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[实用新型]一种芯片加工用化学气象沉积装置-CN202221143756.8有效
发明人：赵一凡;傅仁宏;徐梦晨 -专利权人：江苏应材微机电科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片加工用化学气象沉积装置，包括气象沉积装置主体和放料口，所述气象沉积装置主体内设置有设备座，且设备座的顶部设置有加热座，所述加热座内设置有加热组件，且加热组件的顶部连接有固定导热板，所述气象沉积装置主体的一侧连接有抽气管道，且抽气管道的另一端与真空泵连接，所述气象沉积装置主体的内顶部连接有分散管，所述放料口设置在气象沉积装置主体的另一侧。该芯片加工用化学气象沉积装置，设置有电动滑块和电动伸缩杆，在电动滑块和电动伸缩杆的配合下，电动抓手可伸入气象沉积装置主体的内部将圆形导热板及其上方的芯片从气象沉积装置主体内取出，同理也可自动完成放件操作
一种芯片工用化学气象沉积装置

[发明专利]一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统-CN202310582589.X在审
发明人：梁正;孟国均;李建设;吕永峰;郭蕊;钱光凝;仪得志;陈源茂;刘纪江;丁远清 -专利权人：河南硅烷科技发展股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及区熔级多晶硅技术领域，具体公开了一种基于浸润性调控方法的区熔用电子级多晶硅制备系统，包括化学气象沉积炉、底板、通气柱节、侧围通气柱和通气底槽，每个通气柱节分别设置于化学气象沉积炉的内部，且多个通气柱节由下至上依次连通，底部的通气柱节贯穿底板与化学气象沉积炉，每根侧围通气柱分别与底板固定连接，且每根侧围通气柱分别贯穿底板与化学气象沉积炉，通气底槽与通气柱节和多根侧围通气柱连通。可以防止低温气体由固定点位通入，导致局部温度过低，导致硅棒发生裂痕的情况，并且可以使硅烷和氢气在化学气象沉积炉的内部均匀分布，可以提高硅棒生长的浸润性，使得硅棒均匀沉积，提高硅棒的生长品质。
一种基于浸润调控方法用电多晶制备系统

[实用新型]化学气象沉积设备-CN202022097497.7有效
发明人：周坤玲 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本申请公开一种化学气象沉积设备，所公开的化学气象沉积设备包括腔室本体(100)、承载装置(300)和驱动机构(400)，其中：所述腔室本体(100)形成容纳腔(500)，所述承载装置(300)设置于所述容纳腔上述方案能够解决化学气象沉积设备的产能较低以及严重影响工作人员健康的问题。
化学气象沉积设备

[发明专利]等离子体化学气象沉积反应器的直接指令反步控制方法-CN202310197626.5在审
发明人：于兴虎;郑晓龙;孟欣博 -专利权人：宁波智能装备研究院有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：等离子体化学气象沉积反应器的直接指令反步控制方法，涉及非线性控制技术领域，针对现有技术中基于直接指令滤波的等离子体化学气象沉积反应器的跟踪控制方法设计的控制信号存在跟踪误差大的问题，本申请通过基于直接指令滤波构造不确定估计可以使基于直接指令滤波的等离子体化学气象沉积反应器的跟踪控制方法设计的控制信号u能使系统的跟踪误差收敛到原点附近的小领域内。进而解决了控制信号存在跟踪误差大的问题。
等离子体化学气象沉积反应器直接指令控制方法

[发明专利]疏水玻璃-CN202210343016.7在审
发明人：祝毅宁 -专利权人：祝毅宁
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种疏水玻璃及其制备方法，涉及疏水玻璃制备技术领域，其包括以下步骤：S1:清洗玻璃;S2:炭黑烘烤；S3:化学气象沉积；S4:退火；S5:低表面能物质修饰；其中，S3化学气象沉积包括以下试剂：正硅酸乙酯3ml、氨水3ml；S3化学气象沉积包括以下步骤：S31:将烘烤有炭黑的玻璃放入大烧杯中，将正硅酸乙酯与氨水分别加入两个小烧杯中；S32:将小烧杯放入装有烘烤过的玻璃的大烧杯中，用保鲜膜密封
疏水玻璃

[发明专利]化学气相沉积装置及化学气象沉积方法-CN202110397430.1在审
发明人：蒋镇宪;白国斌;高建峰;王桂磊;丁明正;田光辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积装置及化学气象沉积方法，其中化学气相沉积装置包括：供气头、载件和机箱；载件位于机箱内，载件用于承托晶圆，载件位于供气头朝向沉积方向的一侧，供气头朝向沉积方向的表面开设有喷射口，供气头用于通过喷射口向载件喷射反应气体，以对载件所承托的晶圆进行化学气相沉积；供气头朝向沉积方向的一端的外围周侧套接有保护套，喷射口位于保护套内；保护套的内壁与供气头朝向沉积方向的表面形成一反应凹槽；在供气头对载件上的晶圆进行化学气相沉积时本发明能够提高晶圆化学气相沉积的均匀性，进而提高晶圆的质量。
化学沉积装置气象方法

[实用新型]一种物理化学气象沉积装置-CN201922106669.X有效
发明人：许梁;彭博军;李权;胡丽芸;曾坚;马宗乐 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型属于气象沉积技术领域，尤其为一种物理化学气象沉积装置，包括气相沉积装置本体以及气相沉积装置本体上安装的通管，通管内开设有空腔，通管的表面上一体成型有衔接壳，衔接壳的的内部开设有空槽，空槽中设置有连杆，通过通管内部边壁上设置的套筒，配合电机对其的动力输出效果，令连杆连带着套筒和环片在气象沉积装置工作的同时不断的进行转动，有效的防止了粉尘与通管壁面上的粘连，保证通管内空腔中物料传输的正常进行，同时通过合页的翻转作用，令背板与气相沉积装置本体之间有着较好的快速翻开能力，使得工作人员在对气象沉积装置进行维护时，可从前后两侧对内部构件进行观察修理。
一种物理化学气象沉积装置

[发明专利]一种化学气象沉积设备下部电极的制备方法及其焊接装置-CN202210634839.5有效
发明人：裴京春;倪响 -专利权人：苏州外延世电子材料有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气象沉积设备下部电极的制备方法及其焊接装置，包括以下步骤：步骤一：首先将一块板材放入热处理炉进行热处理，消除应力；步骤二：将步骤一中的板材放置于加工中心工作台的真空吸盘上，进行真空吸附固定本发明针对现有技术中在化学气象沉积设备下部电机的制备中，通过普通方式焊接会使得焊接面不够干净、消耗材料多和产生的气体污染较大等问题进行改进。本发明具有在化学气象沉积设备下部电机的制备中，通过搅拌摩擦焊进行台板盖板焊接，使得焊接面干净、焊接材料消耗少和降低污染，并且在焊接工作时，焊接更加高效等优点。
一种化学气象沉积设备下部电极制备方法及其焊接装置

[发明专利]化学气相沉积炉-CN201010504602.2无效
发明人：张博 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学气相沉积炉，包括用于进行化学气象沉积的反应腔以及与所述反应腔连通的气体输出管道，所述化学气相沉积炉还包括气压自动控制装置，所述气压自动控制装置的一部分设置于所述气体输出管道中，所述气压自动控制装置不受外界大气压影响自动调节所述反应腔和所述气体输出管道中的气压来实现反应腔和所述气体输出管道内气压稳定本发明的化学气相沉积炉能够提高化学气相沉积炉内不同位置的晶圆表面薄膜的厚度和薄膜均匀性，以及各批次之间的晶圆表面薄膜的厚度的均匀性。
化学沉积

[发明专利]一种亚毫米-微米-纳米跨尺度三维图案化超浸润表面电化学加工方法-CN202010484635.9有效
发明人：杨晓龙;唐煜;朱荻 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种亚毫米‑微米‑纳米跨尺度三维图案化超浸润表面电化学加工方法，采用电沉积技术在导电基底沉积微纳结构层，获得具有微纳米结构的超亲水表面，经氟硅烷‑乙醇溶液浸泡或化学气象沉积低表面能分子层获得超疏水性表面；采用旋涂或自流平的方式附着胶膜；利用光刻或者纳秒/飞秒激光加工镂空图案的方式对胶膜加工获得掩膜；定域沉积获得均匀润湿性超亲水三维图案化表面或者非均匀润湿性超疏水‑超亲水三维图案化表面；再经氟硅烷‑乙醇溶液浸泡或化学气象沉积低表面能分子层获得均匀润湿性超疏水三维图案化表面
一种毫米微米纳米尺度三维图案浸润表面电化学加工方法

[发明专利]同时驱入镍和调整阈值电压的多晶硅薄膜晶体管的制法-CN201110145949.7无效
发明人：赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;贾洪亮;黄飚;黄宇华;史亮亮;张峰 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：步骤10)、在衬底上通过低压化学气象沉积来沉积45nm的a-Si有源层，沉积100nm厚的低温氧化物；步骤20)、随后将低温氧化物层蚀刻，形成多个诱发线，溅射Ni沉积到表面上；步骤30)、在镍溅射之后进行硼注入。
同时驱入镍调整阈值电压多晶薄膜晶体管制法

[发明专利]可排出氢气的锂电池铝箔电极沉积石墨烯薄膜用PECVD装置-CN201710407779.2在审
发明人：李涛;杨海燕;袁志刚;李文莉;李雨澄 -专利权人：李涛
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：可排出氢气的锂电池铝箔电极沉积石墨烯薄膜用PECVD装置，把真空沉积的PECVD腔体分成沉积室、气体分离室、储氢室，沉积过程使内部的气体流动循环，循环中通过仅可通过氢气的氢气滤膜过滤出氢气并排出到PECVD腔体外，在铝箔电极表面用等离子增强化学气象沉积碳形成石墨烯薄膜过程减少因氢含量过高影响石墨烯结构形成和沉积石墨烯不均匀，属于电池材料设备技术领域。
氢气沉积石墨烯薄膜铝箔电极石墨烯锂电池排出化学气象沉积设备技术领域等离子增强气体分离室电池材料结构形成滤膜过滤气体流动真空沉积不均匀沉积室储氢室

[发明专利]等离子增强化学气象沉积设备的控制方法-CN200710159306.1有效
发明人：于海斌;王宏;林跃;徐皑冬;周建辉;康凯;刘明哲;胡河春 -专利权人：沈阳中科博微自动化技术有限公司;中国科学院沈阳自动化研究所
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明属于控制系统技术，具体地说是一种等离子增强化学气象沉积设备的控制方法。采用本发明可实现对化学气象沉积的非常精确的工艺控制，能够满足半导体器件制造过程中的工艺要求。
等离子增强化学气象沉积设备控制方法

[发明专利]通过使用聚合物掩模的选择性沉积-CN201280059809.0无效
发明人： M.S.伯贝里;D.H.莱维 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：氰基丙烯酸酯聚合物用作沉积抑制剂材料并首先作为沉积抑制剂材料施加。该沉积抑制剂材料可以图案化以便在接收基底上提供其中不存在沉积抑制剂的选定区域。随后使用化学气象沉积技术仅在其中不存在该沉积抑制剂材料的那些区域中在接收基底上沉积无机薄膜。该氰基丙烯酸酯聚合物沉积抑制剂材料可以在形成图案化薄膜之前通过热转印从供体元件施加到接收基底上。
通过使用聚合物选择性沉积

[发明专利]一种检验基板的处理方法及处理装置-CN201710262131.0有效
发明人：张文波;郭如旺;储明明;张锐;郑文灏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：处理方法包括：在检验基板上设置牺牲膜层；利用等离子体增强化学气相沉积法在所述牺牲膜层上形成检验膜层；在对所述检验膜层的形成状况进行检验后，从所述检验基板上去除所述牺牲膜层，从而使得所述检验膜层与所述检验基板分离本发明的方案先在检验基板上沉积出易于与检验基板分离的牺牲膜层，之后再使用离子体增强化学气相沉积法制作出用于检验化学气象沉积工艺的检验膜层，在验证完成后，只需要将牺牲膜层与检验基板分离，即可重新回收干净的检验基板
检验基板牺牲膜检验膜层处理装置等离子体增强化学气相沉积法化学气相沉积化学气象沉积回收离子体再使用沉积验证节约制作

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