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[发明专利]一种法兰式消声止回阀-CN202310815772.X在审
发明人：姜振光;姜慧攀;沈嘉逸;荣杰;潘连明;裴琦;高班洪;向光胜;向小平 -专利权人：航大阀门集团有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： F16K15/06 文献下载
摘要：本发明提出一种结构简单、密封效果好的一种法兰式消声止回阀，包括阀体、进水通道和出水通道、阀座、阀杆、阀板、密封套，所述阀座位于阀板位置环绕开设有与阀体内部相连通的第一通道，所述密封套滑动设于第一通道上，所述阀板上开设有与密封套卡合涨紧的涨紧通道，所述密封套侧面开设有第一涨紧面，所述涨紧通道匹配第一涨紧面设置，所述密封套在阀板密封在阀座上时候能够滑入涨紧通道与阀板涨紧密封，所述阀体位于阀座位置还环绕均布设置有涨紧块，所述涨紧环在阀板密封在阀座上时通过涨紧装置涨紧密封设置在阀板上，所述阀体位于阀座位置还设有用于推动滑动套滑入涨紧通道的滑动装置。
一种法兰消声止回阀

[发明专利]发光二极管芯片的激光切割方法及装置-CN202011628605.7有效
发明人：汪洋;周武;向光胜;马玮辰;徐可;尚修仲;刘璐珉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片的激光切割方法及装置，属于发光二极管切割技术领域。所述方法包括：获取激光聚焦后光斑的拍摄图像；基于所述光斑的拍摄图像，确定所述激光的能量输出是否稳定；当所述激光的能量输出稳定时，控制所述激光切割待切割的发光二极管芯片。本公开能够保证发光二极管芯片切割后正面、背面、侧面线条的一致性。
发光二极管芯片激光切割方法装置

[发明专利]发光二极管芯片的分选产出的确定方法及装置、存储介质-CN202210367703.2在审
发明人：陈建南;喻海波;向光胜 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片的分选产出的确定方法及装置、存储介质，属于芯片制造领域。该方法包括获取参数文件，所述参数文件记录有待分选的a个芯片的信息，所述信息包括光电参数和坐标；基于所述光电参数，确定每个待分选的芯片的等级；获取满BIN颗数n和分选等级要求；基于所述参数文件、所述满BIN颗数和所述分选等级要求，确定所能形成的数据文件的个数m。确定出的数据文件的数量m为对待分选的a个芯片，按照满BIN颗数和分选等级要求进行分选后，所能够得到的满BIN的数量，也就是该批发光二极管芯片的分选产出。相比于根据以往的生产数据进行预估，本方法能够准确预估出分选产出，从而有利于基于分选产出指导后续的生产。
发光二极管芯片分选产出确定方法装置存储介质

[发明专利]发光二极管显示面板-CN201910117967.0有效
发明人：叶青贤;向光胜;杨中和 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管显示面板，该发光二极管显示面板包括载板和沿行方向排列的多列发光二极管芯片，同一列发光二极管芯片包括颜色相同的多个发光二极管芯片，相邻列的发光二极管芯片的颜色不同，颜色相同的发光二极管芯片产自不同的多个晶圆。由于颜色相同的发光二极管芯片产自不同的多个晶圆，产自不同晶圆的同一颜色的发光二极管芯片，主发光波长、亮度等发光参数也有一定的区别，由于有产自多种晶圆的同一颜色的发光二极管芯片，减弱了发光二极管芯片之间的距离与发光二极管芯片的发光参数之间的关系，从而可以提高发光二极管显示面板整体的显示效果。
发光二极管显示面板

[发明专利]一种发光二极管芯片的点测设备-CN201810538521.0有效
发明人：彭功恒;叶青贤;向光胜;喻海波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片的点测设备，属于半导体技术领域。所述点测设备包括：承片装置，用于承载发光二极管芯片；光路转换装置，设置在承片装置与发光二极管芯片之间，用于将发光二极管芯片射向承片装置的光反射至发光二极管芯片的出光面；收光装置，朝向发光二极管芯片的出光面设置，用于检测发光二极管芯片的光学参数。该点测设备既可用于检测正装LED芯片的光学参数，又可用于检测倒装LED芯片的光学参数，同时还可提高光学参数的检测的准确性。
一种发光二极管芯片设备

[发明专利]一种晶圆的加工方法-CN201810688681.3有效
发明人：马玮辰;汪洋;向光胜;叶青贤 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的加工方法，属于半导体技术领域。所述加工方法包括：确定待加工晶圆的目标厚度值并上传至运算系统；将待加工晶圆粘结到基板上，采用测量系统测量待加工晶圆的粘片后厚度值并上传至运算系统；确定待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值并上传至运算系统，运算系统根据存储的厚度值依次计算出待加工晶圆的减薄量、研磨量和抛光量；根据待加工晶圆的减薄量、研磨量和抛光量依次对待加工晶圆进行减薄、研磨和抛光操作；去除抛光后的晶圆与基板之间的粘结部，得到加工后的晶圆。该加工方法减少了加工过程中的人为干预，提高了晶圆的加工效率，同时保证了LED芯片的质量。
晶圆加工运算系统上传减薄量抛光量研磨量基板减薄种晶半导体技术领域研磨和抛光测量系统加工效率抛光目标人为干预研磨目标抛光粘结部去除粘结粘片测量存储保证

[发明专利]一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统-CN201710203377.0有效
发明人：喻海波;叶青贤;向光胜;陈建南;周高明 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统，属于光电子技术领域。该晶元测试方法包括对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果；将抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；对同一片待测试晶元上的每个LED芯片进行未达标光电参数的逐一测试。由于在进行逐一测试的过程中，有部分光电参数不再进行测试，从而可以减少测试的项目，提高测试的效率，同时由于已经进行了抽样测试，因此可以确保在逐一测试中未进行测试的光电参数也满足工艺的要求。
一种发光二极管测试方法系统

[发明专利]外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法-CN201711463957.X在审
发明人： 向光胜;叶青贤;喻海波;蔡云聪 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法，属于半导体技术领域。该生长设备包括反应腔室和检测装置，检测装置包括光源模块，用于提供照射到生长中的外延层上的紫外光；图像获取模块，用于在至少一个生长阶段结束时获取紫外光照射在外延层上所产生的待测图像；处理模块，用于根据待测图像的灰度判断生长至生长阶段结束时的外延层是否存在缺陷，通过获取当前生长阶段紫外线照射在外延层上所产生的待测图像，再根据待测图像的灰度判断外延层是否存在缺陷，可以在外延层生长出现缺陷时及时反馈外延层生长过程中形成的缺陷，便于操作人员及时对外延层的生长做出调整，有利于减少外延层的内部缺陷，提高外延片的良率。
外延层待测图像生长过程生长阶段生长设备生长灰度判断检测装置缺陷检测半导体技术领域图像获取模块紫外光照射紫外线照射处理模块反应腔室光源模块内部缺陷紫外光外延片良率照射反馈

[发明专利]一种发光二极管芯片的计数方法和装置-CN201610063879.3有效
发明人：喻海波;向光胜 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片的计数方法和装置，属于半导体技术领域。所述计数装置包括：光源模块，用于将红外光或紫外光照射待检测的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括外延片、电极、以及DBR；取像模块，用于获取所述红外光或所述紫外光穿透所述外延片和所述DBR所产生的图像；处理模块，用于从所述图像中识别并统计具有所述电极的发光二极管芯片。本发明通过采用红外光或紫外光照射待检测的发光二极管芯片，红外光和紫外光能穿透外延片和DBR且不能穿透电极，并获取红外光或紫外光穿透外延片和DBR所产生的图像，从图像中识别并统计具有电极的发光二极管芯片，实现确定带有DBR芯片是否有电极，计数准确。
发光二极管芯片红外光电极外延片图像方法和装置紫外光穿透紫外光照射半导体技术领域处理模块穿透电极光源模块计数装置取像模块紫外光检测穿透统计芯片

[发明专利]一种内层缺陷的检测装置及检测方法-CN201710632437.0在审
发明人：蔡云聪;喻海波;向光胜;叶青贤;吴志浩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种内层缺陷的检测装置及检测方法，属于半导体技术领域。该检测装置包括光源模块、图像获取模块和处理模块，光源模块用于将紫外光照射到待检测的工件上，工件为外延片或发光二极管芯片，图像获取模块用于获取紫外光照射在工件上所产生的待测图像，处理模块用于根据待测图像的灰度判断工件是否存在内层缺陷，通过采用紫外光照射待检测的工件(外延片或是LED芯片)，并获取紫外光穿透工件所产生的待测图像，根据待测图像的灰度判断工件中是否存在内层缺陷，从而不需要通过详细参数的检测判断外延片或LED芯片是否存在内层缺陷。
一种内层缺陷检测装置方法

[发明专利]一种发光二极管芯片的筛选方法-CN201710393746.7在审
发明人： 向光胜;叶青贤;郑水峰;赵鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片的筛选方法，属于固体分离技术领域。包括提供若干发光二极管的芯片；将所有的所述芯片粘附在同一个具有紫外线失粘胶的薄膜上；确定光电参数不合格的所述芯片和外观不合格的所述芯片；采用紫外线照射粘附在光电参数不合格的所述芯片和外观不合格的所述芯片上的紫外线失粘胶，光电参数不合格的所述芯片和外观不合格的所述芯片上的紫外线失粘胶失去粘性，光电参数不合格的所述芯片和外观不合格的所述芯片与所述薄膜分离。本发明可以大大减少了人工目检的工作量，极大地降低了人工、设备和时间成本，有效提高生产效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸笔吸除造成的吸到良好芯片而影响产品良率的问题。
一种发光二极管芯片筛选方法

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