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[发明专利]一种具有阈开关效应的多铁纳米颗粒及其制备方法-CN201510057391.5在审
发明人：王守宇;刘卫芳;徐训岭;张鸿;王旭;郭峰 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阈开关效应的多铁纳米颗粒半导体器件及其制备方法。该半导体器件是由导电的上、下电极与多铁纳米颗粒半导体组成，其中所述的上、下电极层为Pt、Au或Ag薄膜，所述的纳米颗粒半导体是特定元素掺杂的BiFeO3 纳米颗粒。5H2O、Fe(NO3)3·9H2O和掺杂元素的硝酸盐为原料，用适量乙二醇辅以酒石酸将硝酸盐原料溶解，经过干燥凝胶和高温退火后得到特定元素掺杂的BiFeO3纳米颗粒；将纳米颗粒压片烧结，沉积电极层得到多铁半导体器件本器件具有温度的室温阈开关效应，从而对提高纳米存储器件的潜在应用价值产生重要意义。
一种具有开关效应纳米颗粒及其制备方法

[实用新型]半导体偏压电路与半导体监测仪-CN202020726282.4有效
发明人：苏院;彭昭旭 -专利权人：重庆建安仪器有限责任公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体偏压电路与半导体监测仪，包括选频电路、升压整流电路与滤波电路；输入直流电U通过选频电路转化为频率为f0的交流电，并输出给升压整流电路；交流电通过升压整流电路转化为n倍于输入直流电U的直流电U0，n表示升压倍数；直流电U0通过滤波电路滤波后输出给半导体监测仪中的半导体探测器本实用新型的半导体偏压电路使得半导体探测器件摆脱了对高频开关电源的依赖，可以实现将线性电源或低频开关电源的电压转化为能够驱动半导体探测器件工作的偏压，从而解决半导体探测器件受电磁干扰严重的问题。
半导体偏压电路监测

[发明专利]一种具有新型终端结构的功率半导体器件-CN201810560935.3在审
发明人：单建安;伍震威;周贤达;冯浩 -专利权人：中山汉臣电子科技有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种具有新型终端结构的功率半导体器件，本发明涉及一种半导体器件，为提供一种具有高耐压能力、高外来电荷耐受能力、低漏电流、高动态开关响应速度并且易于加工制造的半导体器件，本发明提供一种具有条形螺旋形高阻场板的新型终端结构的半导体器件，通过将条形螺旋高阻场板与终端耐压结构相结合，能够有效提升器件的耐压能力和外来电荷耐受能力，并且相对于传统的高阻平面场板结构而言，可以实现更低的漏电流和更高的动态响应速度，在器件高频开关状态下不存在耐压降低的问题
半导体器件新型终端场板高阻功率半导体器件耐受能力电荷漏电流高频开关状态终端耐压结构动态响应开关响应耐压能力提升器件板结构传统的高动态高耐压螺旋形平面场耐压选材加工制造

[发明专利]带有撬棒电路的转换器单元-CN201980091846.1有效
发明人： A·莫哈纳韦拉马尼;J·斯文森;A·纳米 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：单元包括在单元中形成半桥或全桥拓扑的多个半导体器件(T)。单元还包括连接在至少一个开关支路(6)两端的能量存储装置(5)。单元还包括连接在至少一个开关支路两端的撬棒支路(7)，该撬棒支路包括被布置成短路能量存储装置(5)的多个串联连接的半导体撬棒开关(C)。单元还包括第一和第二AC端子(A、B)，其中AC端子中的至少一个在开关支路的多个串联连接的半导体器件中的两个半导体器件之间连接到至少一个开关支路中的一个，并且在撬棒支路的多个串联连接的撬棒开关中的两个撬棒开关之间连接到撬棒支路
带有撬棒电路转换器单元

[发明专利]发光器件和发光器件封装-CN201110062313.6有效
发明人：丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件和发光器件封装。根据实施例的发光器件包括：第一电极；第一电极上的发光结构，该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；发光结构上的第二电极；以及控制开关，该控制开关被安装在发光结构上，以控制发光结构。
发光器件封装

[发明专利]枝晶生长控制电路和用于控制互连枝晶生长的方法-CN200510123300.X无效
发明人： D·B·赫施贝格尔;S·H·沃尔德曼;M·J·谢拉克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-15 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种电路，其由于枝晶形成电流，防止在半导体器件处理过程中互连上的枝晶形成。该电路包括设置在枝晶形成电流路径的至少一个中的开关。该开关配置为在处理过程中“开路”或处于“截止”状态，以及配置为在处理之后“闭合”或处于“导通”状态，以允许半导体器件的正确功能。该开关可以包括nFET或pFET，取决于它用于控制或防止枝晶形成的环境。开关可以配置为当在制造半导体器件的工作过程中提供输入信号时，变为“闭合”状态。
生长控制电路用于控制互连方法

[发明专利]电气部件装置-CN03119886.4无效
发明人：蛭间淳之 -专利权人：东芝开利株式会社
申请日： 2003-03-07 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电气部件装置，可简化半导体器件、散热件及印刷基板的组装结构，减少操作步骤，有助于降低成本。一种电气部件装置具有：印刷基板(3)；安装在该印刷基板上产生热量大的半导体器件(2)，例如整流二极管模块(2A)和开关元件如晶体管(2B)，及承受这些半导体器件散发的热量进行散热的散热片(1)，上述半导体器件介于印刷基板和散热片之间
电气部件装置

[发明专利]关态不耗电的触摸开关方案-CN200810237287.4有效
发明人：刘硕;刘忠宪 -专利权人：刘硕
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：关态不耗电的触摸开关方案属于电子开关领域，尤其是触摸式电子开关类。通常使用的触摸式电子开关关态要耗电，浪费大量能源。本发明提供一种关态不耗电的触摸式电子开关方案，应用该方案，可以制作不同功能的关态不耗电的触摸开关。交流电源经整流滤波，提供工作电源。将P型半导体器件的控制极与N型半导体器件的输出极相连，将N型半导体器件的控制极与P型半导体器件的输出极相连，形成一正反馈互补开关电路。在其反馈环路中，插入功能电路，把反馈电量作为功能电路的电源，把功能电路的输出信号，去控制反馈的通断，就形成了具有不同功能的互补开关电路。再在互补开关电路的反馈环路中接入一个触摸电路，提供一个启动信号，就会激励所说的具有不同功能的互补开关电路的翻转。
关态不耗电触摸开关方案

[发明专利]一种桥臂开关管的驱动电路、驱动电路及功率变换器-CN202110753639.7有效
发明人：彭兴强;董少青;文静 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种桥臂开关管的驱动电路、驱动电路及功率变换器，桥臂开关管包括第一开关管和第二开关管；第一开关管的第一端连接电源，第一开关管的第二端连接第二开关管的第一端，第二开关管的第二端接地；驱动电路包括至少两个隔离环隔离出的至少两个高压区域，至少两个高压区域包括第一高压区域和第二高压区域；第一高压区域对应第一电压域，第二高压区域对应第二电压域，第一电压域的电压和第二电压域的电压不同；低压区域设置用于驱动第二开关管的半导体器件；第一高压区域和第二高压区域分别设置P型半导体器件，P型半导体器件用于驱动第一开关管。该方案实现高压区域中不同电压域的P型半导体器件的隔离，避免干扰。
一种开关驱动电路功率变换器

[发明专利]电子灭弧装置-CN201410719920.9有效
发明人：郭桥石 -专利权人：广州市金矢电子有限公司
申请日： 2014-11-22 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01H9/30 文献下载
摘要：本发明电子灭弧装置属于电学领域，特别是一种适合于对机械开关作为灭弧用途的电子灭弧装置，包括与机械开关的触点两端并联的功率半导体器件，其特征是：功率半导体器件的主回路连接电压检测电路，电压检测电路的输出端与控制电路连接，电压检测电路用于检测触点闭合；控制电路与功率半导体器件的控制端连接，控制电路在检测到触点闭合时提供功率半导体器件导通控制信号，用于触点闭合弹跳灭弧，本发明电子灭弧装置具有导通时间短、过载能力强、使用方便的优点
电子装置

[发明专利]电热冷却器件及其制造方法-CN201310249122.X有效
发明人： R.奥特伦巴 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了电热冷却器件及其制造方法。在一个实施例中，一种半导体模块包括具有第一侧和相对的第二侧的引线框。半导体芯片被布置在所述引线框的第一侧上方。开关元件被布置在所述引线框的第二侧下方。在另一实施例中，一种形成半导体模块的方法包括提供具有引线框的半导体器件。半导体芯片被布置在所述引线框的第一侧上方。开关元件被附着在所述引线框的相对的第二侧。
电热冷却器件及其制造方法

[实用新型]一种MCT型半导体开关的控制电路-CN201520148921.2有效
发明人：贺思敏;文剑容;何小东;王丽玲 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子技术领域，提供一种MCT型半导体开关的控制电路，以解决MCT型半导体开关关断控制困难的问题，该控制电路包括MCT型半导体开关、电子开关、第一电压源、第二电压源、反极性开关集成稳压器、第一电阻本实用新型提出的技术方案采用普通电子开关控制MCT型半导体开关的开启与关断，因此能够方便的控制MCT型半导体开关，而且该控制电路结构简单，因此易于集成其他电子元器件。
一种 mct 半导体开关控制电路

[实用新型]一种高压功率器件-CN202221703868.4有效
发明人：吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种高压功率器件，包括：半导体衬底、多个垂直型器件元胞以及隔离区。其中多个垂直型器件元胞设于所述半导体衬底上，且多个所述垂直型器件元胞并联；隔离区设于所述半导体衬底，且位于相邻的所述垂直型器件元胞之间，用于降低所述垂直型器件元胞的寄生电容。在本实施例中，通过将多个所述垂直型器件元胞并联来增加高压功率器件的耐压特性，并通过在垂直型器件元胞之间设置隔离区降低所述垂直型器件元胞的寄生电容，以提升高压功率器件的开关速度。
一种高压功率器件

[发明专利]具有在任一侧到器件的电通路的多器件半导体芯片-CN202111330663.6在审
发明人： E·菲尔古特;P·弗里德里希斯;R·奥特伦巴;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体芯片，包括：具有主表面和与主表面相对的后表面的半导体主体；设置在主表面上的第一接合焊盘；设置在后表面上的第二接合焊盘；第一开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第一接合焊盘的第一输入‑输出端子；以及第二开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第二接合焊盘的第一输入‑输出端子。
具有在任一侧器件通路半导体芯片

[发明专利]有宽面积肖特基结的宽带隙半导体开关器件及其制造方法-CN201610105439.X在审
发明人： M·萨焦;S·拉斯库纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本公开提供具有宽面积肖特基结的宽带隙半导体开关器件及其制造方法。开关器件包括半导体材料的本体(2)，其具有第一导电性类型并且由前表面(Sa)界定；第一导电材料的接触层(12)，其与前表面接触地延伸；以及多个掩埋区域(20)，其具有第二导电性类型并且被设置在半导体本体内
面积肖特基结宽带半导体开关器件及其制造方法