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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管-CN201420603707.7有效
发明人：龚利汀;陈丽兰;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管，包括N-型衬底，在N-型衬底上形成有多个网状分布的元胞；在N-型衬底的正面形成有各元胞的P型阱区和围绕晶体管有源区的P型场限环；在N-型衬底的正面最外围形成有N+电场截止环；在各元胞的P型阱区内形成有N+型发射区，在一侧的P型阱区和N+型发射区上方的表面形成有栅氧化层，栅氧化层上形成有元胞多晶硅层，元胞多晶硅层上形成有栅极金属；在另一侧的P型阱区和N+型发射区上方表面形成有发射区金属；各元胞的元胞多晶硅层、栅极金属、发射区金属均分别一一对应互连。
高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]电子枪的高密度薄发射区的氧化物阴极-CN03122993.X无效
发明人：让－吕克·里科;热拉尔·薄鲁东 -专利权人：汤姆森许可贸易公司
申请日： 2003-04-23 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01J1/142 文献下载
摘要：一种用于电子枪的氧化物阴极，包括支持阴极发射涂层(1)的衬底(2)，包括称为发射中心区(12)和称为非发射外围区(11)，按照本发明，在发射区(12)的涂层平均密度大于在非发射区(11)同样涂层的平均密度；在发射区(12)的涂层平均厚度小于在非发射区(11)同样涂层的平均厚度。以这种方式，就可以限制截止电压的偏移，同时在直流模式和脉冲模式中保持好的最大发射特性。
电子枪高密度发射氧化物阴极

[实用新型]沟槽型IGBT-CN202020190162.7有效
发明人：谢梓翔;史波;肖婷;陈茂麟 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：该沟槽型IGBT的衬底中具有沟槽，各IGBT元胞包括栅极结构和发射极结构，栅极结构包括栅极层、第一栅氧层和第二栅氧层，部分第一栅氧层覆盖于沟槽表面，部分栅极层设置于沟槽中，发射极结构包括发射区、接触孔和发射极，发射区位于衬底中，沟槽贯穿发射区，另一部分第一栅氧层以及另一部分栅极层叠置于与发射区对应的衬底上；接触孔贯穿位于衬底上的栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内，第二栅氧层覆盖于接触孔的部分表面；发射极位于接触孔中，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。上述沟槽型IGBT通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极层和发射极短接而导致的IGBT失效。
沟槽 igbt

[发明专利]一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201210320231.1在审
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-09-01 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，本发明的绝缘栅双极晶体管将器件背面部分区域设置为P+发射区，通过器件导通时电流自动调节P+发射区的开启导通，调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件的高频特性应用范围本发明还提供了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管的制备方法。
一种完全发射绝缘双极晶体管及其制备方法

[发明专利]CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管-CN201410499155.4有效
发明人：陈瑜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管，双极型晶体管发射区不做金属硅化反应，通过屏蔽发射区的金属硅化反应，接触孔同发射区直接接触，通过调节发射区上的接触孔的密度即可调节发射区平均少数载流子浓度
cmos 工艺制造双极型晶体管方法

[发明专利]半导体装置-CN201910003907.6在审
发明人：内藤达也 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，具备在半导体基板的内部与栅极沟槽部接触而设置的台面部，台面部在上表面的端部具有与栅极沟槽部接触的肩部，肩部具有向外侧凸的形状，台面部设置有第一导电型的发射区，其在半导体基板的上表面与漂移区之间与栅极沟槽部接触，并且掺杂浓度比漂移区高，与栅极沟槽部接触的位置处的发射区的下端在深度方向上配置于比台面部的短边方向的中央处的发射区的下端更深的位置。
栅极沟槽发射区半导体基板半导体装置漂移区上表面肩部下端导电型浓度比位置处中央处短边掺杂配置

[发明专利]晶圆制造过程中Hfe测试方法-CN201110450168.9有效
发明人：夏忠明;潘之炜;吴学成 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该方法包括待进行发射区扩散之前，腐蚀晶圆背面第一设定区的氧化层以露出集电区，腐蚀晶圆正面与第一设定区相对应的第二设定区的氧化层以露出基区和发射区；使测试设备的相应电性触部接触所述集电区，使测试设备的探针的两个针接触部分别接触基区和发射区，其中基区、发射区、集电区以及测试设备之间在两个针接触部分别接触基区和发射区且电性触部接触集电区时，形成电性回路；以及由电性回路获得测试数据。本发明所述的方法可在发射区扩散之前及时获得放大数据。
制造过程 hfe 测试方法

[外观设计]玩具（汽车发射区）-CN202330211280.0有效
发明人：吴森涛 -专利权人：吴森涛
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： 21-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：玩具（汽车发射区）。2.本外观设计产品的用途：用于玩具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
玩具汽车发射

[实用新型]加熵激波吹灰器-CN201921145219.5有效
发明人：张永正 -专利权人：石家庄宝乔机械设备科技有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： F23J1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种加熵激波吹灰器，包括激波发生器，所述激波发生器包括激波发生区与激波增熵区，所述激波增熵区连接第一发射区，所述第一发射区连接加熵区，所述加熵区连接第二发射区，所述第一发射区与第二发射区为圆形筒状，所述激波增熵区与加熵区分别呈锥形筒状。本实用新型提出的加熵激波吹灰器，基于激波的厚度与增熵过程，设置激波增熵区与加熵区，同时第一发射区与第二发射区口径比例进行限定，形成增熵以解决单根吹灰管的压力基本一致的问题，达到有效吹灰面的形成。
激波吹灰器

[发明专利]有机发光显示装置-CN201710519969.3有效
发明人：金星民;郑镇九;朴辰玹 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K50/805 文献下载
摘要：OLED装置包括：基底，包括第一发射区、第二发射区和透射区；像素电路，设置在基底上；反射光的第一像素电极，设置在第一发射区中；透射光的第二像素电极，设置在第二发射区中；发光层，设置在第一像素电极和第二像素电极上；透射光的共电极，设置在发光层上并且包括与第一发射区叠置的第一共电极、与第二发射区叠置的第二共电极和与透射区叠置的第三共电极；覆盖层，设置在共电极上并且包括与第一发射区叠置的第一覆盖层、与第二发射区叠置的第二覆盖层和与透射区叠置的第三覆盖层
有机发光显示装置

[发明专利]电子发射显示器-CN200510126975.X无效
发明人：俞升濬;崔钟植;朴真民;李受贞;姜正镐;李受京 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子发射显示器及其制造方法。所述电子发射显示器包括：电子发射基板，包括至少一个电子发射装置；和图像形成基板，包括至少一个发射区和至少一个非发射区。通过从电子发射装置发射的电子与发射区的碰撞从而在发射区中形成图像。图像形成基板还包括设置在发射区上的金属层和设置在至少一个非发射区上的至少一个电子收集器。电子收集器可以包括第一和第二端，其中将第一端贴附到图像形成基板且第二端面对电子发射基板。电子收集器温度了金属层和荧光层，由此通过将散射的电子重新引导向荧光层从而减少了电弧且保持了均匀的亮度。
电子发射显示器

[实用新型]地面与墙体水平垂直度标定装置-CN202220680650.5有效
发明人：梁太平;常诚;廖胤楚;宋长颖;林华胜;陈志明;罗晓琳;何雨萌;王健萍;王西 -专利权人：深圳市天健第三建设工程有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01C15/00 文献下载
摘要：本实用新型描述一种地面与墙体水平垂直度标定装置，其包括可抵接墙体与地面的三菱锥形外壳以及设置在外壳内的第一激光发射区、第二激光发射区、第三激光发射区和电源控制区；第一激光发射区设置有平行于地面发射多束激光的多个激光发射器，第二激光发射区设置有平行于第一墙面发射多束激光的多个激光发射器，第三激光发射区设置有平行于第二墙面发射多束激光的多个激光发射器，地面、第一墙面、第二墙面相互垂直；电源控制区设置有电源控制器和电源，电源控制器的一端和电源的一端电连接，电源的另一端与多个激光发射器分别电连接。
地面墙体水平垂直标定装置

[发明专利]一种高压IGBT器件及其制备方法-CN202011517209.7在审
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压IGBT器件及其制备方法，其包括：P型衬底、N型重掺杂缓冲区、N型轻掺杂漂移区、CEL‑N型重掺杂区、P型阱区、P型发射区、N型重掺杂区、高K绝缘层、栅极多晶硅区、栅极、发射极和集电极，其中N型重掺杂缓冲区设在P型衬底上，集电极设在P型衬底的下表面，N型轻掺杂漂移区设在N型重掺杂缓冲区上，CEL‑N型重掺杂区设在N型轻掺杂漂移区上，P型阱区设在CEL‑N型重掺杂区两侧，P型阱区上设有与N型重掺杂区电连接的P型发射区和靠近栅结构区的N型重掺杂区，发射区电极设在P型发射区上，在CEL‑N重掺杂区和P型阱区的上表面设有高K绝缘层、栅极多晶硅区和栅极电极。
一种高压 igbt 器件及其制备方法

[实用新型]一种基于SIC的高压IGBT器件-CN202023102546.8有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于SIC的高压IGBT器件，其包括：P型衬底、N型重掺杂缓冲区、N型轻掺杂漂移区、CEL‑N型重掺杂区、P型阱区、P型发射区、N型重掺杂区、高K绝缘层、栅极多晶硅区、栅极、发射极和集电极，其中N型重掺杂缓冲区设在P型衬底上，集电极设在P型衬底的下表面，N型轻掺杂漂移区设在N型重掺杂缓冲区上，CEL‑N型重掺杂区设在N型轻掺杂漂移区上，P型阱区设在CEL‑N型重掺杂区两侧，P型阱区上设有与N型重掺杂区电连接的P型发射区和靠近栅结构区的N型重掺杂区，发射区电极设在P型发射区上，在CEL‑N重掺杂区和P型阱区的上表面设有高K绝缘层、栅极多晶硅区和栅极电极。
一种基于 sic 高压 igbt 器件

[发明专利]一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管-CN202211501472.6在审
发明人：梁琳;温凯俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管，包括由下至上设置的集电区电极、集电极区n+衬底层、集电极区n0外延层、p+基区层及n+发射区层，p+基区层旁设有环状深阱结构，深阱结构采用SiO2‑Si3N4；还包括基区电极和发射区电极，集电极区n0外延层的表面覆盖一层氧化层，氧化层上覆盖有金属场板，金属场板与基区电极接触，金属场板的底部穿过氧化层与p+基区层接触，n+发射区层表面覆盖一层掺氧半绝缘多晶硅层，发射区电极的底部穿过掺氧半绝缘多晶硅层与n+发射区层接触。
一种适用于电压脉冲触发快速雪崩晶体管

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