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[发明专利]硅片器件的低温掺杂方法-CN200780023661.4无效
发明人：西瓦·西沃思撒曼;迈赫迪·法鲁克-巴鲁吉 -专利权人：阿里斯技术公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在所选级别的硅衬底上沉积掺杂硅层的低温方法和系统的结构。硅衬底用作光吸收体，而掺杂硅层用作发射体。该方法包括以下操作：将硅衬底定位到适于在该硅衬底上化学气相沉积掺杂硅层的沉积室中，该硅衬底的外表面适用于促进晶体膜生长；使用多个工艺参数调节所述掺杂硅层的生长，该多个工艺参数包括，第一工艺参数，用于抑制掺杂物原子扩散进入该硅衬底外表面的工艺温度，和第二工艺参数，用于提供影响掺杂硅层原子结构的层结晶度的过量氢原子的氢稀释度；把沉积室中的硅衬底的所述外表面暴露于合适环境的化学气相沉积条件下的蒸气，该蒸气包括硅原子、掺杂物原子和过量氢原子，该原子用于生长掺杂硅层；在外表面上开始掺杂硅层的生长以形成掺杂硅层和硅衬底之间的一个界面，以使掺杂硅层包括第一原子结构区域与相邻的第二原子结构区域，该第一原子结构区域具有仅次于界面的高的层结晶度质量，该第二原子结构区域具有低的层结晶度质量，伴随晶体缺陷的密集度的增加，界面上的掺杂硅层的厚度增加。
硅片器件低温掺杂方法

[发明专利]夹层玻璃用中间膜及夹层玻璃-CN201680056470.7有效
发明人：吉田章吾;山本圣树;中山和彦;山口宏平 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C03C27/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种夹层玻璃用中间膜，尽管该中间膜具备含有银的层，也能够抑制夹层玻璃中发生白浊而导致外观缺陷。本发明的夹层玻璃用中间膜，其具有：含有银的第一层、以及含有聚乙烯醇缩醛树脂的第二层，在所述第一层的第一表面侧配置有所述第二层，所述第二层含有具有在氮原子上键合碳原子、氧原子或氢原子而成的基团的化合物，所述具有在氮原子上键合碳原子、氧原子或氢原子而成的基团的化合物是具有哌啶结构的化合物，或者是受阻胺类光稳定剂。
夹层玻璃中间

[发明专利]用于光电子器件的薄层封装，其制造方法以及光电子器件-CN201080013287.1有效
发明人：迪尔克·贝克;托马斯·多贝廷;埃尔温·兰;蒂洛·罗伊施 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：薄层封装(1)具有包括以下层的层序列(2)：第一原子层沉积层(3)，其借助原子层沉积来沉积，以及第二原子层沉积层(4)，其借助原子层沉积来沉积。
用于光电子器件薄层封装制造方法以及

[发明专利]开关管及其制备方法、显示面板-CN201310140575.9有效
发明人：江政隆;陈柏林 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：开关管包括：栅极电极；覆盖栅极电极的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于氧化物半导体层上的第一保护层；与氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖源/漏极电极的第二保护层；其中，所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量并且所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量小于所述第二保护层的单位体积氢原子含量。通过上述方式，本发明能够抑制开关管内半导体层的氧原子与外部氢原子结合，提高器件性能和稳定性。
开关及其制备方法显示面板

[发明专利]半导体器件、形成互连结构的方法-CN201110107566.0有效
发明人：张海洋;洪中山;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体器件、形成互连结构的方法，形成互连结构的方法包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上形成牺牲层；利用压印模具拓印所述牺牲层，在所述牺牲层上形成凸棱，所述凸棱具有顶面和两侧壁；在所述凸棱顶面、侧壁的预定位置以及相邻的凸棱之间形成碳单原子层，作为互连结构；形成粘附层，覆盖所述碳单原子层；去除所述牺牲层；将所述粘附层、碳单原子层转移至第二衬底上，所述第二衬底为半导体衬底，其中形成有器件结构，碳单原子层与所述器件结构电连接。利用碳单原子层的高导电性，本发明形成了由碳单原子层组成的互连结构，可以降低RC延迟，提高半导体器件的性能。
半导体器件形成互连结构方法

[实用新型]开关管及显示面板-CN201320206052.5有效
发明人：江政隆;陈柏林 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：开关管包括：栅极电极；覆盖栅极电极的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上的氧化物半导体层；形成于氧化物半导体层上的第一保护层；与氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及覆盖源/漏极电极的第二保护层；其中，所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量并且所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量小于所述第二保护层的单位体积氢原子含量。通过上述方式，本实用新型能够抑制开关管内半导体层的氧原子与外部氢原子结合，提高器件性能和稳定性。
开关显示面板

[发明专利]通过原子层沉积形成的电荷俘获层-CN201710300524.6有效
发明人：汤福;谢琦;J·W·梅斯;蒋晓强;M·E·吉文斯 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及通过原子层沉积形成的电荷俘获层。本申请公开了一种用于形成适用于V‑NAND堆叠体的层的方法。具体地说，为了形成氮氧化物层，所述方法可以包括用于形成氧化物和氮化物的多重循环。
通过原子沉积形成电荷俘获

[发明专利]原子层淀积的含粘附层钽-CN200580021293.0无效
发明人： S·W·约翰斯顿;K·斯普尔金;B·L·彼得森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在金属的形成中，在至少一个介电材料内制造原子层淀积含粘附层钽的设备和方法，其中原子层淀积含粘附层钽足够薄，以在触点内最小化触点电阻和最大化金属包括但不限于钨的总截面积。
原子层淀积粘附

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010327505.4在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成鳍部结构，鳍部结构包括若干层沟道层和牺牲层，牺牲层内具有第一半导体原子，且自鳍部结构的底部至顶部，牺牲层内的第一半导体原子的原子百分比浓度逐层递减。通过自鳍部结构的底部至顶部，牺牲层内的第一半导体原子的原子百分比浓度逐层递减，由于刻蚀速率与牺牲层内的第一半导体原子的原子百分比浓度呈正比，因而越底层的牺牲层的刻蚀速率越高，使得最终形成的各层鳍部凹槽的深度趋于一致
半导体结构形成方法

[发明专利]一种MOS器件原子层沉积原位制备方法-CN201610982579.5有效
发明人：解婧;卢维尔;屈芙蓉;李楠;王欢;赵丽莉;邢建鹏;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种MOS器件原子层沉积原位制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：对基底进行清洗，放入选区修饰处理腔体；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长半导体材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长半导体材料作为沟道；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长高k绝缘材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长高k绝缘材料作为器件栅介质层；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长金属层提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长金属层作为器件电极
一种 mos 器件原子沉积原位制备方法

[发明专利]光掩模坯、光掩模的制造方法和光掩模-CN202080039879.4在审
发明人：松桥直树;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：光掩模坯(511)在基板上包括被加工膜(21)；从与基板分离的一侧起，包括第1层(311)、第2层(312)和第3层(313)，第1层(311)含有氧和氮，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为50原子％以上，氮含有率为10原子％以下，厚度为6nm以下，第2层(312)含有氧、氮和碳，铬含有率为40原子％以下，氧含有率为30原子％以上，氮含有率为17原子％以上，碳含有率为13原子％以下，厚度为46nm以上，第3层(313)含有氧和氮，铬含有率为50原子％以上，氧含有率为20原子％以下，氮含有率为30原子％以上。
光掩模坯光掩模制造方法

[发明专利]一种Zr/Mo金属多层膜及其制备方法-CN202211450356.6在审
发明人：侯兆琪;王涛;王彩霞;王佩佩;赵莹莹 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2022-11-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种Zr/Mo金属多层膜，Zr/Mo金属多层膜为具有择优取向的多层膜，多层膜包括Zr原子层和Mo原子层；Zr原子层与Mo原子层交替分布，Zr原子层与Mo原子层之间有互混，Zr原子层与Mo原子层的层厚相等
一种 zr mo 金属多层及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯透明导电薄膜的等离子体制备方法-CN201810411860.2有效
发明人：苗中正;沈丽 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：通过等离子体氧化技术对双原子层或三原子层厚度的石墨烯的外层进行氧化修饰，得到可分散在常见溶剂中的外修饰石墨烯材料，运用线棒涂膜法与旋涂法等制备薄膜后还原，得到高导电率透明导电薄膜。本发明方法运用等离子体技术对三原子层石墨烯的外面两层或双原子层的外侧进行氧化修饰，三原子层石墨烯材料中间的片层未被氧化，仍然保持良好的导电性，双原子层石墨烯只有一侧受到氧化，氧化程度相比单层也会有所降低，同时，修饰上含氧基团克服了双原子层或三原子层高质量石墨烯材料难以处理并且容易堆积的问题，实现了石墨烯的性能较好的保持，可应用在光电器件和能源存储等领域。
一种石墨透明导电薄膜等离子体制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010472421.X有效
发明人：张海洋;陈建;柯星 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成多个分立的叠层结构，叠层结构包括第一掺杂层、位于第一掺杂层上的半导体柱以及位于半导体柱上的第二掺杂层；形成保形覆盖半导体柱以及第二掺杂层的栅极材料层；在半导体柱之间形成层间介质层，层间介质层的顶面低于第二掺杂层的底面；对层间介质层露出的栅极材料层进行一次或多次原子层刻蚀处理，形成栅极结构，原子层刻蚀处理包括：在露出层间介质层的栅极材料层的表面形成有机物层，去除有机物层。有机物层使得栅极材料层最表面的原子与内层原子的键能进一步的减小，在去除有机物层的过程中，能够剥离栅极材料层最表面的原子，经过多次原子层刻蚀处理后，能够形成栅极结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201610884455.3在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括提供衬底，衬底上具有多个分立的鳍部且鳍部具有第一原子；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面的伪栅结构，包括栅氧化层以及位于栅氧化层上的伪栅电极层；去除部分厚度伪栅电极层；去除部分厚度伪栅电极层后，采用含有第二原子的气体对鳍部顶部进行退火处理，第二原子能在退火处理中与第一原子形成化学键。本发明去除部分厚度伪栅电极层后，采用含有第二原子的气体对鳍部顶部进行退火处理，由于第二原子能在退火处理中与第一原子形成化学键，因此退火处理适于减少鳍部顶部拐角区域的半导体原子悬挂键(例如硅原子悬挂键)，改善栅氧化层和鳍部之间的界面态，且避免拐角区域的尖角造成尖端放电问题。
场效应形成方法