专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单晶冷却系统-CN202211016829.1在审
  • 焦鹏;黄旭光;苏立宁 - 晶澳太阳能有限公司
  • 2022-08-24 - 2022-12-09 - C30B15/00
  • 本申请属于单晶生产技术领域,具体涉及单晶冷却系统。单晶冷却系统包括:单晶设置有连通单晶腔和单晶外部空间的冷却通道以及控制冷却通道开启或者关闭的控制单元;冷却装置设置于单晶的外部,冷却装置包括冷源端,冷源端用于吸收单晶腔热量;当控制单元使得冷却通道开启时,冷却装置支配冷源端沿冷却通道进入到单晶腔;当冷却装置支配冷源端移出单晶腔后,控制单元使得冷却通道关闭。相比自然冷却的方式而言,本案能够更为快速地吸收单晶内部的热量,从而缩短单晶的冷却时间;另外,相比直接开启单晶而言本案能够在一定程度上减少氧气进入到单晶腔,进而延缓单晶内部的保温材料的氧化。
  • 单晶炉冷却系统
  • [发明专利]一种碳化硅单晶盖及其加工工艺-CN202310727506.1在审
  • 潘燕萍 - 常州市乐萌压力容器有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-07-18 - C30B29/36
  • 本发明涉及碳化硅单晶技术领域,尤其提供一种碳化硅单晶盖及其加工工艺。该碳化硅单晶盖包括单晶盖、导风组件、传动组件以及控制组件。本发明利用传动组件将单晶的动力进行增速、传动至控制组件,控制组件对导风组件开合度及倾斜方向进行控制,使得进去单晶的氩气气流能够在传动组件及控制组件引导下将氩气气流均匀分散于单晶中,对单晶温度进行均匀地扩散,使得在单晶温度分布均匀,避免在单晶生长的过程中出现热点和冷点等问题。
  • 一种碳化硅单晶炉炉盖及其加工工艺
  • [实用新型]一种直拉单晶快速冷却热场装置-CN201620267353.2有效
  • 栗宁 - 银川隆基硅材料有限公司
  • 2016-04-01 - 2016-12-21 - C30B15/00
  • 本实用新型公开的一种直拉单晶快速冷却热场装置,包括升降机构以及水冷管,升降机构用于驱动水冷管进入单晶。本实用新型的直拉单晶快速冷却热场装置解决了现有的单晶冷却时间过长的问题。本实用新型的直拉单晶快速冷却热场装置在停时,通过升降机构将两根水冷管同步伸入单晶热场中,将热场底部保温抬起,通过循环冷却水带走热场中热量,达到降低温度的目的,其结构简单,避免因改造单晶产生的高额费用,利用单晶底预留电极孔即可安装,冷却效果显著,可将拆时间缩短一半。
  • 一种直拉单晶炉停炉快速冷却装置
  • [实用新型]单晶石英坩埚的升降装置-CN201721408207.8有效
  • 陈五奎;刘强;耿荣军 - 乐山新天源太阳能科技有限公司
  • 2017-10-27 - 2018-05-11 - C30B15/10
  • 本实用新型公开了一种能够对单晶石英坩埚在竖直方向上的高度可以调节的单晶石英坩埚的升降装置。该单晶石英坩埚的升降装置,包括坩埚托盘;所述坩埚托盘下方设置有拖杆;所述拖杆穿过单晶的底部;所述单晶下方设置有坩埚旋转系统;所述拖杆与坩埚旋转系统传动连接;所述单晶腔底部设置有环形凸台;所述环形凸台的内圈内设置有与环形凸台螺纹配合的旋转套采用该单晶石英坩埚的升降装置,便于单晶单晶硅的取出,便于对设备的安装调试。
  • 单晶炉石英坩埚升降装置
  • [发明专利]一种单晶冷却组件及冷却装置-CN202210496479.7在审
  • 周旺超;黄剑雄 - 无锡松瓷机电有限公司
  • 2022-05-09 - 2022-07-29 - C30B15/00
  • 本发明提供了一种单晶冷却组件及冷却装置,用于冷却单晶单晶内设置有坩埚,坩埚与单晶的炉壁间设置有保温层,单晶底设有与保温层上下相对的顶升孔,其中的单晶冷却组件包括顶升轴及顶升部,其中:顶升轴安装在顶升部的顶端,顶升部用于向上顶升顶升轴,使得顶升轴经顶升孔顶入至单晶,并向上顶升保温层,以减少保温层覆盖坩埚的面积。通过顶升部和顶升轴的配合,本发明提供的单晶冷却组件能够经单晶底顶升孔顶入至单晶,从而向上顶升位于坩埚周侧的保温层,减少保温层覆盖坩埚的面积,从而加速坩埚的散热速度。
  • 一种单晶炉冷却组件装置
  • [实用新型]一种单晶冷却组件及冷却装置-CN202221089070.5有效
  • 周旺超;黄剑雄 - 无锡松瓷机电有限公司
  • 2022-05-09 - 2022-09-02 - C30B15/00
  • 本实用新型提供了一种单晶冷却组件及冷却装置,用于冷却单晶单晶内设置有坩埚,坩埚与单晶的炉壁间设置有保温层,单晶底设有与保温层上下相对的顶升孔,其中的单晶冷却组件包括顶升轴及顶升部,其中:顶升轴安装在顶升部的顶端,顶升部用于向上顶升顶升轴,使得顶升轴经顶升孔顶入至单晶,并向上顶升保温层,以减少保温层覆盖坩埚的面积。通过顶升部和顶升轴的配合,本实用新型提供的单晶冷却组件能够经单晶底顶升孔顶入至单晶,从而向上顶升位于坩埚周侧的保温层,减少保温层覆盖坩埚的面积,从而加速坩埚的散热速度。
  • 一种单晶炉冷却组件装置
  • [实用新型]一种单晶冷却系统-CN202221089178.4有效
  • 周旺超;黄剑雄 - 无锡松瓷机电有限公司
  • 2022-05-09 - 2022-09-16 - C30B15/00
  • 本实用新型提供了一种单晶冷却系统,用于冷却所述单晶,其包括第一冷却装置和第二冷却装置,其中:第一冷却装置设置在单晶底下方,第一冷却装置被配置为经顶升孔顶入至单晶,并向上顶升保温层,以减少保温层覆盖坩埚的面积;第二冷却装置与单晶口对接,第二冷却装置被配置为经口实施对单晶的冷却。本实用新型提供的单晶冷却系统包括第一冷却装置和第二冷却装置,其中:第一冷却装置经单晶底顶升孔穿入至单晶以向上顶升位于坩埚周侧的保温层,减少保温层覆盖坩埚的面积从而,加快坩埚的散热速度;第二冷却装置则经口实施对单晶的冷却降温
  • 一种单晶炉冷却系统
  • [发明专利]一种预测SiC单晶整体温度场的方法及设备-CN202010322263.X有效
  • 舒天宇;王雅儒 - 山东天岳先进科技股份有限公司
  • 2020-04-22 - 2023-04-25 - G06F30/27
  • 本申请公开了一种预测SiC单晶整体温度场的方法及设备,解决了无法实现对SiC单晶温度场进行实时精确的测量的技术问题。方法包括:基于模拟仿真软件对SiC单晶的测温孔温度场及整体温度场进行仿真,得到训练数据集;通过训练数据集,对神经网络模型进行训练,得到SiC单晶整体温度场的预测神经网络模型;获取SiC单晶的测温孔温度场;将测温孔温度场输入至温度场预测神经网络模型中,对SiC单晶整体温度场进行实时预测。本申请通过上述方法实现了对SiC单晶整体温度场的实时预测,相较于传统的人为经验预测,提高了温度预测的准确度,可以精确调节及控制SiC单晶的坩埚的温度及分布。
  • 一种预测sic单晶炉内整体温度场方法设备
  • [实用新型]单晶压检测装置-CN202320395450.X有效
  • 薛占福;罗乾;苏鑫;韩永龙;高玉顺;罗艳 - 阳光能源(青海)有限公司
  • 2023-03-06 - 2023-08-08 - C30B27/02
  • 本实用新型公开了单晶压检测装置,具体涉及压检测装置技术领域,包括用于检测单晶压的检测器,所述检测器外部设有用于连通单晶的连接组件;所述连接组件上方设有安装在单晶炉上的警示组件;所述连接组件下方设有安装在单晶炉上的压力补偿组件本实用新型通过借助第一阀门的设置,可以使连接管与单晶断开,使得工作人员可以在不关闭单晶的情况下对连接管内的检测器进行检修维护,既可以有效保障单晶的运行效率,也能提高工作人员检修检测器时的便捷性,且将检测器安装于单晶外部,可以避免单晶的结构对检测器造成损坏,保障检测器的使用寿命和使用效果。
  • 单晶炉炉压检测装置

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