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[发明专利]一种单晶硅片抛光设备及其抛光方法-CN202210106485.7在审
发明人：朱秀洁 -专利权人：朱秀洁
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片抛光设备及其抛光方法，涉及单晶硅片生产技术领域，包括安置座和抛光组件，所述安置座的上端左侧中部设置有上料输送带，且安置座的上端右侧中部设置有下料输送带，所述安置座的上端靠近边缘处设置有固定框本发明实现对单晶硅片的双面有效抛光工作，实现单晶硅片上料、送料、抛光及清理的自动一体化作业，不需要工作人员手动对单晶硅片进行上下料，保证单晶硅片抛光作业安全性的同时，有效提升单晶硅片的实际抛光效率，不需要对单晶硅片进行翻转即可实现单晶硅片的双面抛光工作，减少单晶硅片的抛光时长，可以有效对抛光过程中产生的细屑进行收集，避免细屑残留在作业面上对单晶硅片的抛光精度造成影响。
一种单晶硅抛光设备及其方法

[发明专利]一种芯片及其制作方法-CN202110290554.X在审
发明人：史仁先;王国峰 -专利权人：青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片及其制作方法，所述芯片的制作方法包括：分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，并将所述预键合硅片置于键合腔室内部以形成键合硅片；对所述键合硅片的高纯单晶硅片面进行抛光处理，并在抛光处理后的所述高纯单晶硅片面上依次形成外延层和功能器件。本申请利用低纯单晶硅片作为牺牲层，得以减小整个高纯单晶硅片的厚度，极大地降低了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。
一种芯片及其制作方法

[发明专利]一种单晶硅片刻蚀抛光设备-CN202211741410.2有效
发明人：严循成;何迎辉 -专利权人：江苏福旭科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了应用于硅片刻蚀领域的一种单晶硅片刻蚀抛光设备，该刻蚀抛光设备通过抛光装置、负压固片机构的设置，使得负压固片机构可在固片筒、密封抵片环等的作用下利用负压对单晶硅片进行固定，即使单晶硅片较薄，也可对单晶硅片进行有效固定，可大大减少单晶硅片掉落现象的发生，且抛光装置可通过化学－机械抛光法同时对多个单晶硅片进行抛光处理，可有效提高抛光效率，另外，通过加强固片机构的设置，使得对单晶硅片进行固定时，固片筒内气压的变化会引发加强固片机构的变化调节，致使多个固片弹性膜会从多个方向贴紧并挤压单晶硅片，从而可加强对单晶硅片的固定效果，进一步的减少单晶硅片掉落现象的发生。
一种单晶硅刻蚀抛光设备

[发明专利]单晶硅片液体抛光方法-CN201010579591.4有效
发明人：郭兵健 -专利权人：郭兵健
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种单晶硅片液体抛光方法，包括改性金刚石磨料的制备和磨削液的制备；抛光方法是，将干燥后的硅片平置吸附在真空吸盘上，调节吸盘高度，使吸盘上硅片距离涡轮顶端的距离为3-4厘米，使硅片处于磨削液液面以下2-3厘米；开启涡轮电机和吸盘电机，进行液体抛光，磨削加工1小时后，卸掉吸盘中的真空取下硅片，将单晶硅片清洗干燥后真空封装，完成单晶硅片抛光加工。该方法利用高速运动的磨削液中的金刚石磨料对单晶硅片进行磨削抛光。单晶硅片的表面仅存在细小的磨料划痕，单晶硅片应力层厚度可控制在5nm以下。
单晶硅液体抛光方法

[发明专利]一种单晶硅片刻蚀抛光方法-CN202011587584.9在审
发明人：张绍太;闵高 -专利权人：苏州金裕阳光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片刻蚀抛光方法，包括以下步骤：步骤一、首先单晶硅片在抛光设备中进行背面酸洗，单晶硅片经过背面酸洗设备，用于去除扩散后硅片背面及边缘的磷硅玻璃，步骤二、然后进行预清洗，去除单晶硅片片面酸残留物以及其他溶于碱的杂质，然后进行水洗，步骤三、其次在槽式设备中进行碱抛光，本发明涉及单晶硅片刻蚀抛光技术领域。该单晶硅片刻蚀抛光方法，通过多次水洗和清洗，大大地避免了酸液和碱液对单晶硅片加工时的影响，提高了加工质量，通过使用TMAH、KOH以及水混合所配溶液对单晶硅片背表面进行抛光，无高浓度F、N元素，大幅度降低废水处理成本
一种单晶硅刻蚀抛光方法

[发明专利]一种集成电路用硅片抛光厚度的精确控制方法-CN202110723046.6在审
发明人：黄珊;王锡铭;张俊宝;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：一种集成电路用硅片化学机械抛光厚度的精确控制方法，包括如下步骤：根据内控标准要求单晶硅片的来料厚度差极值，确定同一组抛光的单晶硅片的来料厚度差极值最大值；通过压力计算方程在抛光过程中不断调整抛光压力；通过温度计算方程在抛光过程中不断调整抛光温度；当同一组抛光的单晶硅片的来料厚度差极值小于内控标准要求的单晶硅片的来料厚度极差值时，选择恒定的满足机械研磨抛光去除速度和化学腐蚀抛光去除速度接近的条件的压力最小值和温度最小值进行抛光，直至达到客户要求的硅片抛光后的厚度目标值本发明方法来料厚度范围宽，生产的抛光硅片，厚度均可控制在客户Spec要求范围之内，厚度均一性显著提高，同时抛光时间大大缩短。
一种集成电路硅片抛光厚度精确控制方法

[发明专利]一种单晶电池的制绒方法及由其制备的单晶电池-CN202011583974.9在审
发明人：贾松燕;何悦;任永伟 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶电池的制绒方法及由其制备的单晶电池。所述制绒方法包括以下步骤：(1)抛光：将单晶硅片在碱液中进行抛光，控制所述单晶硅片的减重≤0.4g；(2)一次清洗：将步骤(1)经过抛光的单晶硅片在双氧水和碱液的混合溶液中进行清洗，然后再进行水洗；(3)制绒；(4)二次清洗；(5)三次清洗；(6)将步骤(5)经过三次清洗后的单晶硅片进行提拉和烘干，得到制绒后的单晶电池。本发明在原有的制绒工艺前，用低浓度碱液抛光硅片，再用双氧水和弱碱清洗抛光面、制绒后再对绒面进行二次修饰，达到对硅片表面的有机物和其余杂质的去除目的，避免污染带来的电池EL异常和漏电。
一种电池方法制备

[发明专利]单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺-CN201710402195.6在审
发明人：张进 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺，主要包括以下流程：单晶生长→切断→外径滚磨→端面磨削、抛光→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。本发明单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺简单，所需设备要求低，成本低，可提高加工效率。
单晶硅单晶硅棒抛光硅片抛光加工单晶生长端面磨削加工效率设备要求研磨切片倒角滚磨清洗腐蚀

[发明专利]一种单晶硅片背面抛光方法及硅片-CN202110638015.0有效
发明人：韩雅楠;刘海金;庞瑞卿;吕闯;时宝;林纲正;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片背面抛光方法，其包括：提供硅片；在硅片的正面形成水膜；将硅片的背面接触第一酸液，以去除PSG；采用氧化液在硅片的正面形成氧化层；背面接触碱液，抛光硅片的背面；采用第二酸液去除硅片正面的氧化层相应的，本发明还公开了一种硅片，其采用上述的单晶硅片正面抛光方法抛光后得到。实施本发明，可提升抛光效率，降低抛光工艺成本。
一种单晶硅背面抛光方法硅片

[发明专利]含全氟取代基的聚乙烯胺共聚物在单晶硅片碱抛光中的应用-CN202210751415.7在审
发明人：刘应良;王陟;韩培丁 -专利权人：上海钧乾智造科技有限公司;郑州大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开含全氟取代基的聚乙烯胺共聚物在单晶硅片碱抛光中的应用，将全氟取代基的聚乙烯胺共聚物配置成碱抛光液对单晶硅片进行抛光处理。本发明将耐酸碱的全氟烷基链共聚到水溶性聚乙烯胺阳离子聚合物主链中的方法，使全氟取代基的聚乙烯胺共聚物含有亲水性‑NH3+功能基团和疏水性耐酸碱全氟烷基链，在单晶硅碱抛光时，氨离子与氧化硅之间有相互作用，将其作为单晶硅片碱抛光的添加剂用于正面氧化硅层的保护剂，单晶硅片进行背面抛光时，既保证了共聚物在正面氧化硅表面的有效组装，又保证了耐酸碱官能团在共聚物自组装膜内的均匀分布，保护单晶硅片的正面PN结不被破坏，提高了单晶硅片背面的抛光效果。
含全氟取代聚乙烯共聚物单晶硅抛光中的应用

[发明专利]硅片的加工方法、具有其的光伏电池和光伏组件-CN202111600106.1在审
发明人：请求不公布姓名;王栩生;李林东;蔡旭;李晶;郭庆红;翟传鑫;袁为进 -专利权人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司;洛阳阿特斯光伏科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提出一种硅片的加工方法、具有其的光伏电池和光伏组件，加工方法包括以下步骤：S1、将单晶硅棒段进行剖方以得到单晶方棒；S2、对所述单晶方棒进行抛光；S3、沿抛光后的所述单晶方棒的纵向切割所述单晶方棒以得到多个单晶方棒段；S4、对每个所述单晶方棒段的切割面进行抛光；S5、沿所述单晶方棒段的截面方向切割抛光后的所述单晶方棒段以得到多个用于制备光伏电池的硅片。本发明实施例可以通过切割矩形方棒直接获得多个小尺寸的用于制备光伏电池的硅片，节省了划片的过程，保证了光伏电池的光电转换效率，且降低了硅片的碎片率，提高了单公斤单晶硅棒段的硅片的出片量，同时可以避免切片后的硅片出现厚度不均
硅片加工方法具有电池组件

[发明专利]一种单晶硅片表面处理装置-CN202210123602.0在审
发明人：武帅帅 -专利权人：武帅帅
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片表面处理装置，涉及单晶硅片加工技术领域，包括底座、支撑座和抛光板，所述底座的顶部外侧设置有转动组件，所述支撑座安置于转动组件的顶部外侧，所述支撑座的顶部外侧连接有吸盘座，且支撑座的外端连接有螺纹座本发明支撑座旋转的过程中，抬升座底部的平滑滚珠能对支撑座支撑，这使得抬升座能在支撑座旋转过程中对支撑座进行支撑，同时平滑滚珠能极大的降低支撑座在转动过程中的晃动，这使得单晶硅片的抛光稳定性可以得到提升，此外通过采用使单晶硅片旋转而抛光条静置的方式进行抛光，能使施加力点处于单晶硅片一侧，这使得单晶硅片在抛光过程中破损的概率能进一步降低。
一种单晶硅表面处理装置

[实用新型]一种用于单晶硅片的抛光机-CN202223033977.2有效
发明人：李充;吕明;郭城;王永超 -专利权人：济南科盛电子有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于单晶硅片的抛光机，包括底板，所述底板顶部设置有放置机构，所述底板顶部固定连接有支架，所述支架前后端内壁均固定连接有限位滑槽；所述支架顶部固定连接有液压缸，所述液压缸输出端固定连接有滑板，所述滑板一侧固定连接有支板；所述支板底部设置有与放置机构相对应的打磨机构，所述底板底部固定连接有多个滑轮；本实用新型通过设计放置机构，在夹板和弹簧的配合下，对单晶硅片进行限位固定，可以灵活的适应大小直径不同的单晶硅片，大大增加了抛光的灵活性；同时设计了打磨机构，驱动电机带动打磨轮转动对单晶硅片进行打磨抛光，打磨稳定，避免工作时单晶硅片发生晃动损伤单晶硅片，影响抛光效果。
一种用于单晶硅抛光机

[发明专利]一种改善单晶硅碱抛光外观问题的添加剂及其抛光工艺-CN202111532367.4在审
发明人：常帅锋;陈心浩;吴家阳;周浩;彭丽;王涛;韩军 -专利权人：嘉兴市小辰光伏科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种改善单晶硅碱抛光外观问题的添加剂及其抛光工艺，包括0.5％‑1％的表面活性剂、2‑3％的脱泡剂、0.5‑1.5％无机盐和去离子水，将表面活性剂、脱泡剂、无机盐和去离子水混合配制成添加剂，在抛光槽中加入去离子水，将碱加入溶解，升温，取上述配制成的添加剂加入抛光槽即得单晶硅碱抛光液，将硅片放入抛光槽中进行反应抛光，相对于传统的单晶硅碱抛光添加剂，明显改善了碱抛光产生的外观“小雨点”问题，并且保持与之前单晶硅碱抛光添加剂对于单晶硅片相同的腐蚀量以及对于单晶硅片背面相同的抛光效果
一种改善单晶硅抛光外观问题添加剂及其工艺

[发明专利]一种不合格单晶硅片边缘处理方法-CN202111565291.5在审
发明人：张爱平;杨乐;何晋康 -专利权人：高佳太阳能股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种不合格单晶硅片边缘处理方法，包括如下步骤：步骤一、将不合格单晶硅片通过机械手上载至边缘抛光设备上的定心台，定心台利用光信号扫描进行参考面的确定及定心；步骤二、经过定心的不合格单晶硅片的圆心固定在真空吸盘上本发明抛光工具进行超声纵向振动和超声切向振动，在抛光垫和单晶硅片之间形成空化作用，使抛光区域内的抛光液始终处于流动状态，而且在抛光工具高频交变的冲击振动带动下，使抛光液中的磨粒不易结块并均匀分布，对抛光垫产生高效清洗作用，减少加工产生物在抛光区和抛光垫上的聚集和沉积，使抛光区始终处于良好的工作状态。
一种不合格单晶硅边缘处理方法

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