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[发明专利]单晶晶棒粘接装置-CN201410064761.3在审
发明人：李双江 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种该单晶晶棒粘接装置。该一种单晶晶棒粘接装置包括：底座；定位机构，设置在底座上以定位托盘；支撑调节机构，可滑动地设置在底座上以支撑单晶晶棒并调节单晶晶棒的位置；检测机构，用于检测单晶晶棒的中心轴线与托盘的中心轴线是否位于同一直线上根据本发明，可以准确检测出单晶晶棒的中心轴线与托盘的中心轴线是否位于同一直线上，精度高，可靠性高，保证后续开方机在切割过程中能够切割出正常的单晶硅块。
单晶晶棒粘接装置

[实用新型]一种单晶晶棒切割用晶托夹紧装置-CN202021436999.1有效
发明人：徐忠好;黄雯雯;刘瑞柱;郭宽新;刘郭军;方圆 -专利权人：河南盛达光伏科技有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：一种单晶晶棒切割用晶托夹紧装置，涉及单晶晶棒切割技术领域，包括工作台，燕尾槽，其特征在于：所述工作台下设置有燕尾槽，燕尾槽卡住连体夹紧装置，连体夹紧装置夹住晶托的蘑菇头，晶托连接单晶晶棒，单晶晶棒置于传输带上
一种单晶晶棒切割用晶托夹紧装置

[发明专利]改善COP的单晶晶棒拉制方法-CN201110231925.3无效
发明人：韩建超;尚海波 -专利权人：上海合晶硅材料有限公司
申请日： 2011-08-14 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善COP的单晶晶棒拉制方法，于石英坩埚内熔融硅，利用籽晶拉制单晶晶棒，围绕石英坩埚设置有上保温筒和下保温筒，所述的石英坩埚上方设置有导流筒，其特征在于，上保温筒设置有1-7层碳毡。本发明中的拉制单晶晶棒的方法，可改善晶棒中的COP，降低了晶棒的不良率，节省生产成本。
改善 cop 单晶晶棒拉制方法

[发明专利]一种单晶晶片及其晶棒的制备方法-CN202011214927.7在审
发明人：尹士平;郭晨光;黄雪丽 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶晶片及其晶棒的制备方法，属于晶体生长技术领域。本发明对传统直拉法进行改进，增加空拉过程，并降低冷却速度，延长冷却时间，所得单晶晶棒制得的直径4寸以上的单晶晶片表面的亮点、波浪纹等缺陷得到有效减少，达到低LPD标准的合格率显著上升，提升了晶棒利用率，
一种晶片及其制备方法

[发明专利]能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法-CN202110897832.8有效
发明人：张兴茂;闫龙;王忠保;李小红;伊冉 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。该方法包括以下步骤：等径前工序中，调节氩气流量为120slm‑130slm，并保持该氩气流量至二段等径工序结束；并且，等径前工序中，调节单晶炉炉压为12 kPa‑15 kPa；一段等径工序中，将单晶炉炉压逐渐升高至18 kPa‑20 kPa；二段等径工序中，维持单晶炉炉压为18 kPa‑20 kPa。通过该方法生产重掺砷硅单晶，能够显著降低所制备的重掺砷硅单晶的电阻率，尤其是将重掺砷硅单晶晶棒的头部电阻率降低至0.0029Ω.cm以下，提高重掺砷硅单晶晶棒的综合利用率，降低生产成本。同时，重掺砷硅单晶晶棒拉制过程中，发生晶变导致NG的概率显著下降，进一步提高重掺砷硅单晶晶棒的合格率。
能够降低头部电阻率 as 硅单晶生产方法

[发明专利]一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法-CN201610750954.3有效
发明人：郑清超;杨昆;高宇 -专利权人：河北同光晶体有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法，第一阶段，将小尺寸SiC晶片外形加工为所需外形，将加工后的晶片进行组合拼接排列并固定于石墨籽晶托上；第二阶段，将固定有小晶片组合的籽晶托置于籽晶升华法体系中，选择适宜单晶横向生长的生长条件，使小尺寸晶片间缝隙被横向生长单晶填充，形成完整的大尺寸SiC籽晶；第三阶段，使用第二阶段获取的大尺寸籽晶，进行籽晶升华法生长，最终获取大尺寸碳化硅单晶晶锭，单晶晶锭经外形加工最终获得大尺寸SiC晶棒。本发明的有益效果是：实现SiC单晶晶棒尺寸的快速增加，节省时间和资源；避免了传统扩径生长方法中径向温度梯度过大导致晶体缺陷增殖和开裂问题。
一种快速制备尺寸 sic 单晶晶棒方法

[发明专利]一种MIM电容及其制造方法-CN201510415355.1有效
发明人：马远;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种MIM电容，包括衬底，所述衬底为一蓝宝石单晶晶片，在其上表面和下表面均依次沉积有过渡层和金属层；一种上述MIM电容的制造方法，所述方法步骤具体如下（1）将蓝宝石晶体通过单线切割或掏料钻钻取的方式加工成单晶晶棒；（2）将单晶晶棒在多线切割机上切割加工成单晶晶片；（3）将单晶晶片清洗干净后作为沉积衬底，在衬底两面先沉积过渡层；（4）再在过渡层的基础上沉积金属层；（5）以金属层作为电极，引出接线端；（6）完成上述本发明的优点在于蓝宝石作为介质材料，电阻率高、介电损耗小，抗电强度高；单晶结构一致使抗电强度Ep在材料内的分布均匀性非常好，没有击穿风险，提高了MIM电容的稳定性。
一种 mim 电容及其制造方法

[发明专利]晶种以及利用该晶种的长晶方法及其装置-CN200810132948.7无效
发明人：谢兆坤;郑经礼;徐文庆;何思桦;蓝崇文 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明晶种以及利用该晶种的长晶方法及其装置，该晶种设有二个以上相互连接的单晶晶锭，而各晶锭间形成有适当间隙D，且D＞1mm，利用该晶种进行拉晶而形成晶棒，使该晶棒具有复数个由单晶晶锭所形成的单晶区，以及由各晶锭间隙所形成的晶界，使该晶棒可以具有较佳的效率与晶棒强度。
以及利用方法及其装置

[发明专利]硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法-CN201480024949.3有效
发明人：樱田昌弘 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒。由此，本发明提供如下硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法，该硅磊晶晶圆用于内存、逻辑电路或固态摄影元件等半导体组件基板，并以掺杂有碳的硅基板为原材料，且工业性优异。
硅磊晶晶圆制造方法

[实用新型]生长蓝宝石单晶晶棒用电极装置-CN201220179999.7有效
发明人：石连升;徐雳 -专利权人：哈尔滨晶石光电技术有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：生长蓝宝石单晶晶棒用电极装置。Al2O3蓝宝石单晶晶棒生长炉水冷电极装置用于生长炉中提供晶体生长所需的热场，电极连接进水管和出水管，上面两个接口为出水口，下面接口为进水口，但是现有电极由于结构复杂不易安装维护，同时形成的热场轴向不够对称一种生长蓝宝石单晶晶棒用电极装置，其组成包括:由两个空芯的环状导电体上下排列构成生长炉的两个电极，所述的电极（2）焊接直立式空芯导电长管柱构成进水口（1），所述的电极焊接直立式空芯导电短管柱构成出水口(本实用新型用于生长蓝宝石单晶晶棒。
生长蓝宝石单晶晶棒用电装置

[发明专利]降低单晶晶棒气孔率的直拉拉晶方法-CN202011628082.6有效
发明人：林通;梁万亮;丁亚国;马国忠;顾燕滨 -专利权人：宁夏申和新材料科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种降低单晶晶棒气孔率的直拉拉晶方法，属于单晶硅生产技术领域。通过增加消泡工序，所拉制的单晶晶棒切片的次品率降低，尤其地，当采用热涂层的坩埚时，所拉制的单晶晶棒切片的次品率由0.5%降低至0.2%，效果显著。
降低单晶晶棒气孔率拉拉方法

[实用新型]蓝宝石单晶晶棒生长炉的籽晶杆-CN201220180068.9有效
发明人：徐雳;石连升;肖飞 -专利权人：哈尔滨晶石光电技术有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：蓝宝石单晶晶棒生长炉的籽晶杆。在Al2O3单晶晶棒(蓝宝石)用生长炉中籽晶杆用来夹持籽晶，但是现有籽晶杆装置具有结构复杂，不易于安装的问题。一种蓝宝石单晶晶棒生长炉的籽晶杆，其组成包括:实心上籽晶杆（7），所述的实心上籽晶杆连接联接杆(5),所述的联接杆插入空心下籽晶杆（1）内,所述的联接杆前端部与所述的空心下籽晶杆前端部之间装有弹簧(6)
蓝宝石单晶晶棒生长籽晶

[实用新型]带有阻尼套的单晶晶体生长炉-CN201120086500.3有效
发明人：吴学军 -专利权人：宁夏日晶新能源装备股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅领域，尤其涉及一种单晶晶体生长炉。一种带有阻尼套的单晶晶体生长炉，包括安装在籽晶腔体内的绳轮，绳轮表面开有绳槽，籽晶绳绕在绳轮上卡在绳槽内，籽晶腔体底部开有绳孔，该单晶晶体生长炉还包括阻尼套，所述的阻尼套安装在绳孔内，阻尼套由聚四氟乙烯制成本实用新型带有阻尼套的单晶晶体生长炉中的阻尼套由聚四氟乙烯制成，不会磨坏价格昂贵的籽晶绳，提高了籽晶绳的使用寿命；另外，在硅单晶生长作业过程中，阻尼套可降低籽晶对中难度，减少籽晶绳的摆动，提高晶棒的精度，解决了晶棒扭曲现象，提高了产品质量。
带有阻尼晶体生长

[发明专利]能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法-CN202110923750.6有效
发明人：闫龙;张兴茂;周文辉;李小红;伊冉;王忠保 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制电阻率反翘的重掺砷硅单晶生产方法，属于硅单晶生产技术领域。通过统计分析，找到重掺砷硅单晶晶棒出现电阻率反翘率峰值处所对应的等径长度及该处影响电阻率反翘的特征因子，通过调整该特征因子，降低电阻率反翘率。例如，通过降低坩埚转速和/或提高单晶炉炉压，能够有效抑制重掺砷硅单晶晶棒电阻率反翘，提高产品合格率，减少浪费。
能够抑制电阻率重掺砷硅单晶生产方法

[发明专利]一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法-CN201510377818.X有效
发明人：徐义库;王丹丹;肖君霞;杨蕾;于金丽;郝建民 -专利权人：长安大学
申请日： 2015-06-27 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法，该方法为一、制备EuPd共晶合金；二、按质量比EuPdSi＝(33.3+X)(16.7‑X)50称取钯粒、硅块和EuPd共晶合金，制备PdSi二元合金；三、将EuPd共晶合金和PdSi二元合金置于感应加热器中熔化均匀，得到熔体，然后将熔体铸成棒材；四、切割棒材得到籽晶棒和给料棒；五、将给料棒安装于晶体生长室内的上轴上，将籽晶棒安装于下轴上，通入高纯氩气，采用光悬浮区熔法生长晶体，待晶体生长结束并冷却后将晶体取出；六、线切割后得到稀土硅化物单晶晶体。本发明可制备得到获得少沉淀、无明显位错与孪晶、质量高的稀土硅化物单晶晶体。
一种稀土硅化物单晶晶体制备方法

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