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[发明专利]硅片处理设备及硅片处理方法-CN202310798724.4在审
发明人：衡鹏;徐鹏;邹亚辉 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了硅片处理设备及硅片处理方法，所述硅片处理设备包括：承载装置，所述承载装置用于沿径向方向从外周承载硅片；两个静压支撑装置，所述两个静压支撑装置分别设置在所述硅片的两侧，以用于通过流体静压以非接触的方式支撑所述硅片；两个磨轮，所述两个磨轮分别设置在所述硅片的两侧，以用于对所述硅片的正面和背面进行研磨；设置在所述两个静压支撑装置中的一个静压支撑装置上的损伤形成装置，所述损伤形成装置用于在所述硅片的背面上形成损伤层。
硅片处理设备方法

[发明专利]热处理设备、热处理方法及硅片-CN202310639107.X在审
发明人：衡鹏;邹亚辉;徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例公开了热处理设备、热处理方法及硅片，所述热处理设备包括：壳体，所述壳体限定热处理腔；设置在所述热处理腔内的分隔装置，所述分隔装置设置成能够与待热处理的硅片配合，以将所述热处理腔分隔成第一子热处理腔和第二子热处理腔，并且所述硅片的第一面位于所述第一子热处理腔中，所述硅片的第二面位于所述第二子热处理腔中；其中，所述第一子热处理腔和所述第二子热处理腔能够分别被通入不同的气氛，以用于对所述硅片的第一面和所述硅片的第二面同时进行不同的热处理，其中，通入所述第一子热处理腔和所述第二子热处理腔中的至少一者的所述气氛具有能够满足设定热处理要求的温度。
热处理设备方法硅片

[发明专利]幅相联合调制超构表面和包含该超构表面的透射阵天线-CN202310595311.6有效
发明人：郭龙;衡鹏;成会;李晓峰;荣沫 -专利权人：四川九洲电器集团有限责任公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种幅相联合调制超构表面和包含该超构表面的透射阵天线，涉及微波天线技术领域，所述超构表面包括若干个超构表面单元，用于对馈源天线辐射出的圆极化波进行透射后得到透射波，在透射的同时对圆极化波进行幅度和相位的调制，超构表面单元包括叠放设置的第一介质板和第二介质板；第一介质板在远离第二介质板的表面设有工作极化方式为椭圆极化的接收贴片，接收贴片的中心蚀刻有第一矩形缝隙，第一介质板在靠近第二介质板的表面设有第一金属地板；第二介质板在远离第一介质板的表面设有工作极化方式为圆极化的发射贴片，第二介质板在靠近第一介质板的表面设置有第二金属地板；接收贴片与发射贴片通过金属化过孔连接。
相联调制表面包含透射天线

[发明专利]一种基于电阻表面的吸波体周期单元及超宽带吸波体-CN202310653085.2有效
发明人：郭龙;衡鹏;吴仕喜;石一平;荣沫 -专利权人：四川九洲电器集团有限责任公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电阻表面的吸波体周期单元及超宽带吸波体，涉及超宽带吸波体技术领域，所述吸波体周期单元包括相互层叠的多个尺寸相同的正方形结构层，各个结构层自上而下依次为第一介质层、第二介质层和金属地板；第一介质层和第二介质层的构造相同；第一介质层具有的电阻表面包括第一电阻膜和第二电阻膜，且第一电阻膜和第二电阻膜通过参考编织花纹图案进行分片设计，且分别包含九个矩形的电阻分片。本发明实现的超宽带吸波体具有结构简单的特点，并且在实现更低剖面高度的同时，兼具了更宽的吸波带宽和更优的低频吸波性能。
一种基于电阻表面吸波体周期单元宽带

[发明专利]测量单晶硅中元素含量的方法及装置-CN202010776364.4有效
发明人：衡鹏;徐鹏;李阳 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量单晶硅中元素含量的方法及装置，属于半导体技术领域。测量单晶硅中元素含量的方法，包括：将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素且所述保护膜的熔点低于所述单晶硅样品的熔点；对所述单晶硅样品块进行第一阶段的煅烧，使得所述保护膜完全挥发，所述第一阶段的煅烧温度低于所述单晶硅样品块的熔点；对所述单晶硅样品块进行第二阶段的煅烧，使得所述单晶硅样品块熔化，并对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧，氮，氢含量。本发明能够有效提高单晶硅中元素含量的检测准确性。
测量单晶硅元素含量方法装置

[发明专利]用于检测硅片表面损伤层深度的方法和系统-CN202211611732.5在审
发明人：衡鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开涉及用于检测硅片表面损伤层深度的方法和系统，该方法包括：沿直径方向对硅片进行解理以获得半圆形的硅片部分；使用激光束对硅片部分的解理面的邻近直径边的侧部进行照射；在激光束经由侧部的被照射的部位发生反射的反射方向上对被照射的部位进行拍摄；以及对拍摄形成的图像进行分析以获得硅片的表面在该部位处的损伤层深度。通过该方法和系统，减小了检测成本并缩短了检测时间。
用于检测硅片表面损伤深度方法系统

[发明专利]用于线切割硅棒的方法、设备及硅片-CN202211601961.9在审
发明人：李安杰;李旭;张婉婉;衡鹏;徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了用于线切割硅棒的方法、设备及硅片，所述方法包括：采用第一线切割工艺参数组线切割第一硅棒以获得多个样本硅片；获得所述样本硅片上的线切割线痕的起伏角度；基于所述起伏角度判断是否存在所述线切割线痕从高效切割面向低效切割面的偏移趋势；基于判断结果，根据所述起伏角度的大小，调整所述第一线切割工艺参数组中的一个或更多个线切割工艺参数以形成第二线切割工艺参数组；采用所述第二线切割工艺参数组线切割第二硅棒。
用于切割方法设备硅片

[发明专利]用于测量硅片边缘损伤层深度的方法和装置-CN202211574148.7在审
发明人：衡鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01B11/22 文献下载
摘要：本公开涉及用于测量硅片边缘损伤层深度的方法和装置，该方法包括：在待测硅片的最外侧周向轮廓上选定测量位置；沿与待测硅片所在的平面垂直的方向在测量位置基于给定角度对待测硅片的边缘进行抛光，其中，给定角度为相对于最外侧周向轮廓在测量位置处的切线的角度；对经抛光而形成的抛光面进行刻蚀；以及测量显现在刻蚀后的抛光面上的损伤的长度，以根据长度与给定角度的正弦值获得待测硅片的边缘在测量位置处的损伤层深度。通过该方法和装置来测量硅片边缘损伤层深度，可以使操作流程更简单、操作起来更方便且在进行多位置检测时总体测量时间更短。
用于测量硅片边缘损伤深度方法装置

[发明专利]一种硅片的双面抛光用的载具以及装置-CN202211562983.9在审
发明人：衡鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B37/28 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅片的双面抛光用的载具以及装置；所述载具包括：呈圆盘状且具备圆形开口的本体；布设在所述本体的圆形开口内周一圈且呈圆环状的缓冲单元，所述缓冲单元被构造成被挤压产生变形之后仍能够使得硅片边缘的抛光量不超过目标抛光量。
一种硅片双面抛光以及装置

[发明专利]测量硅片中氧含量的方法及装置-CN202211526980.X在审
发明人：徐鹏;衡鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了测量硅片中氧含量的方法及装置，所述方法包括：将形成有氧化膜的硅片样品与还原剂投入反应腔室中进行第一阶段的煅烧以使所述氧化膜被氧化还原，并通过检测反应生成的CO和/或CO2获得所述氧化膜的质量，其中，所述第一阶段的煅烧温度低于所述硅片样品的熔点；在所述反应腔室中对所述硅片样品进行第二阶段的煅烧以使所述硅片样品熔化，并通过检测再次反应生成的CO和/或CO2获得所述硅片样品内部的氧元素的质量；基于所述氧化膜的质量和所述硅片样品内部的氧元素的质量获得所述硅片样品内部的氧元素的浓度。
测量硅片含量方法装置

[发明专利]一种用于检测硅片的少子寿命的装置和方法-CN202211567191.0在审
发明人：衡鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于检测硅片的少子寿命的装置和方法，所述装置包括：透明板，所述透明板水平地设置以用于保持对所述硅片进行可检测化处理的液体的液滴；设置在所述透明板上方的驱动单元，所述驱动单元用于驱动所述硅片朝向所述透明板运动，以在所述透明板和所述硅片之间形成间隙并将所述液滴挤压成充满所述间隙的液膜；设置在所述透明板下方的检测单元，所述检测单元用于穿过所述透明板和所述液膜将激光发射至所述硅片以检测所述硅片的少子寿命。通过所述装置能够均匀地钝化硅片表面，将硅片的钝化步骤与检测步骤合并，提高少子寿命检测的精度和效率。
一种用于检测硅片少子寿命装置方法

[发明专利]一种大功率脉冲波形可调航管发射机-CN202211527056.3在审
发明人：谢明堂;杨洋;衡鹏;梅永胜;张良梁;荣沫;潘成胜;卫伟;蒲云林 -专利权人：四川九洲电器集团有限责任公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率脉冲波形可调航管发射机，包括依次连接的频率源电路、前级驱动放大电路、衰减器、末级放大合成电路、大功率环形器、大功率滤波器和耦合检波电路，所述耦合检波电路输出脉冲波形，所述大功率环形器还与接收机连接；所述频率源电路中设有温度传感器，频率源电路的输出波形根据不同的环境温度进行波形调整；根据输出的脉冲波形，实时调整频率源电路的输出波形，使发射机的输出脉冲波形满足指标要求。本发明实现检波信号的幅度根据不同的发射输出功率，“线性”输出，使系统能够准确判断发射输出功率幅度。
一种大功率脉冲波形可调发射机

[发明专利]一种水利工程用防渗止水结构-CN202210923182.4在审
发明人：石庆省;衡鹏;马军;谭浩瑜;李文清;边秋杨;牛亚锋;郭明泰;葛洁;蒋丹枫;杨鹏;赛国斌;赵真;靳鑫;朱培达 -专利权人：杨丰华
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： E02B8/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种水利工程用防渗止水结构，涉及水利工程技术领域，用于解决现有水坝未对垃圾进行收集，造成闸门在关闭时容易因垃圾阻碍导致其无法完全关闭，进而出现渗水的问题，坝体的中部开设有通水口，坝体的顶部对称固定有支撑柱，支撑柱的顶部通过点焊固定有横梁，坝体的顶部固定连接有踏板，横梁的底部设置有收集组件，收集组件包括过渡箱，坝体开设的通水孔内壁两侧对称设置有过渡箱，过渡箱的一侧通过螺栓与坝体外墙固定连接，转杆的底端与通水口内壁底部通过轴承活动连接；本发明与现有技术相比，具有能够将垃圾进行收集防止阻碍闸门的关闭以及在收集垃圾过程中能够将其中的水分去除，降低提升装置的作用符合的优点。
一种水利工程防渗止水结构

[发明专利]石英坩埚及拉晶炉-CN202111162512.4有效
发明人：衡鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于拉制晶棒的石英坩埚，所述石英坩埚包括：由二氧化硅材质制成的坩埚基底；以及镀覆在所述坩埚基底的内表面的一部分上的镀膜，所述镀膜用于在拉制晶棒的过程中阻止所述坩埚基底的被镀覆的部分的氧原子析出，其中，所述镀膜的镀覆面积沿从所述坩埚基底的口部至所述坩埚基底的底部的方向逐渐减少。由于镀膜的存在，熔体与石英坩埚的接触面积有所减少，这也使得拉制出的单晶硅棒的氧含量更为均匀。
石英坩埚拉晶炉

[发明专利]多晶硅二次加料装置、多晶硅铸锭设备-CN202011073109.X有效
发明人：衡鹏;李阳 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅二次加料装置，包括加料筒，所述加料筒沿其延伸方向的顶部和底部均具有开口，所述加料筒的顶部开口处设置有盖体，所述加料筒底部开口设置有挡板，所述挡板靠近所述顶部的一侧连接有能够使得所述挡板移动以打开所述加料筒底部的开口的移动连接件，所述加料筒的侧壁包括套设的内侧壁和外侧壁，所述内侧壁和外侧壁之间的容纳空间内设置有加热结构，所述加热结构用于对加料筒内的多晶硅进行预热。
多晶二次加料装置铸锭设备

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