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[实用新型]半导体冷暖床-CN200720193125.6无效
发明人：高飞 -专利权人：高飞
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： A47C21/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体冷暖床，它主要包括有外风扇、外散热铝块、温控器、风道、出风口、外罩、内散热铝块、密闭内腔、温差半导体器件、保温层、使用面，其中：在外罩内层设置保温层，在外罩前端两侧分别设置有出风口，在外罩前端设置有电源插座、电源开关、进风口，在外罩与保温层的前腔内安装有开关电源、外风扇、温控器，导线与开关电源、温控器相连，外风扇通过导线与温控器相连；在保温层前端中部开口处安装有温差半导体器件，在温差半导体器件的两端分别设置安装有外散热铝块和内散热铝块，导线与温差半导体器件和温控器相连，在内散热铝块的后端设置安装有内风扇；在密闭内腔内设置安装有感温探头，导线将感温探头与温控器相连。
半导体冷暖

[发明专利]多区域的功率半导体器件-CN201610893921.4有效
发明人：苏明 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种多区域的功率半导体器件。一种功率半导体器件由具有相似结构的多个区域构成。所述区域中的每个可通过在切换到非导通状态期间的开关损耗来表征。所述器件被构造为使得开关损耗在所述区域中的至少两个区域之间不同。此外，所述器件被构造为使得具有较大的开关损耗的区域在具有较小的开关损耗的区域之前切换到非导通状态。
区域功率半导体器件

[发明专利]一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路-CN201911390092.8在审
发明人：蔡俊;陈程;王文焕;刘国巍 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件开关过压保护领域，具体是一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路。本发明的目的是提供一种动态抑制功率半导体器件关断过压的方法，从而保护功率半导体器件，保障开关电路正常工作。动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路采用低成本的器件达到更好的抑制效果，其社会效益与经济效益大大提高。
一种动态抑制功率半导体器件过电压电路

[发明专利]半导体结构及其制造或操作方法-CN200910220892.5有效
发明人： A·B·博图拉;E·J·诺瓦克;J·A·斯林克曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其制造或操作方法。直接在绝缘体上半导体(SOI)衬底的掩埋绝缘体层之下形成第一掺杂半导体区域和第二掺杂半导体区域，第一掺杂半导体区域具有与底部半导体层相同类型的掺杂，第二掺杂半导体区域具有相反类型的掺杂。使第一掺杂半导体区域和第二掺杂半导体区域电接地或相对于底部半导体层以这样的电压正向偏置，该电压不足以由于少数载流子向底部半导体层的正向偏置注入而导致过量的电流，即，电势差不超过0.6V到0.8V。通过连接到第一和第二掺杂半导体区域的电接触来排出由顶部半导体层上的半导体器件中的电信号在诱导的电荷层中形成的电荷，由此降低上面的半导体器件中的谐波信号并增强作为射频(RF)开关的半导体器件的性能。
半导体结构及其制造操作方法

[发明专利]具有开关部件和驱动电子器件的半导体模块-CN200810189591.6有效
发明人： U·詹森;M·舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：具有开关部件和驱动电子器件的半导体模块。一种半导体模块包括具有至少一个半导体开关的至少一个半导体芯片。所述至少一个半导体芯片布置在载体基板上面。至少一个驱动部件驱动所述至少一个半导体开关。电路板具有在所述至少一个驱动部件和所述至少一个半导体芯片之间的信号路径上的电隔离。
具有开关部件驱动电子器件半导体模块

[发明专利]功率转换装置-CN201280061317.5有效
发明人：柴田美里;田中泰仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提供一种功率转换装置，该功率转换装置中，安装于基板的发热电路元器件的热量的散热路径中不经由壳体而能将发热电路元器件的热量高效地向冷却体进行散热，并进一步抑制发热电路元器件的热量而导致的周围温度的上升该功率转换装置包括半导体功率模块，该半导体功率模块的箱体内内置有功率转换用的半导体开关元件，且在该箱体的一个面上设置有对该半导体开关元件进行冷却的冷却构件；安装基板，该安装基板安装有包含发热电路元器件的电路元器件，所述发热电路元器件驱动所述半导体开关元件；冷却体，该冷却体对所述半导体功率模块的冷却构件进行冷却；以及导热支承构件，该导热支承构件将安装于所述安装基板上的发热电路元器件的发热直接传导至所述冷却体，所述导热支承构件包括支承所述安装基板的导热支承板部
功率转换装置

[发明专利]一种肖特基超结半导体装置及其制备方法-CN201210032202.5有效
发明人：朱江;盛况 -专利权人：朱江;盛况
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基超结半导体装置，因为超结结构的存在，提高器件的反向击穿电压，改善器件的正向导通特性；同时器件正向导通为单个载流子导电的器件，器件具有良好的开关特性。本发明还提供了一种超结肖特基半导体装置的制备方法。
一种肖特基超结半导体装置及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN200710160614.6有效
发明人：林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有优良长期可靠性的半导体器件，其缓和布置在最外部处的开关结构中的电流集中。该半导体器件包括最外部开关结构和重复部分开关结构，该最外部开关结构和重复部分开关结构具有：异质半导体区，由带隙宽度与漂移区的带隙宽度不同的多晶硅形成，并与漂移区邻接；栅极绝缘膜；栅电极，邻接到栅极绝缘膜；源电极，连接到异质半导体区的源极接触部分；以及连接到衬底区的漏电极。在导通状态下，最外部开关结构包括以下机制：在最外部开关结构处流动的电流变得小于在重复部分开关结构处流动的电流。
半导体器件

[发明专利]显示器件板及其制造方法-CN201610677826.0有效
发明人：石龙强 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示器件板及其制造方法。显示器件板包括基板和显示器件阵列层，显示器件阵列层包括扫描线、绝缘层、数据线、像素电极和薄膜晶体管开关，薄膜晶体管开关包括：栅极，设置在基板上，栅极上设置有绝缘层，栅极与扫描线连接；半导体层，设置在绝缘层上；源极，与数据线连接，源极的至少一部分与半导体层接触，源极设置有第一保护构件，第一保护构件用于防止源极中的金属离子扩散到半导体层；漏极，与像素电极连接，漏极的至少一部分与半导体层接触，漏极设置有第二保护构件，第二保护构件用于防止漏极中的金属离子扩散到半导体层。本发明能避免预定金属离子从源极和/或漏极中扩散到半导体层中。
显示器件及其制造方法

[发明专利]带有有机半导体材料的半导体器件-CN95190624.0无效
发明人：Ａ·Ｒ·布朗;Ｄ·Ｍ·迪卢;Ｅ·Ｊ·卢斯;Ｅ·Ｅ·哈文加 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 1995-05-10 - 公布日： 2003-04-23 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及到一种带有由有机施主和有机受主分子的固态混合物构成的有机材料的半导体器件。已知一种施主和受主分子之间的克分子比为1.3∶2和1.66∶2的半导性固态混合物。此已知固态混合物的缺点是其电导率较高，以致不能用它来制造开关器件。根据本发明，半导体器件的特征是此材料包含n型或p型半导体材料，n型半导体材料的施主和受主分子之间的克分子比低于0.05，而p型半导体材料的这一比值高于20。根据本发明的固态混合物可用来制造开关半导体器件。此n型和p型有机固态混合物可用来制造晶体管、二极管和场效应晶体管，其制造方法同例如用掺杂的硅或锗时的方法相同。
带有有机半导体材料半导体器件

[发明专利]用于操作电动车辆驱动器的功率模块-CN202110735352.1在审
发明人： F·霍曼;S·海因 -专利权人：采埃孚股份公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于操作车辆、尤其是电动车辆和/或混合动力车辆的功率模块，该功率模块包括多个半导体构件，这些半导体构件构成至少一个拓扑开关；输入触头，该输入触头用于将输入电流馈送到半导体构件中；控制电子器件，该控制电子器件用于控制半导体构件，以便基于输入电流产生输出电流；输出触头，该输出触头用于耦合输出该输出电流；其中控制电子器件被设计用于根据半导体构件的一个或多个状态参数来调节用于半导体构件之一的栅极电流
用于操作电动车辆驱动器功率模块

[实用新型]半导体开关保护装置及应用该装置的麻将机电脑控制器-CN200720113587.2有效
发明人：胡陆陆 -专利权人：胡陆陆
申请日： 2007-08-20 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：半导体开关元件保护装置及应用该装置的麻将机电脑控制器，其中麻将机电脑控制器由半导体开关元件保护装置与锁存器、单片机、看门狗、存储器、电源电路组成；半导体开关元件保护装置包括电源进出线中串联的单个半导体开关元件及其控制的与之串联的负载，或(和)二个半导体开关元件及其控制的与之串联的负载，其特点是：电源进线或(和)出线，或(和)半导体开关元件的进线或(和)出线，或(和)负载的进线或(和)出线，串联有电感器件，可以削减、隔离电网谐波，特别是可逆转电动机的反向电动势，降低对半导体开关元件的冲击，达到对半导体开关元件的保护作用。
半导体开关保护装置应用装置麻将机电脑控制器

[发明专利]一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法-CN202110202189.2有效
发明人：杨艺烜;吴奕霖;李学宝;刘杉;赵志斌;庞辉;崔翔 -专利权人：华北电力大学;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法，所述装置包括：高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元；所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效，填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断，即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切，保证装置长时间稳定运行，控制过程简单，装置可靠性高。
一种 mmc 用功半导体器件可靠性试验装置方法

[发明专利]在沟槽式功率器件中改善终端区低击穿电压的方法-CN201410478892.6有效
发明人：丁永平;李亦衡;王晓彬;马督儿·博德 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于功率转换的MOSFET半导体器件，旨在提供具有较好非钳位感性开关切换能力的沟槽式功率半导体器件，改善沟槽式功率半导体器件在终端区的低雪崩击穿能力并提供制备该器件的方法。
沟槽式功率半导体器件终端区刻蚀制备半导体器件功率器件功率转换击穿电压开关切换雪崩击穿沟槽式预期的屏蔽钳位感性加深

[发明专利]检测器件制造方法、检测器件和检测系统-CN201210168410.8有效
发明人：藤吉健太郎;望月千织;渡边实;大藤将人;横山启吾;川锅润;和山弘 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括排列在基板上的多个像素，并且还包括层间绝缘层，所述像素各自包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，针对每个像素被隔离，并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成，所述层间绝缘层由有机材料制成，设置在所述开关元件与所述电极之间，并且覆盖所述开关元件，所述方法包括：形成绝缘构件，所述绝缘构件均由无机材料制成，并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层；和形成杂质半导体膜，所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极，并且变为所述杂质半导体层。
检测器件制造方法系统