“半导体结构表面”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13104539个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于形成集成半导体结构的方法和结构-CN201180007701.2有效
发明人：玛丽亚姆·萨达卡;R·艾奥努特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2011-01-04 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造半导体结构的方法和结构，并且特别地提供了用于形成具有改进的平坦度以实现包括已处理半导体结构和多个键合半导体层的键合半导体结构的半导体结构。用于形成半导体结构的方法包括：在已处理半导体结构的非平坦表面上方形成介电层，对介电层的与已处理半导体结构相反的一侧上的表面进行平坦化，以及将半导体结构附接到介电层的平坦化表面。半导体结构包括：覆盖在已处理半导体结构的非平坦表面上方的介电层，以及在介电层的与已处理半导体结构相反的一侧上覆盖介电层的掩蔽层。掩蔽层包括：位于已处理半导体结构的非平坦表面的导电区上方的多个掩蔽开口。
用于形成集成半导体结构方法

[发明专利]半导体结构尺寸的测量方法及设备-CN202110053191.8在审
发明人：李政 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构尺寸的测量方法及设备，在测量过程中，先控制原子力显微镜的探针从预设基准位置沿垂直于待测半导体结构顶表面的方向，朝待测半导体结构顶表面移动第一距离，然后控制探针沿平行于待测半导体结构顶表面的方向保持上述第一距离对待测半导体结构表面进行扫描，并检测探针在待测半导体结构表面上的各个扫描点的振幅；根据探针在待测半导体结构表面上的各个扫描点的振幅，确定待测半导体结构的关键尺寸。本申请在待测半导体结构的表面存在高深宽比的沟槽时，能够避免对待测半导体结构造成破坏，测量方式简单，不受待测半导体结构表面构造的影响，使用范围更加广泛。
半导体结构尺寸测量方法设备

[发明专利]半导体封装结构及其制备方法-CN202110453317.0在审
发明人：黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体封装结构及该半导体封装结构的制备方法。该半导体封装结构具有一第一半导体结构以及一第二半导体结构，该第二半导体结构与该第一半导体结构接合在一起。该第一半导体结构具有一第一接合表面。该第二半导体结构具有一第二接合表面，该第二接合表面部分接触该第一接合表面。该第一接合表面的一部分与该第二接合表面的一部分分开设置，密封该第一接合表面的该部分与该第二表面的该部分之间的间隔，并形成一气隙在该半导体封装结构中。
半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]金属-电介质键合方法和结构-CN202110031282.1有效
发明人：胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属‑电介质键合方法包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一半导体层、处于第一半导体层上的第一电介质层和处于第一电介质层上的第一金属层，其中，第一金属层具有背对第一半导体层的金属键合表面；对金属键合表面施加表面处理；提供第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二半导体层和处于第二半导体层上的第二电介质层，其中，第二电介质层具有背对第二半导体层的电介质键合表面；对电介质键合表面施加表面处理；以及通过使金属键合表面与电介质键合表面键合来使第一半导体结构与第二半导体结构键合。
金属电介质方法结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510136674.9有效
发明人：张海洋;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在所述鳍部侧壁表面以及半导体衬底表面形成第一半导体层；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖部分鳍部侧壁的第一半导体层；在高于隔离层的部分鳍部上形成第二半导体层，所述第二半导体层覆盖鳍部的顶部表面以及部分第一半导体层；在所述第二半导体层表面形成第三半导体层，所述第三半导体层的载流子迁移率大于鳍部的载流子迁移率，且所述第一半导体层、第二半导体层的晶格常数介于鳍部与第三半导体层之间。上述方法可以提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202011187508.9在审
发明人：林志昌;苏焕杰;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括半导体鳍状物、多个半导体纳米结构、栅极结构、介电鳍状物、介电结构及介电层。半导体鳍状物自半导体基板垂直凸起。多个半导体纳米结构直接位于半导体鳍状物上。栅极位于半导体鳍状物上并围绕半导体纳米结构。介电鳍状物位于基板上。介电结构位于介电鳍状物上。介电结构的上表面高于栅极的上表面。介电层位于基板上。介电鳍状物横向分开栅极与介电层，并横向分开半导体纳米结构与介电层。介电层的上表面高于栅极结构的上表面与介电结构的上表面。介电层的下表面低于介电鳍状物的上表面。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201710374695.3有效
发明人：张金;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
半导体器件

[发明专利]半导体元件-CN201710375322.8有效
发明人：张金;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
半导体元件

[发明专利]半导体器件-CN201880025956.3有效
发明人：朴德炫;郑炳学 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：根据本发明的半导体器件包括：导电衬底；半导体结构，其被布置在导电衬底上并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，其被布置在半导体结构上并且电连接到第一导电类型半导体层，其中，半导体结构还包括在第一导电类型半导体层和第一电极之间的1‑1导电类型半导体层；以及半导体结构的顶表面包括：在其上布置第一电极的平坦部以及围绕该平坦部的凹凸部，其中从半导体结构的底表面到接触平坦部的侧表面的凹凸部的底表面的第二距离可以在相对于从半导体结构的底表面到1‑1导电半导体层的顶表面的第一距离的70％或者更多与95％或者更少之间。本发明可以通过改善半导体器件的电流扩散现象来增强光通量。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710293157.1有效
发明人：曹钧涵;陈志明;陈汉誉;王嗣裕;赵兰璘;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本揭露提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含半导体结构、介电层、金属‑半导体化合物薄膜以及覆盖层。所述半导体结构具有上表面与侧面。所述介电层包围所述半导体结构的所述侧面，并且暴露所述半导体结构的所述上表面。所述金属‑半导体化合物薄膜位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属‑半导体化合物薄膜的表面的一部分。所述覆盖层包围由所述介电层暴露的所述金属‑半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN202111634818.5在审
发明人：陈昭兴;王佳琨;庄文宏;曾咨耀;吕政霖 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含多个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及多个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成于环绕部上，并通过多个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201810058016.6有效
发明人：陈昭兴;王佳琨;庄文宏;曾咨耀;吕政霖 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含多个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及多个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成于环绕部上，并通过多个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。
发光元件

[发明专利]形成半导体器件的方法以及半导体器件-CN201610991127.3有效
发明人：安东·毛德;英戈·穆里;约翰内斯·鲍姆加特尔;伊里斯·莫德;弗兰克·迪特尔·普菲尔施;汉斯-约阿希姆·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了形成半导体器件的方法以及半导体器件。根据形成半导体器件的方法，在硅半导体本体的第一表面处形成辅助结构。在半导体本体上在第一表面处形成半导体层。在第一表面处形成半导体器件元件。然后从与第一表面相反的第二表面去除半导体本体至少直至辅助结构的朝向第二表面取向的边缘。
形成半导体器件方法以及

[发明专利]一种半导体与金属涂层的复合结构及其制备方法-CN202111131702.X有效
发明人：王洁;王盛;胡耀程;谢宇鹏;高勇;杜鑫;司清宇;孙秋宇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C4/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体与金属涂层的复合结构及其制备方法，包括如下过程：在惰性氛围中，在半导体衬底表面利用激光进行刻痕处理，增加所述半导体衬底表面的粗糙度；对激光进行刻痕处理后的半导体衬底进行清洁；在经过清洁后的半导体衬底表面制备金属涂层，得到所述半导体与金属涂层的复合结构。本发明通过在半导体衬底表面利用激光进行刻痕处理，加工出刻痕，使得半导体衬底表面具有凹凸不平的结构，增加了半导体衬底表面的粗糙度，有利于金属涂层与半导体衬底表面之间形成机械咬合，提高了半导体衬底表面与金属涂层之间的结合力，从而能够使得半导体与金属涂层的复合结构在进行切割时，避免出现金属涂层脱落、焊接效果不佳的问题。
一种半导体金属涂层复合结构及其制备方法

[其他]半导体基底-CN201190000055.2有效
发明人：尹海洲;朱慧珑;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：一种半导体基底，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构，以隔离至少两个有源区；其特征在于，所述半导体基底还包括：修正半导体区，所述修正半导体区嵌于至少部分数目的所述有源区中，所述修正半导体区材料与所述半导体衬底材料不同，且所述修正半导体区的上表面至少与所述有源区的上表面齐平，所述修正半导体区的下表面高于所述隔离结构的下表面。本实用新型去除了穿过隔离结构进行横向扩散的掺杂离子，保证了半导体器件的阈值电压稳定。
半导体基底

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条