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[发明专利]碲基半导体器件的制造方法、由此制造的碲基半导体器件以及薄膜晶体管-CN202180049892.2在审
发明人：郑在景;金兑圭 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲基半导体器件的制造方法，本发明的制造方法，包括：准备基板的步骤；在所述基板上沉积包括碲和氧化碲的碲基半导体材料，来形成碲基半导体层的步骤；以及在所述碲基半导体层上形成钝化层的步骤。根据本发明的制造方法，由于不需要高温热处理或极低温条件，因此，可以通过实用性工艺制造半导体器件。此外，由于在制造过程中，碲基半导体层的结晶度得以提高，因此，可以提供电场迁移率和开关电流比等的电特性优异的p型半导体器件。
半导体器件制造方法由此以及薄膜晶体管

[发明专利]半导体器件和集成电路-CN201811139589.8在审
发明人：孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件，包括：半导体衬底；栅极结构，位于半导体衬底之上；轻掺杂区，位于半导体衬底内且位于栅极结构两侧；以及源极结构和漏极结构，分别位于栅极结构两侧且位于轻掺杂区内，轻掺杂区的掺杂浓度小于源极结构基于此，本公开还提供了包括至少两个半导体器件的集成电路。本公开能够在不加大制造工艺的复杂程度和集成电路面积的同时提高半导体器件的击穿电压，能基于同一工艺制造出具有不同击穿电压的半导体器件且不影响开关速度等工作性能。
半导体器件轻掺杂区栅极结构衬底集成电路半导体击穿电压漏极结构源极结构掺杂工作性能同一工艺影响开关制造工艺轻掺杂制造

[实用新型]半导体器件和集成电路-CN201821598063.1有效
发明人：孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件，包括：半导体衬底；栅极结构，位于半导体衬底之上；轻掺杂区，位于半导体衬底内且位于栅极结构两侧；以及源极结构和漏极结构，分别位于栅极结构两侧且位于轻掺杂区内，轻掺杂区的掺杂浓度小于源极结构基于此，本公开还提供了包括至少两个半导体器件的集成电路。本公开能够在不加大制造工艺的复杂程度和集成电路面积的同时提高半导体器件的击穿电压，能基于同一工艺制造出具有不同击穿电压的半导体器件且不影响开关速度等工作性能。
半导体器件轻掺杂区栅极结构衬底集成电路半导体击穿电压漏极结构源极结构掺杂工作性能同一工艺影响开关制造工艺轻掺杂制造

[实用新型]一种GaN开关电源模组-CN202221384394.1有效
发明人：刘洋 -专利权人：深圳勤基科技有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种GaN开关电源模组。该模组包括：金属基板、GaN半导体开关管电路和电源控制器电路；其中，所述金属基板接地；所述GaN半导体开关管电路设置于所述金属基板上，包括GaN半导体开关管；所述电源控制器电路与所述GaN半导体开关管电路连接，用于驱动所述GaN半导体开关管的环路，所述电源控制器电路包括电源管理控制器。本实用新型实施例提供的GaN开关电源模组，GaN半导体开关管器件可以直接通过金属基板进行散热，很好解决了GaN半导体开关管的散热问题，而且成本较低，生产工艺也较为简单，还减少了材料的浪费，使得GaN应用更容易，提高了第三代半导体市场应用场景，推动了第三代半导体发展。
一种 gan 开关电源模组

[发明专利]一种功率半导体器件健康监测电路及方法-CN202310472633.1在审
发明人：彭英舟;王鑫;帅智康 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件健康监测电路及方法，属于功率半导体器件测量技术领域，功率半导体器件健康监测电路包括：驱动电路用于接收控制芯片输出的脉冲驱动信号，并输出驱动信号控制待测器件工作；第一开关管用于接收控制芯片的第一脉冲信号，并根据第一脉冲信号控制第一开关管的导通或关断；第二开关管，用于接收控制芯片的第二脉冲信号，并根据第二脉冲控制第二开关管的导通或关断；其中，电流源为第一开关管和第二开关管提供激励电流；电压采样模块对待测器件进行电压采样
一种功率半导体器件健康监测电路方法

[发明专利]自充电电容换流型直流断路器及其开断方法-CN202211429172.1在审
发明人：肖宇;郭佳豪;史明明;吴益飞;吴翊;肖小龙;吴凡;郭宁;吴鑫 -专利权人：西安交通大学;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网江苏省电力有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：公开了一种自充电电容换流型直流断路器及其开断方法，直流断路器中，缓冲电容C1串联电阻R1后并联于半导体开关器件S1两端，晶闸管T1一端连接于半导体开关器件S1一端，晶闸管T1另一端串联充电电容C2的一端，充电电容C2的另一端连接于半导体开关器件S1另一端；晶闸管T2一端连接于晶闸管T1与充电电容C2之间，晶闸管T2另一端串联耦合电感L1的一端，耦合电感L1的另一端连接于半导体开关器件S1另一端，耦合电感L2串联换流电容C3后并联于快速机械开关S2两端，金属氧化物避雷器MOV1并联于半导体开关器件S1两端，金属氧化物避雷器MOV2并联于快速机械开关S2两端。
充电电容换流直流断路器及其方法

[实用新型]激光线状演示光源-CN200820104833.2无效
发明人：李鲋瑞 -专利权人：李鲋瑞
申请日： 2008-04-12 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：在方形塑料盒中，柱形光学折射元件、半导体激光器件、电阻、开关、电池、强力磁铁、按特定位置固定在塑料盒上；半导体激光器件、电阻、开关、电池，顺序电串联连接。半导体激光器件输出的激光垂直照射到柱形光学折射元件上形成扇状光束，结构使扇状光束投射到平面上形成线状光路。结构有磁性吸附并可自由移动，可在黑板上做出各种几何光学演示实验。
激光线状演示光源

[发明专利]新型功率器件控制自动化静电防护测试系统及方法-CN201710929414.6有效
发明人：姜一波;董良威;翟明静;鲍静益;葛云飞;王玥;汤洪波 -专利权人：常州工学院
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型功率器件控制自动化静电防护测试系统及方法。该系统的开关控制装置，以若干半导体功率器件分别置于电源与充电传输线之间，其控制信号接入微处理器，另外若干半导体功率器件分别置于充电传输线与脉冲传播传输线之间，其控制信号亦接入微处理器。本发明的系统以半导体功率器件为开关装置，结合多个功率器件开关装置选择合适的充电传输线及其组合，可实现多种脉冲宽度的脉冲测试系统。该系统利用半导体功率器件作为开关装置实现多路径控制，具有成本低、易于制造与调试、便于维护、稳定性好、使用灵活的特点，结合微控制器组成的自动测试系统，可应用于静电防护等自动化测试中，完全满足多脉冲宽度测试需求
新型功率器件控制自动化静电防护测试系统方法

[发明专利]功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备-CN202011474538.8在审
发明人：曾宏;潘学军;刘敏安;陈彦;陈芳林;陈勇民;邹平;沈飞淞 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、
功率半导体器件保护电路控制方法存储介质以及设备

[发明专利]用于固态断路器的电压钳位电路-CN201980086993.X在审
发明人：杜宇;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01H71/10 文献下载
摘要：一个示例性实施例是一种固态断路器，该固态断路器包括主开关器件，该主开关器件包括第一端子和第二端子；以及电压钳位电路，该电压钳位电路与主开关器件并联耦合。电压钳位电路包括金属氧化物变阻器(MOV)，该MOV被串联耦合在第一端子与辅助半导体器件之间，该辅助半导体器件被布置为选择性地将MOV与第二端子耦合；以及旁路电路，该旁路电路被耦合在第一端子与辅助半导体器件之间
用于固态断路器电压电路

[发明专利]一种通过等离子体处理调控有机半导体及其光电器件性能的方法-CN202111106465.1在审
发明人：李立强;黄忆男;陈小松;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体技术领域，具体涉及一种通过等离子体处理调控有机半导体及其光电器件性能的方法，具体包括：在还原性或惰性气氛下，使用等离子体处理有机半导体薄膜，通过对等离子体功率、气压和处理时间的控制实现对有机半导体及其光电器件性能的调控；所述有机半导体性能包括电导率和极型，所述光电器件性能包括迁移率、开关比和阈值电压。本发明提供一种通过等离子体处理调控有机半导体及其光电器件性能的方法，创新性地采用低压低功率等离子体技术，实现了对器件性能精确、有效地调控。
一种通过等离子体处理调控有机半导体及其光电器件性能方法

[发明专利]三相交流高效率电力电子变压器及其控制方法-CN201910212485.3在审
发明人：李子欣;胡钰杰;赵聪;王平;李耀华 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：三相交流高效率电力电子变压器及其控制方法，由全控型半导体开关器件T_x1‑T_x8、反并联二极管D_x1‑D_x8、全控型半导体开关器件三相交流高效率电力电子变压器中，全控型半导体开关器件T_x1‑T_x8、T_y1‑T_y8的开关频率与交流输入电压的基波频率相同，因此这些开关器件的开关损耗极低。所述的三相交流高效率电力电子变压器中，第一高频隔离型DC/DC变换器(1)和第二高频隔离型DC/DC变换器(2)中的半导体开关器件工作在软开关状态，开关损耗也较低。相比现有的交流输入、交流输出的电力电子变压器方案，本发明可以减少半导体开关器件损耗，提高运行效率。
电力电子变压器高频隔离三相交流高效率全控型半导体开关半导体开关器件反并联二极管开关损耗交流输入电压软开关状态基波频率交流输出开关频率开关器件运行效率交流

[发明专利]机电一体式插塞连接器系统-CN201280039060.3有效
发明人：克里斯蒂安·施特勒布尔;米夏埃尔·瑙曼;弗兰克·格迪南 -专利权人：埃伦贝格尔及珀恩斯根有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01R13/703 文献下载
摘要：本发明涉及一种机电一体式插塞连接器系统（S），所述机电一体式插塞连接器系统具有主触头（8）、和在拔出操作时迟缓的辅助触头（9）、以及与辅助触头（9）串联联接且与主触头（8）并联联接的用于去除在拔出操作时产生的电弧的半导体电子器件（10），其中，半导体电子器件（10）具有两个串联联接的半导体开关（10a、10b）和与半导体开关（10a、10b）连接的蓄能器（10e），该蓄能器为了充电而在半导体开关（10a、10b）之间截获拔出操作过程中产生的电弧电压本发明还涉及多头插塞系统（Sn），所述多头插塞系统具有至少两个插塞连接器（S）以及具有插塞连接器（S）所公用的半导体电子器件（10），所述插塞连接器分别具有主触头（8）和迟缓的辅助触头（9），所述半导体电子器件与每个辅助触头
机电体式连接器系统

[发明专利]功率半导体器件电热参数多合一测试系统及测试方法-CN202210748652.8在审
发明人：马柯;冯俞力 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件电热参数多合一测试系统及测试方法，其中测试系统包括：上位机模块、控制电路模块、驱动模块、导通压降监测模块、功率电路模块、测量模块、直流供电模块和温控模块，用于测试功率半导体器件的导通压降、开关损耗和热阻抗电热特性参数。本发明可以测试功率半导体器件开关、导通、热阻抗三方面的电热特性参数，将测试功率半导体器件导通、开关、热阻抗三方面电热特性的测试电路以及测试方法集中到一个测试系统中，使得用户通过一个测试系统就能完成对三种特性参数的自动化测试
功率半导体器件电热参数合一测试系统方法

[实用新型]一种解决三相电压不平衡的SVG装置-CN201420631667.7有效
发明人：雷兆江;吕明君;刘利忠;王军 -专利权人：国网辽宁省电力有限公司朝阳供电公司;朝阳电力勘测设计院有限公司;国家电网公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H02J3/26 文献下载
摘要：解决三相电压不平衡的SVG装置，包括电网谐波电压电流采集PT、CT、消除谐波后的电网电流电压采集点1、SVG控制柜，半导体功率器件、电容C、电抗器L、保护开关K、保护电阻R，电网谐波电流电压采集PT、CT采集的谐波电流及电流电压采集点1采集的消除谐波后的电流均输入SVG控制柜，SVG控制柜输出PWM信号给半导体功率器件，半导体功率器件与电容器C并联，半导体功率器件与电抗器L、保护开关K串联，所述的保护开关
一种解决三相电压不平衡 svg 装置