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[发明专利]半导体器件封装和半导体设备-CN201810258640.0有效
发明人： 任允赫;李稀裼;申宅均;赵汊济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括：第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装，并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分，并且第二部分插入到第一内插板孔中。
半导体器件封装半导体设备

[发明专利]半导体封装件-CN202211655455.8在审
发明人：赵暎相;李稀裼;任允赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括：第一互连结构；第一半导体芯片，位于所述第一互连结构上；包封剂，覆盖所述第一半导体芯片；第二互连结构，设置在所述第一半导体芯片和所述包封剂上，包括多个互连层，并且具有包括台阶部分的开口，所述开口暴露所述多个互连层当中的至少一个互连层的上表面的一部分；以及散热图案，设置在所述开口中，穿过所述包封剂并且与所述第一半导体芯片的上表面的至少一部分接触，并且包括热导率高于硅(Si)的热导率的材料。所述散热图案包括具有第一宽度的下部和设置在所述下部上并且具有大于所述第一宽度的第二宽度的上部，并且所述散热图案的所述上部与所述至少一个互连层的所述上表面的被暴露的所述一部分接触。
半导体封装

[发明专利]具有改善的散热特性的半导体封装-CN202211693885.9在审
发明人：赵暎相;李稀裼;任允赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：第一互连结构；第一半导体芯片，设置在第一互连结构上并且包括多个贯通通路和连接到多个贯通通路的第一焊盘；第二半导体芯片，设置在第一互连结构上，包括电连接到第一焊盘的第二焊盘，并且具有与第一半导体芯片的尺寸不同的尺寸；散热结构，接触并围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个的侧表面，并且包括具有比硅的热导率高的热导率的材料；以及围绕散热结构的侧表面的密封剂。
具有改善散热特性半导体封装

[发明专利]半导体封装件-CN202210890179.7在审
发明人： 任允赫;奥列格·费根森;金相壹;金永培;金志澈;睦承坤;河丁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：下封装件；以及上封装件，在下封装件上；下封装件包括：下封装基底；下半导体芯片和连接端子，在封装基底上，并且连接端子与下半导体芯片的侧表面间隔开；散热层，在下半导体芯片的顶表面上，散热层与下半导体芯片的顶表面接触；以及下模制层，覆盖下封装基底的顶表面和下半导体芯片的侧表面；上封装件包括：上封装基底；上半导体芯片，在上封装基底上；以及上模制层，覆盖上封装基底的顶表面以及上半导体芯片的顶表面和侧表面；其中，连接端子竖直延伸到高于下半导体芯片的顶表面的水平的水平，并且其中，散热层的顶表面从下模制层暴露。
半导体封装

[发明专利]用于基于功率测量的温度检测和热管理的方法及设备-CN202111228263.4在审
发明人：金炳洙;任允赫;白仁焕;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于控制集成电路(IC)的温度的设备和方法。例如，设备可以包括电路(例如，IC)、功率监测器、温度传感器和控制器。在一些示例中，可以基于由动态功率监测器(DPM)测量的功率来估计温度。在一些情况下，可以基于由IC上的温度传感器感测的温度来校正所估计的温度。与温度传感器感测温度的时间时段相比，可以在更短的时间时段和/或更频繁的时间时段中测量功率。因此，可以基于功率测量来更频繁地检测和调节IC的温度，并且可以基于感测的温度来调节温度估计以获得准确度。
用于基于功率测量温度检测管理方法设备

[发明专利]热管理的控制器及设备-CN201710835452.5有效
发明人： 任允赫;任明均;李庆民;李景洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：一种热管理的控制器及设备，可确保设备的用户的安全。控制器被配置成：获取第一元件的温度及第二元件的温度；以及基于所述第一元件的所述所获取温度、所述第二元件的所述所获取温度、所述第一元件的第一温度限值、及所述第二元件的第二温度限值来调整所述第一元件与所述第二元件之间的媒介的热阻。
管理控制器设备

[发明专利]半导体封装-CN202010167252.9在审
发明人：赵暎相;李稀裼;任允赫;郑文燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：封装基底；下部半导体芯片，位于所述封装基底上；中间层，位于所述下部半导体芯片上，所述中间层包括彼此间隔开的多个片段；上部半导体芯片，位于所述中间层上；以及模制构件，覆盖所述下部半导体芯片及所述中间层。
半导体封装

[发明专利]半导体封装件-CN201811168757.6在审
发明人： 任允赫;李稀裼;姜泰宇;金永锡;李庆民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体封装件，其包括第一半导体封装件及中介物。第一半导体封装件包含第一半导体封装衬底及其上的第一半导体芯片。中介物设置在第一半导体封装件上。中介物将第一半导体封装件与外部半导体封装件电性连接，且具有彼此相对的第一侧及第二侧。第二侧位于第一侧与第一半导体封装衬底之间，第一凹槽形成于中介物的第二侧中。第一凹槽具有从中介物的第二侧朝向第一侧延伸的侧壁及连接到侧壁的上部表面，且第一凹槽的上部表面面向第一半导体芯片，且通孔位于中介物中。通孔不会在第一半导体封装件与外部半导体封装件之间传送电信号。本公开的半导体封装件能够在水平方向和竖直方向上传递从半导体芯片所产生的热从而减小热阻。
半导体封装件中介物半导体芯片上部表面侧壁通孔半导体传送电信号凹槽形成彼此相对电性连接外部减小热阻竖直传递延伸

[发明专利]预测设备温度的方法-CN201310103256.0有效
发明人： 任允赫;朴洁;赵泰济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：提供一种预测温度的方法，包括将温度预测电路可操作地耦合到包括半导体芯片的设备，确定温度预测电路的电流和电压之间的相关性，以及使用确定的相关性来预测相对于施加到设备的电力的温度。
预测设备温度系统方法

[发明专利]半导体封装件-CN201610647582.1在审
发明人： 任允赫;奥列格·费根森;金相壹;金永培;金志澈;睦承坤;河丁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装件。半导体封装件可以包括：封装基底；半导体芯片，安装在封装基底上以具有面对封装基底的底表面和与底表面相对的顶表面；模制层，设置在封装基底上以包封半导体芯片；以及散热层，设置在半导体芯片的顶表面上。模制层可以具有基本上与半导体芯片的顶表面共面的顶表面，半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面可以具有彼此不同的表面粗糙度。
半导体封装

[发明专利]半导体封装件和包括半导体封装件的三维半导体封装件-CN201610244292.2在审
发明人：李东翰;文济吉;金郁;安敏善;任允赫;全基文;郑载洙;崔范根;河丁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：提供了半导体封装件和包括半导体封装件的三维半导体封装件。该半导体封装件包括半导体芯片和设置在半导体芯片上的扩展裸片，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。
半导体封装包括三维

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201410748653.8在审
发明人：赵汊济;赵泰济;任允赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装件。至少一个半导体芯片安装在封装衬底上。模制层覆盖所述至少一个半导体芯片。模制层暴露出所述至少一个半导体芯片的最上面的半导体芯片的顶表面的一部分。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装及其形成方法-CN201110365144.3无效
发明人： 任允赫;李忠善;赵泰济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了半导体封装及其形成方法。该半导体封装包括封装盖，该封装盖能够辐射高温并起到防止电磁波传输到半导体封装中和/或从半导体封装传输到外面的屏蔽功能。包括封装盖的半导体封装防止了芯片故障并改善了器件可靠性。封装盖设置为覆盖半导体封装的第一和第二半导体芯片。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]微热通量传感器阵列-CN200710008002.5有效
发明人：俞裁旭;任允赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-05 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有减小的热阻的微热通量传感器阵列。微热通量传感器阵列可以包括：基底；形成于基底的第一侧上的多个第一传感器；和形成于基底的第二侧上的多个第二传感器。多个第一和第二传感的每个包括：第一导电材料的第一布线图案层，接触第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层，和接触第一和第二布线图案的绝缘层。
通量传感器阵列

[发明专利]半导体封装-CN200510083354.8无效
发明人：姜锡采;李始勋;姜思尹;金东汉;金玖星;任允赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装，包括半导体芯片、在其上形成有导线图形的电路板、以及包括插入到电路板开口中的并且在其上放置有半导体芯片的金属结构。由于半导体芯片直接接触金属结构，提高了热特性。由于电路板被金属结构所支持，提高了机械稳定性。
半导体封装

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