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[发明专利]反熔丝-CN201380036999.9有效
发明人： F·霍夫曼 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构(1000A)，该半导体结构(1000A)包括：第一半导体层(1140)；实现第一反熔丝单元(1000A)的第一编程晶体管(5200)和第一选择晶体管(1300)，其中，所述第一半导体层作为所述第一编程晶体管的主体
编程晶体管选择晶体管半导体层半导体结构反熔丝单元反熔丝

[发明专利]反熔丝-CN201080009454.5有效
发明人：闵元基;杰夫雷·W·珀金斯;凯尔·D·茹科夫斯基;左将凯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：一种反熔丝(40、80、90′)包括具有间隔开的弯曲部分(55、56)的第一(22′、24′)和第二(26′)导电区，以及第一电介质区(44)位于其之间，与所述弯曲部分(55、56)相结合地形成弯曲的击穿区比编程电压低的感测电压用于确定反熔丝的状态是断开(高阻抗)还是接通(低阻抗)。期望，提供与击穿区(47)相邻的浅沟道隔离(STI)区(42)以抑制在编程期间热从击穿区(47)损耗。与利用基本上平面的电介质区(32)的反熔丝(30)相比，观察到较低的编程电压和电流。在又一实施例中，将电阻区(922)插入到具有平面(37)或弯曲(47)击穿区的反熔丝(90、90′)的一个引线(92、92′)中，以改善后编程感测可靠性。
反熔丝

[发明专利]抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法-CN201610841682.8有效
发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;吴建伟;朱少立;徐静;刘佰清 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于场区上，反熔丝下极板的侧壁采用SPACER保护，反熔丝下极板的正上方设置贯通反熔丝孔腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，反熔丝孔腐蚀掩蔽层覆盖于有源区、反熔丝下极板上，ONO反熔丝介质层覆盖于反熔丝孔腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，反熔丝上极板是N型饱和掺杂的多晶硅薄膜。本发明能提升ONO反熔丝结构的单元抗辐射性能，缩小集成单元面积，优化ONO反熔丝结构设计，提高ONO反熔丝工艺的集成度。
辐射 pip ono 反熔丝结构 cmos 工艺集成

[发明专利]反熔丝器件及反熔丝单元-CN202010268401.0在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝器件，反熔丝器件包括：衬底；反熔丝栅极，反熔丝栅极部分嵌入衬底内，反熔丝栅极嵌入衬底内的部分具有尖角；反熔丝栅氧化层，反熔丝栅氧化层位于反熔丝栅极与衬底之间。令反熔丝栅极和反熔丝栅氧化层在衬底内部均具有尖角，使得反熔丝器件有了多个尖端放电点，更加容易被击穿，有了多个击穿点使得同一批次生产的反熔丝器件的均匀性更好，提高了一批次产品性能的一致性，弯折的反熔丝栅氧化层有效面积更大，因此使得反熔丝器件能够以更小的尺寸获得更大的反熔丝栅氧化层面积，有利于反熔丝器件的小型化。
反熔丝器件单元

[发明专利]反熔丝装置-CN202210128707.5在审
发明人：杨吴德 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝装置，包括反熔丝单元以及感测电路。反熔丝单元包括串接于反熔丝单元的第一端与反熔丝单元的第二端之间的第一反熔丝与第二反熔丝。感测电路耦接至反熔丝单元的第一端与第二端，用以感测反熔丝单元的刻录态。
反熔丝装置

[发明专利]反熔丝电路-CN201210396223.5有效
发明人：车镇烨;金载镒 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种反熔丝电路，所述反熔丝电路包括：反熔丝单元，所述反熔丝单元包括能够响应于断裂信号而被编程的反熔丝，并被配置成产生与反熔丝的状态相对应的熔丝信号；虚设熔丝单元，所述虚设熔丝单元包括虚设熔丝，并被配置成产生与虚设熔丝的状态相对应的虚设熔丝信号；以及阻挡单元，所述阻挡单元被配置成响应于虚设熔丝信号的状态，而将熔丝信号输出作为熔丝输出信号。
熔丝虚设反熔丝电路反熔丝单元熔丝单元阻挡单元反熔丝配置断裂信号输出信号信号输出响应编程

[发明专利]存储器单元及存储器系统-CN201910719029.8有效
发明人：黄黎进勇 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器单元，存储器单元包括第一反熔丝组件、第二反熔丝组件及选择电路。第一反熔丝组件具有第一端、第二端及控制端，第一反熔丝组件的第二端处于浮接状态，而第一反熔丝组件的控制端耦接于第一反熔丝控制线。第二反熔丝组件具有第一端、第二端及控制端，第二反熔丝组件的第一端耦接于第一反熔丝组件的第一端，第二反熔丝组件的第二端处于浮接状态，而第二反熔丝组件的控制端耦接于第二反熔丝控制线。选择电路耦接于第一反熔丝组件及第二反熔丝组件的第一端及源极线。
存储器单元系统

[发明专利]通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺-CN201611178341.3在审
发明人：王印权;郑若成;洪根深;赵文彬;徐海铭;吴素贞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺，其包括衬底以及位于所述衬底上的器件层；在所述器件层上压盖有熔丝封体，在所述熔丝封体内设有熔丝下电极，在所述熔丝封体外设有熔丝上电极，所述熔丝上电极位于熔丝下电极的正上方；在所述熔丝上电极与熔丝下电极间设有反熔丝介质结构以及反熔丝底层阻挡体，所述反熔丝底层阻挡体在熔丝封体内包裹熔丝下电极的顶端，反熔丝介质结构支撑于反熔丝底层阻挡体上，熔丝上电极支撑于反熔丝介质结构上。本发明结构紧凑，能减少光刻次数，工艺操作简单，降低工艺成本，提高集成度，提升反熔丝的可靠性。
通孔上 mtm 反熔丝结构及其制备工艺

[发明专利]半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法-CN201711259511.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法，该结构包括形成于有源区的反熔丝单元，该反熔丝单元包括由第一熔丝隔离层、第一绝缘层、第一导电层及第三导电层构成的第一反熔丝，由第二熔丝隔离层、第二绝缘层、第二导电层及第三导电层构成的第二反熔丝。两个反熔丝共用同一个第三导电层，由此可有效降低反熔丝单元的面积，另外反熔丝单元的绝缘层形成于沟槽内，等效增大了绝缘层的面积，所以可进一步将反熔丝的面积做的更小同时还可减小反熔丝的空间体积，最后可将芯片上的反熔丝单元配置为反熔丝矩阵结构，以进一步减小芯片中反熔丝占据的面积，从而提高半导体器件的高度集成化。
半导体器件反熔丝结构及其写入读取方法

[实用新型]半导体器件反熔丝结构-CN201721659200.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件反熔丝结构，该结构包括形成于有源区的反熔丝单元，该反熔丝单元包括由第一熔丝隔离层、第一绝缘层、第一导电层及第三导电层构成的第一反熔丝，由第二熔丝隔离层、第二绝缘层、第二导电层及第三导电层构成的第二反熔丝两个反熔丝共用同一个第三导电层，由此可有效降低反熔丝单元的面积，另外反熔丝单元的绝缘层形成于沟槽内，等效增大了绝缘层的面积，所以可进一步将反熔丝的面积做的更小同时还可减小反熔丝的空间体积，最后可将芯片上的反熔丝单元配置为反熔丝矩阵结构，以进一步减小芯片中反熔丝占据的面积，从而提高半导体器件的高度集成化。
反熔丝反熔丝单元绝缘层半导体器件导电层隔离层减小熔丝芯片本实用新型第二导电层第一导电层绝缘层形成高度集成矩阵结构源区占据配置

[发明专利]一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法-CN202110852260.1在审
发明人：郑若成;王印权;郑良晨;胡君彪;郝新焱;洪根深;宋思德 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝结构，尤其是一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法。一种反熔丝单元结构，包括上阻挡层和反熔丝膜层，所述上阻挡层设置在所述反熔丝膜层上，所述反熔丝膜层设置在二氧化硅介质层上，且位于钨塞柱的上方。本发明提供的一种反熔丝单元结构优化了反熔丝单元的底部结构，去除反熔丝单元结构的下极板阻挡层，使得反熔丝叠层腐蚀工艺容宽显著扩大，对工艺过程中的缺陷耐受能力增强，提升反熔丝单元结构的良率。
一种反熔丝单元结构制备方法电极

[发明专利]测试方法-CN202310586906.5在审
发明人：覃煜 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本公开提供一种测试方法，测试方法包括：设置反熔丝模型为未熔断状态；配置反熔丝模型的熔断条件；将反熔丝模型被配置为，当反熔丝模型满足熔断条件时，将反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；其中，熔断条件包括反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间在本公开中，通过使反熔丝模型在编程电压和编程时间满足熔断条件后熔断，降低了反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性的差异，从而提高了存储器电路仿真结果的可靠性。同时，通过在反熔丝模型满足熔断条件后，自动地调整反熔丝模型的状态，从而提高了存储器电路仿真的效率。
测试方法

[发明专利]反熔丝物理不可复制电路以及相关控制方法-CN201710946826.0有效
发明人：吴孟益;陈信铭 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G06F21/72 文献下载
摘要：反熔丝物理不可复制电路以及相关控制方法，该电路包括：一第一子反熔丝单元、一第二子反熔丝单元、一连接电路、一第一拷贝电路与一读取电路。第一子反熔丝单元包括一第一反熔丝晶体管。第二子反熔丝单元包括一第二反熔丝晶体管。连接电路连接至该第一反熔丝晶体管的一源极/漏极端以及该第二反熔丝晶体管的一源极/漏极端。第一拷贝电路连接至该第一子反熔丝单元，且该第一拷贝电路包括一第三反熔丝晶体管。第一读取电路连接至该第一拷贝电路，用以根据该第三反熔丝晶体管的状态产生一随机码。
反熔丝物理不可复制电路以及相关控制方法

[发明专利]一种反熔丝存储阵列电路及其操作方法以及存储器-CN202210255882.0在审
发明人：季汝敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种反熔丝存储阵列电路及其操作方法以及存储器，其中，所述反熔丝存储阵列电路，包括：至少一个反熔丝存储阵列，所述反熔丝存储阵列包括多个反熔丝存储单元；编程控制模块，连接所述至少一个反熔丝存储阵列，用于在对所述反熔丝存储单元进行编程时提供固定的编程电流。
一种反熔丝存储阵列电路及其操作方法以及存储器

[发明专利]一种反熔丝编程方法、系统及反熔丝器件-CN201810320332.6在审
发明人：田敏;王志刚 -专利权人：珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种反熔丝编程方法、系统及反熔丝器件，通过电压施加器向同一回路中的反熔丝单元施加电压，令反熔丝单元被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元串联的限流电阻对其产生的过冲电流进行限流，产生限制电流，作为回路电流，保护了反熔丝单元和整个回路；可见，将不对反熔丝单元被击穿后产生的过冲电流进行限制的限流电阻，与反熔丝单元串联，增大了反熔丝单元被击穿后产生的过冲电流的电流值，从而在利用该过冲电流编程时，减小了反熔丝单元被击穿后低阻状态下的电阻，提高了反熔丝单元编程后的可靠性，并降低对应用反熔丝单元的电路的逻辑功能的影响。
反熔丝单元击穿编程反熔丝器件低阻状态限流电阻反熔丝电阻串联电压施加器电流编程高阻状态回路电流逻辑功能施加电压同一回路限制电流减小限流电路应用

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