专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种单晶炉及其取单晶棒的保护装置-CN201220206940.2有效
  • 赵曙光;张刚;王永辉;李盼 - 英利能源(中国)有限公司
  • 2012-05-10 - 2012-12-12 - C30B35/00
  • 本实用新型公开了一种取单晶棒的保护装置,具有用于托接单晶棒的保护托盘,所述保护装置还具有用于悬挂在单晶炉外壁上的悬挂机构。本实用新型提供的取单晶棒的保护装置,采用悬挂式设计,在单晶炉设备上安装固定螺栓,保护装置通过其悬挂机构可以轻松悬挂于螺栓上,不至于接触单晶棒。此外,由于悬挂式结构的活动性,单晶棒接触保护装置后,保护装置会跟随单晶棒一起晃动,产生甚少阻力,从另一角度增加了设备的安全性。本实用新型还公开了一种具有上述取单晶棒的保护装置的单晶炉,具有较好的安全性。
  • 一种单晶炉及其取单晶棒保护装置
  • [实用新型]一种单晶硅芯片压力传感装置-CN201620645808.X有效
  • 魏满妹 - 魏满妹
  • 2016-06-27 - 2016-11-16 - G01L1/16
  • 本实用新型公开了一种单晶硅芯片压力传感装置,其结构包括外管、导管、保护线路器、壳体、保护膜、传感板、单晶硅芯片、磁铁、衬底、单晶硅层、单晶硅薄膜、真空腔,所述壳体连接所述导管,所述导管两端连接着所述外管,所述壳体内部连接着所述保护线路器,所述导管连接着所述传感板,所述传感板连接着所述保护膜,所述传感板连接着所述单晶硅芯片,所述单晶硅芯片设有衬底,所述衬底之上设置有所述单晶硅层,所述单晶硅层设有所述单晶硅薄膜,所述单晶硅薄膜与所述衬底之间形成所述真空腔,所述真空腔在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构。本实用新型产品单晶硅芯片抗压性能高,不易损坏,传感信号不容易受到干扰。
  • 一种单晶硅芯片压力传感装置
  • [发明专利]测量单晶硅中元素含量的方法及装置-CN202010776364.4有效
  • 衡鹏;徐鹏;李阳 - 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
  • 2020-08-05 - 2023-07-25 - G01N21/3504
  • 本发明提供了一种测量单晶硅中元素含量的方法及装置,属于半导体技术领域。测量单晶硅中元素含量的方法,包括:将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块;形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜,所述保护膜不含氧元素且所述保护膜的熔点低于所述单晶硅样品的熔点;对所述单晶硅样品块进行第一阶段的煅烧,使得所述保护膜完全挥发,所述第一阶段的煅烧温度低于所述单晶硅样品块的熔点;对所述单晶硅样品块进行第二阶段的煅烧,使得所述单晶硅样品块熔化,并对煅烧得到的气体进行检测,得到所述单晶硅样品块的氧,氮,氢含量本发明能够有效提高单晶硅中元素含量的检测准确性。
  • 测量单晶硅元素含量方法装置
  • [实用新型]一种耐盐碱腐蚀的单晶硅片-CN202122144111.8有效
  • 霍育强 - 池州首开新材料有限公司
  • 2021-09-07 - 2022-02-18 - H01L23/12
  • 本实用新型公开一种耐盐碱腐蚀的单晶硅片,涉及单晶硅片领域,包括单晶硅片本体,单晶硅片本体的外侧设置有保护架,保护架内腔中开设有与单晶硅片本体相匹配的安装槽,保护架内腔中设置有二氧化硅层,二氧化硅层一侧设置有耐腐蚀层,保护架底部内腔设置有支撑板,二氧化硅层安装在两个相邻的保护架之间,耐腐蚀层由环氧树脂组成,耐腐蚀层安装在二氧化硅层的一侧,耐腐蚀层和二氧化硅层的厚度相同,通过以上各装置之间的配合使用可以增加单晶硅片的耐盐碱性,更好的对单晶硅片进行保护,防止单晶硅片在沾染盐碱性液体后发生损坏,保证单晶硅片的使用效果,使得单晶硅片具有耐盐碱腐蚀的功能。
  • 一种盐碱腐蚀单晶硅
  • [发明专利]一种绒面单晶硅太阳能电池及其制备方法和制备系统-CN200910088732.X无效
  • 贾士亮 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
  • 2009-07-10 - 2009-12-09 - H01L31/18
  • 本发明提供了一种绒面单晶硅太阳能电池的制备方法,包括:在单晶硅片的一面上制备保护膜,形成具有单面保护膜的单晶硅片;将具有单面保护膜的单晶硅片置于腐蚀液中进行制绒处理,使单晶硅片的另一面腐蚀为绒面;将一面为绒面、一面为保护膜的单晶硅片置于除膜液中进行保护膜去除处理,形成单面绒面的单晶硅片;单面绒面的单晶硅片经过扩散制结过程形成单晶硅太阳能电池。本发明还提供了一种根据所述方法制备的绒面单晶硅太阳能电池和绒面单晶硅太阳能电池的制备系统。根据本发明制备出了单面绒面结构的单晶硅太阳能电池,提高了电池的转换效率,避免了“铝泡”现象的发生;同时利用生产线上的现有设备,提高了设备的利用率。
  • 一种单晶硅太阳能电池及其制备方法系统

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