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[实用新型]一种半导体制冷片的在线监测电路-CN201822108323.9有效
发明人：卢景华;王耀星 -专利权人：厦门市百岗电气有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制冷领域，公开了一种半导体制冷片的在线监测电路，包括半导体制冷片、开关元件、电压检测电路和控制器；所述半导体制冷片的至少一端通过开关元件和直流电源连接，形成制冷制热回路；当控制开关元件断开所述半导体制冷片的制冷制热回路，所述半导体制冷片和电压检测电路形成检测回路；所述电压检测电路用于检测半导体制冷片两端的电压变化，输出温差电压信号；所述控制器输出检测脉冲信号用于控制开关元件关断半导体制冷片的制冷制热回路，并在关断制冷制热回路初期本实用新型通过半导体制冷片自身的特性，检测因塞贝克效应而产生于半导体制冷片两端的温差电压，从而判定半导体制冷片的工作状态。
半导体制冷片制热回路制冷电压检测电路温差电压控制开关元件在线监测电路本实用新型开关元件关断检测检测脉冲信号直流电源连接读取半导体制冷控制器输出塞贝克效应电压变化控制器断开判定输出

[发明专利]一种高转换率光伏发电单元-CN201510239931.1在审
发明人：朱根龙 -专利权人：江苏亚星波纹管有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H02S40/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种高转换率光伏发电单元，包括聚光模、半导体光伏芯片，所述聚光模与所述半导体光伏芯片平行。所述聚光模与所述半导体光伏芯片之间设有棱镜，所述棱镜的形状是正四棱台，所述棱镜的顶面与所述半导体光伏芯片连接，所述顶面与所述半导体光伏芯片匹配。所述棱镜的底面置于所述聚光模的焦点处，所述棱镜的材质为高硼硅玻璃。本发明具有这样的有益效果，较大的提高了光能向电能转化的转化率，经过试验，转化率最高达到32％。
一种转换率发电单元

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610379189.9有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，包括：包括第一半导体区的半导体衬底，在第一半导体区上的第一半导体鳍片，在第一半导体鳍片上的第一栅极结构和在第一半导体鳍片和第一栅极结构上的第一掩模层；在衬底结构上形成第二掩模层；对第一和第二掩模层进行刻蚀以暴露未被第一栅极结构覆盖的第一半导体鳍片的一部分；对第一半导体鳍片的暴露部分进行第一离子注入，从而向第一半导体鳍片的处于第一栅极结构下的部分的一部分引入杂质；对第一半导体鳍片的暴露部分进行刻蚀以去除第一半导体鳍片的暴露部分的至少一部分；在剩余的第一半导体鳍片上外延生长第一半导体材料以形成第一源区和漏区。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于验证半导体裸片的方法和装置-CN201480057383.4有效
发明人： P·A·麦金利;W·L·麦克纳尔;R·W·施里夫;T·P·布鲁克;N·C·贾斯玛 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本公开描述了用于基于器件的裸片验证的装置和技术。在一些方面中，在半导体处理期间改变粒子束的强度以提供具有改变的值的器件的半导体裸片。在其他方面中，在半导体处理期间露出半导体裸片的不同区域以提供具有值根据裸片不同而不同的器件的半导体裸片。对于每个半导体裸片来说，基于裸片的对应器件的值生成的值可以与裸片相关联，从而使能半导体裸片的后续验证。
用于验证半导体方法装置

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201910547303.8在审
发明人：金熙中;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：公开了制造半导体装置的方法。所述方法包括：在基底上交替地堆叠多个介电层和多个第一半导体层以形成模结构；形成穿透模结构的孔；在基底上形成填充孔的第二半导体层；以及将激光照射到第二半导体层上。
半导体层模结构半导体装置基底上交替激光照射介电层填充孔堆叠基底穿透制造

[实用新型]一种多级半导体制冷设备-CN202022803495.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：无锡佳同科技有限公司
申请日： 2020-11-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： F25D17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多级半导体制冷设备，涉及半导体制冷技术领域，包括半导体制冷片和散热器，半导体制冷片设置有若干块，若干块半导体制冷片由上至下均匀分布，上下相邻的两块半导体制冷片之间粘接有若干根导热条，若干根导热条从左往右均匀分布，半导体制冷片的右侧设置有输液管，半导体制冷片的左侧设置有回流管，散热器粘接在最上端半导体制冷片的上表面，散热器上端的内部开设有散热腔，散热腔内部的左右两侧均嵌接有散热扇，散热扇底部的正中央设置有第一传动轴通过半导体制冷片与导热条、散热器的配合设置，可以有效的提高半导体制冷片的散热效果，提高半导体制冷片的制冷效果。
一种多级半导体制冷设备

[实用新型]半导体模块-CN201220180854.9有效
发明人：板桥竜也 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供下垫板不根据塑模树脂填充而位移的高可信度的半导体模块。本实用新型的半导体模块是使用具有半导体元件、下垫板和引线的引线框架，将搭载了多个半导体元件的引线框架组装体载置在塑模模具上，从塑模模具的浇口向排气道侧填充塑模树脂，并进行树脂封装的半导体模块，在作为下垫板的最末端的排气道侧上设置有相对于塑模树脂的流动成为塑模树脂的通道的框架贯通区另外，对于引线框架，为树脂封装上部与树脂封装下部之间的厚度相同的薄板状的DIP型封装结构，关于浇口，在侧面具有双浇口，在长度方向上填充塑模树脂。
半导体模块

[实用新型]一种半导体封装-CN202121596465.X有效
发明人：廖世雄 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体封装。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装包含：衬底；第一半导体裸片；第一模塑料；以及第二半导体裸片。所述第一半导体裸片，其邻近所述衬底的表面安置。所述第一模塑料，其邻近所述衬底的所述表面安置并与所述第一半导体裸片间隔一距离。所述第二半导体裸片，其邻近所述第一模塑料的顶表面以及所述第一半导体裸片的顶表面安置。
一种半导体封装

[发明专利]半导体发光器件封装方法以及模制的半导体发光器件条-CN201210047246.5有效
发明人： B.P.洛;N.W.小梅登多普 -专利权人：克里公司
申请日： 2007-08-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光器件封装方法以及模制的半导体发光器件条。半导体发光器件封装方法包括制造衬底，所述衬底被配置为在其上安装半导体发光器件。所述衬底可以包括被配置为在其中安装所述半导体发光器件的腔。半导体发光器件被安装在所述衬底上并电连接到衬底的接触部分。对所述衬底进行液体注模以在所述半导体发光器件上方形成键合到所述衬底的光学元件。在液体注模之前可以在所述腔中的电连接的半导体发光器件上施加软树脂。也可以提供半导体发光器件衬底条。
半导体发光器件封装方法以及

[发明专利]一种水泵壳体铸造装置-CN202211124169.9在审
发明人：杨容;王业果;杜智立;青世博 -专利权人：重庆鑫巴特机械有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B22D33/04 文献下载
摘要：本发明涉及铸造技术领域，具体为一种水泵壳体铸造装置，包括：铸造台，所述铸造台顶端的一侧固定连接有底座，所述底座顶端的两侧分别固定安装有支撑座与下模，所述底座的顶端且位于支撑座与下模之间滑动安装有与下模相配合的上模，所述底座的顶端还开设有出料舱，且出料舱位于上模与下模的正下方。本发明能够使型腔内的水泵壳体快速冷却成型，能够缩短成型时间，能够提高生产效率，且半导体制冷片热端的热量通过第一散热片以及散热孔能够从连接座内排出，能够保障半导体制冷片的制冷效果，能够快速使水泵壳体脱模，
一种水泵壳体铸造装置

[发明专利]一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块-CN202011461654.6有效
发明人：刘凌波;吴永庆;翟仁爽 -专利权人：杭州大和热磁电子有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块。为了克服现有技术半导体制冷装置为传感器制冷时会产生干扰信号的问题；本发明采用包括依次固定连接设置的底座、多层半导体制冷片和屏蔽片；底座包括若干引脚，底座的引脚分别与外部电源连接，底座的引脚通过导线与多层半导体制冷片连接；多层半导体制冷片的各层之间相应位置的半导体颗粒串联；在半导体制冷片的冷面上设置屏蔽片，用于屏蔽半导体制冷片和底座对传感器的干扰信号。
一种屏蔽底座深度半导体制冷模块

[发明专利]具有共用栅极堆叠的双通道CMOS-CN201880032181.2在审
发明人：李忠贤;安藤崇志;V·纳拉亚南;H·贾甘纳特涵 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：实施例涉及用于具有共用过栅极堆叠的双通道互补金属氧化物半导体(CMOS)的方法和所得结构。在衬底上形成第一半导体鳍片。在衬底上与第一半导体鳍片相邻地形成第二半导体鳍片。在第一和第二半导体鳍片上形成氧化物层，并在有效增加第二半导体鳍片的锗浓度的温度下退火。退火工艺对第二半导体鳍片具有选择性，并且不会增加第一半导体鳍片的锗浓度。
半导体鳍片衬底互补金属氧化物半导体退火退火工艺氧化物层栅极堆叠双通道

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210301227.4在审
发明人：詹易叡;潘冠廷;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：形成半导体鳍片，从基板突出；在半导体鳍片的侧壁上形成牺牲盖层；形成第一和第二介电鳍片，夹设半导体鳍片；在半导体鳍片、牺牲盖层、第一以及第二介电鳍片上方形成牺牲栅极堆叠；在牺牲栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔物；去除牺牲栅极堆叠以形成栅极沟槽，其中栅极沟槽露出半导体鳍片、牺牲盖层、第一以及第二介电鳍片；从栅极沟槽去除牺牲盖层，从而露出半导体鳍片的侧壁；以及在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，金属栅极堆叠齿合半导体鳍片
半导体装置制造方法

[实用新型]一种便于调节温度的半导体封装压机-CN202023099472.7有效
发明人：谢映中;曹翔 -专利权人：苏州首肯机械有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装压机领域，公开了一种便于调节温度的半导体封装压机。包括：箱体，箱体上设置有上模和与上模对应的下模，下模上设置有注射头，设于上模和下模上的调温装置，调温装置包括：设于上模和下模一侧的储液腔、设于储液腔内的驱动组件、连通于储液腔的出口端和进口端并位于上模和下模内的循环管路、设于循环管路内的电加热棒、以及设于上模和下模上的散热片。
一种便于调节温度半导体封装

[实用新型]一种半导体制冷收纳袋-CN201720809453.8有效
发明人：陆歆赟 -专利权人：陆歆赟
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：一种半导体制冷收纳袋,包括袋体、束口绳、半导体制冷片和电源，所述袋体开口处具有多个束口扣，所述束口绳一次穿过所述束口扣，述半导体制冷片设置在所述袋体的夹层内，所述电源设置在所述袋体底部，所述半导体制冷片与所述电源通过线路连接，所述半导体制冷片包括吸热板、放热板、金属导流片、N型半导体和P型半导体，多个N型半导体和P型半导体按照“N‑P‑N‑P‑N……”的顺序排列，相邻所述N型半导体和P型半导体通过所述金属导流片连接，所述吸热板和放热板分别设置在所述N型半导体和P型半导体排列两侧。本实用新型将半导体制冷片设置在袋体上，可将袋体内的热量传递到袋体外，可以保持食物的新鲜度，也可存放一些需要低温保存的物品。
一种半导体制冷收纳