“半导体封装体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5127149个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有集成式磁场传感器的功率封装体-CN201610455472.5有效
发明人： G·A·巴布拉诺;L·陈;M·丁克尔;F·约斯特;S·米斯林格尔;J·厄特延;T·萨尔米宁 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了一种具有集成式磁场传感器的功率封装体。功率半导体封装体包括：基板，该基板具有多条金属引线；功率半导体管芯，该功率半导体管芯附接到引线中的第一引线；以及磁场传感器，该磁场传感器被集成在与功率半导体管芯相同的功率半导体封装体中，并且被设置为紧密邻近于功率半导体管芯的电流通路
具有集成磁场传感器功率封装

[发明专利]对用电器进行可控的电功率供应的功率模块-CN202010378161.X在审
发明人： T·梅耶 -专利权人：采埃孚股份公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：功率模块具有多个封装式功率半导体、电路板和冷却体并且可能补充性地具有密封料。封装式功率半导体具有可导电的连接元件并且在外侧面上各自具有散热面。功率模块的突出之处在于：封装式功率半导体中的每个封装式功率半导体被布置在冷却体的冷却表面上，并且以其散热面与冷却体的冷却表面以可传导热量的方式相连接，并且电路板被布置在功率半导体的在正交方向上与冷却体相反的一侧，其中在冷却体沿正交方向朝电路板的投影不遮盖连接元件的区域中，例如侧向地在冷却体的边缘旁，功率半导体的连接元件与电路板上的连接面电接触。
用电进行可控电功率供应功率模块

[发明专利]半导体封装及半导体封装的制造方法-CN202010170321.1在审
发明人：进藤正典 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种可使用暂时支撑体简便地制造外部连接端子的连接强度高的半导体封装的半导体封装的制造方法、及可提高外部连接端子的连接强度的半导体封装。本发明在暂时支撑体上形成基底部及配置于基底部上的导电性的基座部，在暂时支撑体的形成有基底部及基座部的一侧配置与基座部电连接的半导体元件，并在暂时支撑体上形成成为埋设基底部、基座部、及半导体元件的状态的绝缘层继而，通过去除暂时支撑体而使基底部及绝缘层的暂时支撑体侧的表面露出，进而将露出的基底部去除，由此使基座部以比绝缘层的表面凹陷的状态露出。在露出的基座部上形成外部连接端子，从而制造半导体封装。
半导体封装制造方法

[发明专利]一种相变材料耦合半导体制冷片的电池热管理装置-CN201810445510.8在审
发明人：赵国柱;周廷博;李亮 -专利权人：南京农业大学
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变材料耦合半导体制冷片的电池热管理装置，包括相变材料封装体、隔热层、测温元件、半导体制冷片和散热器，所述相变材料封装体用于固定电池单体并封装相变材料；所述隔热层与相变材料封装体相接触，用于将隔热层内温度与环境温度隔离，并固定半导体制冷片；所述测温元件安置于相变材料封装体与电池的接触面之间，用于测量电池组温度；所述半导体制冷片用于制冷或制热，安置于隔热层的开孔内，一面与相变材料封装体接触，一面与散热器接触；所述散热器用于加快半导体制冷片工作时与外界换热的速率，以提高半导体制冷片的工作效果。
相变材料封装体半导体制冷片隔热层散热器电池热管理测温元件封装相变材料电池组测量电池组固定半导体工作效果固定电池温度隔离相变材料耦合制冷片散热安置换热开孔制热制冷加热紧凑电池

[发明专利]一种基于半导体封装具备警示功能的结构体-CN202011110111.X在审
发明人：郭芳芳 -专利权人：郭芳芳
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G08B3/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于半导体封装具备警示功能的结构体，涉及半导体封装技术领域，解决了当因震动、锡焊质量等因素作用下，半导体封装壳体部分引脚与电路板锡焊部位脱离时，将导致器件与电路板连接不稳导致故障等情况的发生一种基于半导体封装具备警示功能的结构体，包括矩形条块，设置有一组矩形条块，且矩形条块与半导体封装壳体滑动相连接。当因震动、锡焊质量等因素作用下，半导体封装壳体部分引脚与电路板锡焊部位脱离时，这时矩形条块内部电源处于接通状态，蜂鸣器发出声响，从而提醒工作人员半导体封装壳体与引脚与电路板锡焊部位脱离，及时重新焊接固定
一种基于半导体封装具备警示功能结构

[发明专利]晶片封装体及其形成方法-CN201310192924.1有效
发明人：黄郁庭;张恕铭;何彦仕;刘沧宇 -专利权人：精材科技股份有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一半导体基底；一第二半导体基底，设置于该第一半导体基底之上，其中该第二半导体基底包括一下半导体层、一上半导体层、及位于该下半导体层与该上半导体层之间的一绝缘层，且部分的该下半导体层电性接触该第一半导体基底上的至少一接垫；一信号导电结构，设置于该第一半导体基底的一下表面之上，该信号导电结构电性连接该第一半导体基底上的一信号接垫；以及一导电层，设置于该第二半导体基底的该上半导体层之上，且电性连接该下半导体层的与该第一半导体基底上的该至少一接垫电性接触的该部分。本发明的晶片封装体的下表面上的导电凸块的分布密度可得到舒缓。
晶片封装及其形成方法

[发明专利]用于集成电压调节器的磁芯感应器（MCI）结构-CN201410089273.8有效
发明人： A.A.埃尔谢比尼;K.P.奥布里恩;H.布劳尼施;K.巴拉思 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：描述了包括用于集成电压调节器的磁芯感应器（MCI）结构的半导体封装。在示例中，半导体封装包括封装衬底和耦合到该封装衬底第一表面的半导体裸晶。该半导体裸晶在其上具有第一多金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器层。该半导体封装还包括耦合到该封装衬底第二表面的磁芯感应器（MCI）裸晶。
用于集成电压调节器感应器 mci 结构

[发明专利]包括不同厚度的电再分布层的半导体封装体及其制造方法-CN202111375948.1在审
发明人： T·迈尔;M·格鲁贝尔;T·沙夫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体封装体包括：非功率芯片，所述非功率芯片包括布置在非功率芯片的第一主表面处的第一电接触部。所述半导体封装体还包括功率芯片，所述功率芯片包括布置在功率芯片的第二主表面处的第二电接触部。半导体封装体还包括第一电再分布层，其中，第一电再分布层被配置为在第一电接触部与半导体封装体的第一外部电接触部之间提供电耦合。所述半导体封装体还包括第二电再分布层，其中，第二电再分布层被配置为在第二电接触部与半导体封装体的第二外部电接触部之间提供电耦合。
包括不同厚度再分半导体封装及其制造方法

[发明专利]一种系统级封装模块-CN201710370954.5有效
发明人：吴军辉;鲍宽明;潘伟健 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种系统级封装模块，包括基板、半导体器件、金属框及磁性器件，半导体器件贴装于基板，基板、半导体器件及金属框均封装于封装体中；在基板的厚度方向上，金属框及半导体器件均位于基板与磁性器件之间；金属框具有裸露在封装体外的焊接面，磁性器件位于封装体外，且焊接于焊接面。半导体器件与磁性器件沿基板的厚度方向排布，仅增加封装模块整体的高度，减小了封装模块整体的占板面积；磁性器件堆叠在封装体外，可以减小封装体的尺寸，降低封装成本；金属框可以实现磁性器件与封装体内部结构的电气互联，方便磁性器件的电气互联；同时金属框的焊接面裸露在封装体外，加强散热。
一种系统封装模块

[发明专利]半导体封装结构及制造其之方法-CN201610938688.7有效
发明人：郭进成;李宝男;洪志斌;欧英德 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本案之揭示内容系关于一种半导体封装结构及一种用于制造其之方法。半导体封装封装结构包括一半导体基板，其具有一第一表面及相对于该第一表面之一第二表面。该半导体基板具有自该第二表面延伸至该第一表面之一空间且一绝缘体系设置于该空间中。该半导体封装结构包括该绝缘体中之若干导电柱。
半导体封装结构制造方法

[发明专利]形成堆叠式封装结构的方法-CN201710594258.2在审
发明人：徐宏欣;王启安 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明揭露一种形成堆叠式封装结构的方法。对第一半导体封装体的模封复合物进行激光钻孔，以在模封复合物内形成多个贯穿孔。第二半导体封装体堆叠在第一半导体封装体上，以使第二半导体封装体的多个金属凸块与填充于多个贯穿孔内的导电物质接触。本发明可减少堆叠式封装结构的厚度。
形成堆叠封装结构方法

[发明专利]半导体器件封装和半导体设备-CN201810258640.0有效
发明人：任允赫;李稀裼;申宅均;赵汊济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括：第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装，并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分，并且第二部分插入到第一内插板孔中。
半导体器件封装半导体设备

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN201710845069.8有效
发明人：林汉文;徐宏欣;张简上煜;林南君 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种封装结构及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤：提供载体，在载体上设置半导体晶粒以及至少一牺牲结构；通过多条导线使半导体晶粒与牺牲结构上的接合垫电性连接；于载体上形成封装体以密封半导体晶粒、牺牲结构以及导线；剥离载体，并通过薄化工程来移除牺牲结构的至少一部分；于半导体晶粒与封装体上形成重布线层，所述重布线层通过导线电性连接至半导体晶粒。
封装结构及其制造方法

[发明专利]晶片封装体及其制造方法-CN201510060529.7有效
发明人：何彦仕;刘沧宇;林佳升;郑家明;张恕铭;曾姿雯 -专利权人：精材科技股份有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一半导体基底；一凹口，位于半导体基底内且邻接半导体基底的一侧边，其中半导体基底具有至少一间隔部，该至少一间隔部突出于凹口的一底部；一导线，设置于半导体基底上本发明不仅能够降低与导线电性连接的导电结构的高度，还可减少应力而避免半导体基底破裂，且有效缩短导线的导电路径，进而增加输出信号的布局弹性。另外，由于半导体基底具有突出于凹口的底部的间隔部，因此可避免导线发生短路的问题，进而提升晶片封装体的可靠度。
晶片封装及其制造方法

[实用新型]晶片封装体-CN201520081361.3有效
发明人：何彦仕;刘沧宇;林佳升;郑家明;张恕铭;曾姿雯 -专利权人：精材科技股份有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶片封装体，该晶片封装体包括：一半导体基底；一凹口，位于半导体基底内且邻接半导体基底的一侧边，其中半导体基底具有至少一间隔部，该至少一间隔部突出于凹口的一底部；一导线，设置于半导体基底上本实用新型不仅能够降低与导线电性连接的导电结构的高度，还可减少应力而避免半导体基底破裂，且有效缩短导线的导电路径，进而增加输出信号的布局弹性。另外，由于半导体基底具有突出于凹口的底部的间隔部，因此可避免导线发生短路的问题，进而提升晶片封装体的可靠度。
晶片封装