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[发明专利]形成光致抗蚀剂图案的方法-CN200510097897.5无效
发明人：吴得鸿;张圣岳;吴承翰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-09-02 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种于衬底上形成光致抗蚀剂图案的方法，本方法包括于衬底上形成光致抗蚀剂层，提供光掩模且光掩模上包括主要图案以及辅助图案，进行曝光步骤，使主要图案及辅助图案转移至光致抗蚀剂层中，分别形成相对应的光致抗蚀剂主要图案和光致抗蚀剂辅助图案，以及进行紧缩步骤，去除衬底上的光致抗蚀剂辅助图案并缩小光致抗蚀剂主要图案的线宽，使光学接近效应减低，工艺窗口加大。
形成光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]微影方法-CN201611037077.1在审
发明人：王筱姗;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：该微影方法包括形成图案化光致抗蚀剂于材料层上；提供第一接合材料至图案化光致抗蚀剂的侧面；实行一处理于第一接合材料上，以将第一接合材料接合至图案化光致抗蚀剂的侧面，其中该处理创造一接合位置于第一接合材料上，且接合位置配置以接合至第二接合材料；提供第二接合材料至第一接合材料的侧面；以及通过选择性处理材料层被图案化光致抗蚀剂、第一接合材料及第二接合材料所暴露的一部分，以图案化材料层。
方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202110106359.7在审
发明人：杨立柏;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本文提供光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，本文提供一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上形成光致抗蚀剂层；以及使光致抗蚀剂层选择性地曝露于光化辐射以形成潜在图案。通过将显影剂施加至经选择性曝露的光致抗蚀剂层以形成图案，来使潜在图案显影。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物和聚合物。聚合物具有附接到聚合物的碘或碘代基中的一者或多者，并且聚合物包括一种或多种具有交联剂基团的单体单元，并且具有交联剂基团的单体单元为以下中的一者或多者：或者，光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物、含有碘或碘代基的聚合物以及具有两个至六个交联基团的交联剂。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200810136065.3有效
发明人：罗方祯;梁硕玮;姜信铨;陈兆南;余锦智 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：然后，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。接着，在栅绝缘层上形成金属氧化物材料层。而后，在金属氧化物材料层上形成光致抗蚀剂层，其中栅极上方的光致抗蚀剂层的厚度大于栅极两侧上方的光致抗蚀剂层的厚度。随后，以光致抗蚀剂层为掩模，移除部份金属氧化物材料层，以形成金属氧化物有源层。然后，移除栅极两侧上方的光致抗蚀剂层，使留下来的光致抗蚀剂层覆盖部分金属氧化物有源层。而后，在覆盖有光致抗蚀剂层的金属氧化物有源层上形成源极与漏极。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]光刻方法-CN201710794553.2在审
发明人：翁明晖;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本公开实施例提供光刻光致抗蚀剂材料与对应的光刻技术以改善光刻分辨率，特别是在显影时降低光致抗蚀剂层的膨润现象。例示性的光刻方法包含在光致抗蚀剂层上进行处理工艺，使光致抗蚀剂层的酸活性基团组成经由可交联功能组成进行交联反应；在光致抗蚀剂层上进行曝光工艺；以及在光致抗蚀剂层上进行显影工艺。在一些实施方式中，曝光工艺后的光致抗蚀剂层包含曝光部分与未曝光部分，且处理工艺可增加未曝光部分中的聚合物分子量，以降低未曝光部分对显影工艺采用的显影剂的溶解度。处理工艺可在曝光工艺之前或之后进行。处理工艺可包含进行热处理和/或电磁波处理，以加热光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂层处理工艺曝光工艺光刻曝光显影工艺光致抗蚀剂材料聚合物分子量电磁波处理光刻分辨率热处理功能组成光刻技术交联反应抗蚀剂层加热光可交联溶解度酸活性显影剂膨润显影

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202011350050.4在审
发明人：訾安仁;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。所述用于形成光致抗蚀剂图案的方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。所述光致抗蚀剂组合物包括金属粒子和附接到所述金属粒子的热稳定配体。所述热稳定配体包含支链或非支链、环状或非环状的C1‑C7烷基或C1‑C7氟代烷基。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。在一个实施方式中，所述方法包括在使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射之前加热所述光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]电致发光元件的制造方法-CN03810515.2无效
发明人：立川智之;伊藤范人 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2003-05-08 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明的主要目的是提供一种在剥离光致抗蚀剂层等不需要的层时可以很好地进行剥离的EL元件制造方法。为了达到上述目的，本发明提供的EL元件的制造方法的特征在于，具有：在至少形成电极层的基板上形成有机EL层的有机EL层形成工序，在所述有机EL层上形成剥离层的剥离层形成工序，在所述剥离层上形成光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂层形成工序，通过对所述光致抗蚀剂层进行曝光、显影而形成图案的光致抗蚀剂层图案形成工序，除去所述光致抗蚀剂层未覆盖的部分的有机EL层的有机EL层显影工序，通过剥离所述剥离层除去层叠在其上面的光致抗蚀剂层的剥离层剥离工序
电致发光元件制造方法

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202011469628.8在审
发明人：许倍诚;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模胚之上形成光致抗蚀剂层。掩模胚包括衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的帽盖层、帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON形成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化吸收体层。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202110041748.6在审
发明人：李信昌;陈嘉仁;许倍诚;连大成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层。掩模坯包括衬底、在衬底上的反射多层、在反射多层上的帽盖层、在帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON制成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化的吸收体层。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法-CN02145838.3有效
发明人：李有京;姜圣哲;周振豪;李东基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-10-15 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G03F7/008 文献下载
摘要：本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，约5－100重量份的1，2－醌二叠氮化合物，约2－35重量份的含氮交联剂，约0.1－10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]有机发光结构及其制造方法及有机发光组件-CN201310285545.7有效
发明人：曾迎祥 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光结构及其制造方法，该方法包括在基板上形成平坦化层，所述平坦化层包括负性光致抗蚀剂材料；利用掩膜对所述负性光致抗蚀剂材料执行曝光工艺；对经过曝光工艺后的所述负性光致抗蚀剂材料执行显影工艺，从而得到光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部，所述凸起部具有平滑表面；及在所述平坦部上形成反射电极和有机发光层，其中所述反射电极还位于所述凸起部的相对侧表面上。
有机发光结构及其制造方法组件

[发明专利]制作金属相片的方法-CN200410033326.0无效
发明人：陈怡礽;赖志辉;周天佑;陈怡发;王元宏;巫诺文;颜国雄;杨智成;许传伦;马伟植;庄宏隆 -专利权人：钰德科技股份有限公司
申请日： 2004-04-02 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：首先提供一基板，并于该基板上涂布一光致抗蚀剂层，接着利用一具有一图像的光掩模来进行一曝光暨显影制造工艺，以图案化该光致抗蚀剂层，最后再利用微机电LIGA技术于该基板以及该光致抗蚀剂图案上形成一薄膜层，且该薄膜层表面具有一相对应于该光掩模的图像
制作金属相片方法

[发明专利]图案化层状材料与形成转印模的方法-CN201210382854.1无效
发明人：杨锦添;李明家;郑宗达 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了图案化层状材料的方法，该方法包括：提供层状材料；形成光致抗蚀剂层于该层状材料上；以激光光束图案化光致抗蚀剂层，露出部分的层状材料；以及蚀刻露出的部分的层状材料，以图案化层状材料。
图案层状材料形成印模方法

[发明专利]图案化基板-CN202080066595.4在审
发明人：约迪·格热希科维亚克;安东尼·舍皮斯;安东·J·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用于图案化基板的方法，在该方法中,可以在基板上形成图案化的光致抗蚀剂结构，图案化的光致抗蚀剂结构具有侧壁。可以在侧壁上沉积间隔物材料的共形层。然后,可从基板去除图案化的光致抗蚀剂结构，留下间隔物材料。然后，可以使用侧壁间隔物作为蚀刻掩模来定向地蚀刻基板以形成具有目标临界尺寸的基板。
图案化基板

[发明专利]使用具有用于二次电子生成的不同平均自由程的中间层或多层堆叠件的极紫外(EUV)光刻-CN202080036400.1在审
发明人：安德鲁·梁;内德·沙玛;里奇·怀斯;阿希尔·辛格哈尔;阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉;格雷戈里·布拉楚特;达斯汀·扎卡里·奥斯丁 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种图案化衬底的方法包含提供衬底、以及在该衬底上沉积包含N个层的多层堆叠件。N为大于一的整数。该N个层分别包含用于二次电子的N个平均自由程。该方法包含在该多层堆叠件上沉积光致抗蚀剂层，其中该N个平均自由程会聚于该光致抗蚀剂层中。另一种图案化衬底的方法包含提供衬底以及在该衬底上沉积层。该层包含用于二次电子的不同平均自由程。该方法包含在该层上沉积一光致抗蚀剂层。用于二次电子的该不同平均自由程会聚于该光致抗蚀剂层中。
使用具有用于二次电子生成不同平均自由程中间层多层堆叠紫外 euv 光刻

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