有利地抑制了硅的体积膨胀。另外，含碳材料提供了良好的导电性，外层MOFs材料发挥框架稳定优势，从而使纳米硅充分发挥容量优势。
一种 si mofs 复合材料及其制备方法负极材料锂电池

[发明专利]一种含碳液体和含碳气体地下共固化方法及系统-CN202310696925.3在审
发明人：汪一;熊依旻;汪雪棚;邓伟;申启慧;向军;胡松;苏胜;江龙;徐俊;许凯 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： E21F17/16 文献下载
摘要：本发明属于碳减排和碳封存领域，并具体公开了一种含碳液体和含碳气体地下共固化方法及系统，其基于实际地质条件和预设反应物类型及配比，预测待封存含碳液体和含碳气体共固化反应时含碳气体理论每小时转化率和含碳液体理论每小时固化率，进而确定含碳液体和含碳气体的注入方式：若含碳气体理论每小时转化率大于10％，则同时注入含碳液体和含碳气体；否则先注入含碳液体，当理论含碳液体固化程度大于80％后，注入含碳气体，实现含碳气体和含碳液体地下共固化本发明利用含碳液体和含碳气体之间的反应，针对性选择地下共固化方法，大幅提升地下固碳效率，可实现来源广泛的含碳液体和含碳气体共固化，实现地下大规模固碳。
一种液体气体地下固化方法系统

[发明专利]防硫化腐蚀方法、耐硫化腐蚀性高温部件以及导热管的修补方法-CN200880009043.9有效
发明人：河瀬诚;森永雅彦 -专利权人：财团法人电力中央研究所
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及保护基材不受硫化腐蚀的防硫化腐蚀方法、具有优异的耐硫化腐蚀性的耐硫化腐蚀性高温部件以及发生了龟裂的导热管的修补方法；通过在基材的表面上形成硅氧化物层，在硅氧化物层上涂布含有钛金属或钛化合物的含钛涂布液，加热氧化以形成第1钛氧化物层，在第1钛氧化物层上形成碳层，在碳层上涂布含钛涂布液，加热使其氧化以形成第2钛氧化物层，利用硅氧化物层、第1钛氧化物层、碳层和第2钛氧化物层保护或修补基材。
硫化腐蚀方法腐蚀性高温部件以及导热修补

[发明专利]增强型多元复合导电体系的智能温伴热电缆-CN201410053995.8无效
发明人：李松平;郑根;何永峰;陈莉 -专利权人：四川兴川泰线缆有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H05B3/56 文献下载
摘要：增强型多元复合导电体系的智能温伴热电缆，包括电极(1)、PTC材料(2)，绝缘层(3)、金属屏蔽层(4)和护套层(5)，其特征在于，所述金属屏蔽层(4)和护套层(5)之间设有增强层(6)，所述PTC材料(2)由含氟聚合物、含乙烯聚合物、金属氧化物分散体、硅烷、导电剂、阻燃剂、抗氧剂构成，其中：含氟聚合物为55%~70%、含乙烯聚合物为10%~20%、金属氧化物分散体为3%~8%、硅烷为4%~7%、导电剂为所述增强层(6)为含氟材料。所述含氟聚合物为含偏二氟乙烯聚合物。所述含乙烯聚合物为线性低密度聚乙烯、氯化聚乙烯中的一种或两种。所述导电剂为炉法碳墨或乙炔碳墨。
增强多元复合导电体系智能温伴热电缆

[发明专利]金属联机结构及其制造方法-CN200410049682.1无效
发明人：余振华;施足;刘重希;郑双铭;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种利用含硅－碳薄膜作为介电层的中间层的钨－铜内联机结构。在具有导电区的半导体基底上，先覆盖一绝缘层。该绝缘层上具有开口以露出该导电区。以钨插塞填充该介层洞以电性连结该导电区。该绝缘层与钨插塞上覆盖含硅－碳薄膜以及低介电常数介电层，其上有沟槽露出其下的钨插塞，而沟槽中则填充铜或铜合金层形成导线。
金属联机结构及其制造方法

[实用新型]金属联机结构-CN200420066219.3无效
发明人：余振华;施足;刘重希;郑双铭;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种利用含硅－碳薄膜作为介电层的中间层的钨－铜内联机结构。在具有导电区的半导体基底上，先覆盖一绝缘层。该绝缘层上具有开口以露出该导电区。以钨插塞填充该介层洞以电性连结该导电区。该绝缘层与钨插塞上覆盖含硅－碳薄膜以及低介电常数介电层，其上有沟槽露出其下的钨插塞，而沟槽中则填充铜或铜合金层形成导线。
金属联机结构

[发明专利]切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN202210534982.7在审
发明人：福井章洋;杉村敏正;角野雅俊;大西谦司;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：该切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；及重叠于该切割带的芯片接合片，该粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，该丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，该丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳‑碳双键，丙烯酸类共聚物中，相对于该(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份包含该含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳‑碳双键。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]一种耐高温低电阻高有机相容性涂碳铝箔及其制备方法-CN201310708739.3有效
发明人：李荐;黄祖琼;周宏明 -专利权人：湖南省正源储能材料与器件研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明涉及的一种耐高温低电阻高有机相容性涂碳铝箔及其制备方法，涂碳铝箔的碳层含有石墨和线型碳的共生混合物，具有优异的耐高温、低电阻和高有机体系相容性。本发明涉及的一种耐高温低电阻高有机相容性涂碳铝箔制备方法突破了传统化学气相沉积碳工艺中只采用烃类作为碳源的限制，采用含碳氢氧元素的化合物或含碳氢氧元素的化合物和碳材料的混合物加热获得的复合气体作为碳源，原料简单易得，工艺安全可控，制得的涂碳铝箔具有耐高温、电阻低、碳层粘接率高、比表面积大、有机相容性高的优点。
一种耐高温电阻有机相容性铝箔及其制备方法