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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种光学线径测量仪及测量方法-CN202211585419.9在审
发明人：顾旭辉;蔡宝春;施嘉辉;时阳阳;夏梦洁;许小波 -专利权人：浙江德康医疗器械有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01B11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学线径测量仪，属于医疗器械技术领域，其包括测量仪本体，测量仪本体上设有测量单元、装夹单元和控制单元，测量单元包括测量架，测量架上设有设在被测体一径向上的第一激光接收传感器和第一激光发射区，测量架上设有设在被测体另一径向上的第二激光接收传感器和反射棱镜，测量架上设有第二激光发射区，第二激光发射区或第一激光发射区内设有激光发生器，测量架上设有控制激光发生器在第一激光发射区和第二激光发射区之间作往复移动的第一直线模组
一种光学测量仪测量方法

[实用新型]一种肖特基pn结集成器件-CN201620750249.9有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基pn结集成器件，包括P基区、肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层位于在P基区的顶端，P基区上设有N基区、P+阳极发射区，N基区位于P基区的上侧，P+阳极发射区位于P基区的下侧，N基区上设有两个P+保护环、N+发射区，两个P+保护环、N+发射区都位于N基区的上方，两个P+保护环都与肖特基势垒金属层相连接，肖特基势垒金属层为正极A，N+发射区为负极，P+阳极发射区为正极B。
一种肖特基 pn 结集成器

[实用新型]新型绝缘栅双极晶体管背面结构-CN201120345700.6有效
发明人：戚丽娜;张景超;刘利峰;赵善麒;林茂;吴迪 -专利权人：江苏宏微科技有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极。本实用新型将原背结构P型级发射区转变为P/N/P/N+多级发射区和阻挡区相结合的结构，实现对漂移区内的空穴分布精确控制的目的，在显著提高器件的性能下，解决了欧姆接触和低注入效率的矛盾，较好地解决了通态特性和开关特性之间的协调关系
新型绝缘双极晶体管背面结构

[实用新型]一种注射型温控消融针-CN201620756398.6有效
发明人：孙良俊 -专利权人：南京亿高微波系统工程有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： A61B18/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种注射型温控消融针，包括手柄；针体，所述针体和所述手柄连接；发射区，所述针体前端设置有发射区；注射孔，所述发射区后方设置有注射孔；温控区，所述注射孔后方设置有温控区；微波接口，所述微波接口穿过所述手柄和针体与所述发射区连接；测温接口，所述测温接口穿过所述手柄和针体与所述温控区连接；注射管，所述注射管穿过所述手柄和针体与所述注射孔连接；冷循环系统，所述冷循环系统内置于所述手柄和针体。
一种注射温控消融

[发明专利]自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210160811.9有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。
对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210160790.0有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。
对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]开关速度快且损耗低的RC-IGBT结构及其制备方法-CN202310778008.X有效
发明人：林青;张杰 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了半导体技术领域的一种开关速度快且损耗低的RC‑IGBT结构及其制备方法；RC‑IGBT结构包括：N型漂移区；P型阱区，与N型漂移区的正面电接触；P型发射区和N型发射区，依次交替设置，并均经由P型阱区与N型漂移区的正面电接触；沟槽栅结构，由N型发射区的表面垂直延伸至N型漂移区；N型缓冲层，与N型漂移区的背面电接触；具有[110]晶向和[100]晶向并存的混合晶向衬底层，包括在[110]晶向上制备的P型集电区和在[100]晶向上制备的N型集电区，P型集电区和N型集电区均经由N型缓冲层与N型漂移区的背面电接触。
开关速度损耗 rc igbt 结构及其制备方法

[发明专利]电子发射器阵列面板及其制造方法和包括其的显示器-CN200610075425.4无效
发明人：梁正焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括栅控表面传导电子发射器装置(GC_SED)阵列的有源矩阵显示器。每个栅控表面传导电子发射器装置(GC_SED)包括：第一电极；和成对的第二和第三电极，其与第一电极绝缘且从彼此分开以限定与第一电极重叠的电子发射区(狭缝)。第二和第三电极之间的电子发射区(狭缝)中的势垒通过将电压施加到作为栅极的第一电极来调制(控制、转换)，第一电极有效地控制了第二和第三电极之间的电子的隧穿。即使第二和第三电极之间的距离(电子发射区、狭缝的宽度)可能显著大于10纳米，通过作为栅极的第一电极，由势垒的调制而也允许了有效的电子隧穿。
电子发射器阵列面板及其制造方法包括显示器

[发明专利]一种高灵敏度X射线探测器-CN202310549642.6在审
发明人：汪韬;高贵龙;闫欣;姚东;何凯;尹飞;辛丽伟;李立;李知兵;刘冲;张杰;温珂瑶;王迪;岳猛猛;李亚晖;杜婉怡;田进寿;李鸣;蔡高迪 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：两个金属电极分别设置在半导体材料的上表面和下表面，并与外加电场的正负极连接；半导体材料包括由下至上叠层铺设的缓冲层、集电区、基区和发射区；发射区包括由下至上叠层铺设的两层宽带隙半导体材料；基区采用窄带隙材料；集电区包括N型GaInP层和GaAs材料的衬底；缓冲层的下表面设置有光敏区，用于接收X射线；缓冲层的材料与发射区的上层材料相同，两者分别与两个金属电极形成欧姆接触。
一种灵敏度射线探测器

[发明专利]自整角机模块用高可靠性达林顿管及其制作方法-CN200810156868.5无效
发明人：龚利汀;钱晓平;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：按照本发明提供的技术方案，所述管芯包括形成于集电区的高阻第二外延层内的前级晶体管基区与后级晶体管基区，在前级晶体管基区内有前级晶体管发射区，在后级晶体管基区内有后级晶体管发射区，其特征是：在后级晶体管发射区旁边的后级晶体管基区内有电压保护环，在集电区的高阻第二外延层、前级晶体管基区与后级晶体管基区及前级晶体管发射区与后级晶体管发射区的同一侧的表面设置起保护作用的二氧化硅膜；并在所述二氧化硅膜的上面对应于前级晶体管基区的部位设置基极金属连线的基极铝层
整角机模块可靠性达林顿管及其制作方法

[发明专利]灵敏触发单向可控硅-CN200810235387.3有效
发明人：史训南 -专利权人：无锡创立达科技有限公司
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种灵敏触发单向可控硅，在P型阳极区上形成N型长基区，在P型阳极区的下表面设置阳极电极，在N型长基区上形成P型短基区，在P型短基区上局部形成N⁺型发射区并且局部设置门极电极，在N⁺型发射区上设置阴极电极，所述N型长基区和P型短基区上拥有内沟槽包围着所述P型短基区、N⁺型发射区、门极电极和阴极电极；在所述N型长基区和N⁺型发射区之间设置横向扩散电阻，在阴极电极的一侧，接近横向扩散电阻处设置扩散电阻连接点；当门极电极和阴极电极间有电流时，在横向扩散电阻上产生一个电压降，当电压降大于或等于P-N结的门坎电压时，
灵敏触发单向可控硅

[发明专利]一种多声场干涉声悬浮装置及声场切换方法-CN201910379667.X有效
发明人：范铭铭;谢越;彭健新;金雪晴;叶晓靖 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01S15/88 文献下载
摘要：本发明公开一种多声场干涉声悬浮装置及声场切换方法，所述装置包括单片机、驱动电机模块、电源模块、控制器、上壳体、下壳体、连接部和多个超声波发射区；上壳体和下壳体相对且平行设置，连接部连接上壳体和下壳体，上壳体和下壳体之间间隔设置形成悬浮空间，多个超声波发射区分别设置于上壳体和下壳体上且呈阵列分布，每个超声波发射区包括多个超声波发射器；控制器输出信号至单片机，单片机接收信号并输出方波信号至驱动电机模块，驱动电机模块驱动多个超声波发射区工作，通过改变控制器输出的信号进一步调节每个超声波发射区的初相位来调整声场的旋度。
一种声场干涉悬浮装置切换方法

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件-CN202010928662.0在审
发明人：郭乔;林泳浩;李伟聪 -专利权人：珠海市浩辰半导体有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种沟槽栅IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属层、集电区、场截止层、漂移区、沟槽结构和发射极金属层；所述沟槽结构包括假栅结构和栅极结构，其中假栅结构位于漂移区的上方侧面，栅极结构位于漂移区的上方中部；所述假栅结构包括窄部和宽部，且宽部位于窄部的下方；所述栅极结构与窄部之间的漂移区上方设有载流子存储层，载流子存储层的上方设有P型基区；所述P型基区的上方设有P+发射区与N+发射区，P+发射区、N+发射区分别与发射极金属层电连接
一种沟槽 igbt 器件

[发明专利]沟槽栅MOS型半导体装置及其制造方法-CN201480013055.4有效
发明人：小川惠理 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在n型的半导体基板(14)的一个主面的表面层设置形成了n+型发射区(19)的p型基区(17)以及未形成n+型发射区(19)的p型浮置区(16)。p型基区(17)和p型浮置区(16)通过沟槽(15)而分离。通过层间绝缘膜(25)覆盖p型浮置区(16)，并且设置连接到p型基区(17)和n+型发射区(19)的发射电极(24)。
沟槽 mos 半导体装置及其制造方法

[发明专利]射线发射区图像测量装置和方法-CN202010509841.0有效
发明人：陈忠靖;王峰;郑建华;江少恩;张兴;蒲昱东;晏骥;董云松;余波 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2020-06-07 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明提供了射线发射区图像测量装置和方法，其中，射线发射区图像测量装置包括：依次设置的射线发射模块、成像模块和图像记录模块；其中，成像模块设置有圆弧锥；射线发射模块用于生成射线，并将射线按照预设轨迹通过圆弧锥发送至图像记录模块本申请中采用圆弧锥作为成像模块，简化了成像模块的设计、加工和检测，降低了瞄准精度，且，突破了现有的射线发射区图像探测技术视场范围的限制，降低了对射线产额的要求，提高了对发射区射线源位置随机移动的容忍度，
射线发射图像测量装置方法

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