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[发明专利]显示元件的形成方法及其结构-CN200610108007.0无效
发明人：李刘中;潘信桦;黄国有 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种形成显示元件的方法，包括：于基板上形成第一金属、绝缘层、第二金属、保护层，并且形成有机光致抗蚀剂层于保护层上。接着，对有机光致抗蚀剂层进行光刻步骤，以形成图案化有机光致抗蚀剂层。接着，以图案化有机光致抗蚀剂层作为掩模，执行干蚀刻步骤，使得在第一金属上形成第一接触孔和在第二金属上形成第二接触孔，并分别曝露出第一金属和第二金属。接下来，采用热处理的方式，处理图案化有机光致抗蚀剂层，使得图案化有机光致抗蚀剂层产生相变，并朝向第一接触孔的侧壁和第二接触孔的侧壁流动，且覆盖在第一接触孔和第二接触孔的侧壁上。通过图案化有机光致抗蚀剂层覆盖接触孔的侧壁，以控制接触孔侧壁的倾斜角度。
显示元件形成方法及其结构

[发明专利]以剥除法制作图案化膜层的方法-CN200610165953.9无效
发明人：格培文;官大双 -专利权人：联诚光电股份有限公司
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种以剥除法制作图案化膜层的方法。此方法是先在基板上形成图案化堆叠层，图案化堆叠层是由牺牲层与光致抗蚀剂层所构成，其中光致抗蚀剂层覆盖并延伸突出于上述牺牲层之外。随后，在图案化堆叠层上以及图案化堆叠层之中的间隙形成一膜层，此膜层的厚度小于牺牲层的厚度。其后，以剥除法移除光致抗蚀剂层以及光致抗蚀剂层上的膜层。之后，再移除牺牲层。
剥除法制图案化膜层方法

[发明专利]通过负性显影形成光刻图形的方法-CN201210597633.6有效
发明人： Y·C·裴;孙纪斌;李承泫;朴钟根;C·安德斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形，其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物。
通过显影形成光刻图形方法

[发明专利]微透镜阵列及其形成方法-CN202210455425.6在审
发明人：林淯琮 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种形成器件的方法，方法包括：在基板之上沉积第一光致抗蚀剂层，通过图案化和回流第一光致抗蚀剂层形成种子透镜阵列，种子透镜阵列的尺寸跨基板变化，在种子透镜阵列之上形成第二光致抗蚀剂层，以及通过图案化和回流第二光致抗蚀剂层形成微透镜阵列
透镜阵列及其形成方法

[发明专利]进行光刻工艺的方法-CN201811010598.7在审
发明人：葛宗翰;郑雅如;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：此方法包括形成光致抗蚀剂层于基板之上，并且通过进行曝光工艺曝光光致抗蚀剂层的一部分，以形成曝光区域及未曝光区域。此方法包括在光致抗蚀剂层上进行一烘烤工艺，而形成多个孔洞于光致抗蚀剂层的曝光区域中。此方法亦包括移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成凹口于光致抗蚀剂层中，并且填充后处理涂布材料于凹口及孔洞中。此方法还包括通过进行第二显影工艺移除后处理涂布材料的一部分，且后处理涂布材料的其他部分残留于光致抗蚀剂层的曝光区域的表面上，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂层后处理曝光区域涂布材料孔洞未曝光区域光刻工艺凹口移除抗蚀剂层曝光工艺显影工艺曝光光图案化烘烤基板填充残留

[发明专利]树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法-CN202110475544.3在审
发明人：王筱姗;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请涉及树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法。具体地，本文公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案化的光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物以及包含自由基活性官能团和酸不稳定基团的树脂。
树脂光致抗蚀剂组合制造半导体器件方法

[发明专利]电致发光元件的制造方法-CN200610073237.8无效
发明人：柏原充宏 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2001-09-25 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：为了实现上述目的，本发明提供了一种电致发光元件的制造方法，在构成电致发光元件的有机电致发光层中至少缓冲层和发光层，利用光刻技术法形成图形，具有下述工序：通过利用不溶于用于形成缓冲层的溶剂的光致抗蚀剂，使不溶于光致抗蚀剂溶剂、光致抗蚀剂剥离液以及用于形成发光层的溶剂的缓冲层，形成图形而形成图形化的缓冲层的工序，通过利用不溶于用于形成发光层的溶剂的光致抗蚀剂，使不溶于光致抗蚀剂溶剂、光致抗蚀剂显影液以及光致抗蚀剂剥离液的发光层，形成图形而在前述图形化的缓冲层上形成图形化的发光层的工序。
电致发光元件制造方法

[发明专利]用于在C4焊盘之间制造线/间隔布线的方法-CN200980110819.0有效
发明人： M·S·赫拉德;S·李 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：所述方法包括提供具有设置于其上的电介质层和晶种层的衬底。之后在所述晶种层之上形成抗反射涂覆层和光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层和抗反射涂覆层图案化，以形成图案化光致抗蚀剂层和图案化抗反射涂覆层，从而露出晶种层的第一部分，并使晶种层的第二部分仍然受到覆盖。之后，在晶种层的第一部分上，在图案化光致抗蚀剂层和图案化抗反射涂覆层的特征之间形成金属层。接下来，去除图案化光致抗蚀剂层和图案化抗反射涂覆层。之后，去除晶种层的第二部分，从而在电介质层之上提供一系列金属线。
用于 c4 之间制造间隔布线方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200810180071.9有效
发明人：廖国助;蔡善宏;陈素芬;钟明佑 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括：形成一半导体层于一基板上；形成一具有第一厚度以及一第二厚度的图案化光致抗蚀剂层于半导体层上；以图案化光致抗蚀剂层为掩模，图案化半导体层以形成一图案化半导体层；移除第二厚度的图案化光致抗蚀剂层；以第一厚度的图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一离子注入工艺于图案化半导体层上；移除第一厚度的图案化光致抗蚀剂层；形成一介电层与一栅极于该图案化半导体层上；以及以栅极作为掩模，进行一第二离子注入工艺于图案化半导体层上。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]指纹感测模块的制造方法-CN202111411691.0在审
发明人：黄振明 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种指纹感测模块的制造方法，该制造方法包括：在基底上依序形成平坦层和光致抗蚀剂材料层，其中基底包括包含感光阵列的像素区以及围绕像素区的周边区；移除光致抗蚀剂材料层于像素区上的部分，以形成暴露出平坦层的光致抗蚀剂图案；移除平坦层于像素区上的部分，以形成暴露出基底的图案化平坦层；在光致抗蚀剂图案上和基底的像素区上形成红外线截止层；移除光致抗蚀剂图案及光致抗蚀剂图案上的红外线截止层，以在基底的像素区上形成红外线截止图案；在红外线截止图案上以及图案化平坦层上形成遮光层；以及图案化遮光层，以在红外线截止图案上形成包括针孔阵列的准直结构层，并在图案化平坦层上形成标记图案。
指纹模块制造方法

[发明专利]用于重分配层工艺的替代集成-CN201980049818.3在审
发明人：贾斯廷·奥伯斯特;布莱恩·L·巴卡柳;斯蒂芬·J·巴尼克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一个示例中，描述了一种用于再分布层(RDL)工艺的方法。提供衬底。在衬底的上面沉积介电层。使介电层图案化。将阻挡层和铜籽晶层沉积在介电层的上面。将光致抗蚀剂层施加在阻挡层和铜籽晶层的上面。使光致抗蚀剂层图案化以对应于介电层图案。铜电沉积在由光致抗蚀剂层暴露的图案化区域中。去除光致抗蚀剂层。蚀刻铜和籽晶阻挡层。
用于分配工艺替代集成

[发明专利]互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法-CN200710141862.6有效
发明人：黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用数量减少的掩模来制造互补金属氧化物半导体(CMOS)TFT的方法，该方法包括：在基底的整个表面上形成缓冲层；在基底的具有缓冲层的整个表面上形成多晶硅层和光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝光并显影，以形成第一光致抗蚀剂图案；利用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻多晶硅层，以将第一TFT的半导体层和第二TFT的半导体层图案化；对第一光致抗蚀剂图案执行第一灰化工艺，以形成第二光致抗蚀剂图案；利用第二光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT的源极区和漏极区中注入第一杂质；对第二光致抗蚀剂图案执行第二灰化工艺，以形成第三光致抗蚀剂图案；利用第三光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT中注入第二杂质，以对第二TFT执行沟道掺杂。
互补金属氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

[发明专利]用于制造完全自对准双栅极薄膜晶体管的方法-CN201710252470.0在审
发明人： M·纳格 -专利权人： IMEC非营利协会;荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法包括在衬底的前侧上提供为栅极区域定界的第一栅电极；提供第一栅极介电层；提供经图案化的金属氧化物半导体层；提供第二栅极介电层；提供第二栅极导电层；提供光致抗蚀剂层；图案化该光致抗蚀剂层；图案化第二栅极导电层，由此形成第二栅电极；以及图案化第二栅极介电层。对光致抗蚀剂层进行图案化包括执行后侧照明步骤、前侧照明步骤和光致抗蚀剂显影步骤，其中后侧照明步骤包括使用第一栅电极作为掩模从衬底的后侧对光致抗蚀剂层的照明，并且其中前侧照明步骤包括仅在边缘部分中使用对栅极区域中的光致抗蚀剂层进行曝光的掩模来从前侧对光致抗蚀剂层的照明
用于制造完全对准栅极薄膜晶体管方法

[发明专利]触控装置的制作方法-CN201210527816.0有效
发明人：陈建宇;叶家骏;庄文奇;陈逸祺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种触控装置的制作方法，其包括提供具第一透明导电层的基板，图案化第一透明导电层形成下部触控感测层，再于基板上形成第一保护层与第一光致抗蚀剂层，利用一光掩模图案化第一光致抗蚀剂层使其具有第一开口并具有不同的厚度，移除厚度较小的部分以形成第二开口，然后图案化暴露出的第一保护层而形成开孔与接触洞。移除第一光致抗蚀剂层后，依序形成第二透明导电层与第二光致抗蚀剂层，利用同一光掩模以图案化第二光致抗蚀剂层，使第二光致抗蚀剂层具有对应于第一保护层开孔的第三开口，暴露出第二透明导电层，接着移除被暴露的第二透明导电层，形成上部触控感测层。
装置制作方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201711248892.7有效
发明人：訾安仁;郑雅如;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开实施例提供的材料组成与应用其的方法，包括提供基板并形成光致抗蚀剂层于基板上。在多种实施例中，光致抗蚀剂层包括具有自由基产生剂、有机核心、与有机溶剂的金属络合物。在一些实施例中，对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。在曝光工艺后，显影曝光的光致抗蚀剂层以形成图案化光致抗蚀剂层。
半导体装置制作方法