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[发明专利]一种制作半导体器件的方法-CN201010110470.5有效
发明人：张庆勇;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作半导体器件的方法，包括提供一前端器件层；在所述前端器件层的表面形成一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层的表面形成一层层间介质层；采用第一掩膜对所述层间介质层以及所述刻蚀停止层进行刻蚀，形成第一通孔；在所述第一通孔内形成第一金属层；在所述第一金属层以及所述层间介质层的表面形成第一过渡层；在所述第一过渡层的表面形成第二金属层；在所述第二金属层的表面形成第二过渡层；采用第二掩膜，依次刻蚀第二过渡层、第二金属层以及第一过渡层；在所述层间介质层以及所述第二过渡层的表面形成一层钝化层；采用第三掩膜在所述第二过渡层上方刻蚀钝化层，形成钝化层通孔。
一种制作半导体器件方法

[发明专利]一种解决底切问题的刻蚀方法-CN201510060779.0有效
发明人：邓竹明;赵锋;邱钟毅 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决底切的刻蚀方法，该方法包括将第一材料层、掩膜层以及金属层置于密封的工艺腔室，其中该第一材料层设置在该金属层上，该掩膜层设置在该第一材料层上，且该掩膜层上设置有刻蚀图案；在该工艺腔室内采用干法刻蚀，在满足预设条件下对该第一材料层进行刻蚀，直至露出该金属层；该预设条件包括将该工艺腔室的气压设置为50‑70mTorr。与现有在刻蚀沟槽内部形成保护层，以避免后续刻蚀在沟槽底部横向刻蚀形成底切的技术相比，本发明通过控制刻蚀时的气压便可解决底切问题，具有经济实用性，同时对后续工序有更好的兼容性。
一种解决问题刻蚀方法

[发明专利]金属互连结构形成方法-CN201110270171.2无效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属互连结构形成方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积介电层，该介电层从半导体衬底往上依次包括刻蚀阻挡层与金属间介质层；刻蚀所述金属间介质层停止于刻蚀阻挡层，以在金属间介质层上定义通孔图案；利用光刻胶定义顶层金属图案；刻蚀金属间介质层与刻蚀阻挡层，以形成顶层金属沟槽及通孔；在所述顶层金属沟槽及通孔内填充金属，以形成金属互连结构。
金属互连结构形成方法

[发明专利]一种铝基超导电路中叠层刻蚀的侧壁陡直性实现方法-CN202211121005.0有效
发明人：崔志远;熊康林;冯加贵;郭丰 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种铝基超导电路中叠层刻蚀的侧壁陡直性实现方法，包括以下步骤：（1）光刻胶图形化；（2）刻蚀开口暴露的铝金属层，开口暴露出介质层；（3）采用原子层沉积法在光刻胶层上表面、开口侧壁以及开口底面上沉积氧化硅层；（4）刻蚀步骤（3）中光刻胶层上表面以及开口底面上的氧化硅层；（5）刻蚀开口侧壁的氧化硅层以及开口暴露的介质层；（6）依次循环重复步骤（3）、步骤（4）、步骤（2）、步骤（5），直至将开口暴露的铝金属层和介质层均刻蚀掉，暴露出衬底，最后去除光刻胶层。采用本发明的方法，可以解决铝基超导电路中金属和非金属叠层刻蚀出现的台阶问题，实现侧壁陡直性。
一种超导电路中叠层刻蚀侧壁陡直实现方法

[实用新型]一种基于刻蚀金属集电极的薄膜电池-CN202121026154.X有效
发明人：普里帖斯·希亚拉;聂赞相;罗师强;朱琳;赵少彬 -专利权人：深圳新源柔性科技有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本实用新型属于电池技术领域，公开了一种基于刻蚀金属集电极的薄膜电池，薄膜电池与射频天线共用薄膜基底；薄膜电池包括：薄膜基底、集电极、电池电极材料；集电极包括：刻蚀金属层，刻蚀金属层基于刻蚀射频天线时产生的剩余金属制成；集电极设置在薄膜基底上，电池电极材料涂覆在集电极上，集电极用于收集薄膜电池中的电荷；集电极末端设置有电池极耳，电池极耳与射频天线的天线极耳连接，电池极耳用于为射频天线供电；由于本实用新型额外设置了刻蚀金属层组成的集电极，从而提高了薄膜电池的电荷收集能力，并且由于刻蚀金属层基于刻蚀射频天线时产生的剩余金属制成，进而能够避免资源浪费。
一种基于刻蚀金属集电极薄膜电池

[发明专利]一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法-CN201310012319.1有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及影像传感器制造领域，具体涉及一种用金属硬掩膜制造影像传感器的方法。包括对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;在表面上淀积一层隔离氧化层;淀积一层金属硬掩膜;将金属硬掩膜刻蚀出开口;在金属硬掩膜上涂抹光刻胶，并刻蚀掉金属硬掩膜开口上方的光刻胶；进行深通孔刻蚀至逻辑晶圆顶层金属上覆盖的氮化硅层;清除深通孔刻蚀后剩余金属硬掩膜;对通孔进行底部抗反射介质填充,并对所述底部抗反射介质进行刻蚀;使用光刻确定沟槽刻蚀的沟槽尺寸;进行沟槽刻蚀,至露出器件晶圆顶层金属和逻辑晶圆顶层金属。在使用本发明方法能通过金属硬掩膜方法有效解决现有技术中背照式影像传感器由于其尺寸小而造成制作困难的问题。
一种金属硬掩膜制造影像传感器方法

[发明专利]具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及集成电路-CN201110388318.8无效
发明人：李磊;胡友存;姬峰;张亮;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及具有超厚顶层金属的集成电路，制作方法包括：在半导体基板的金属层上沉积刻蚀阻挡层、介电层；旋涂第一光刻胶层，通过通孔光掩模版光刻形成通孔图形和冗余沟槽图形；刻蚀部分介电层形成部分通孔和冗余沟槽；旋涂第二光刻胶层，通过金属层光掩模版光刻形成金属沟槽图形；刻蚀介电层形成金属沟槽；刻蚀打开通孔底部刻蚀阻挡层；沉积金属阻挡层和铜籽晶层，填充金属铜，化学机械研磨平坦化金属表面，形成超厚顶层金属层双大马士结构。本发明能兼容部分通孔优先双大马士革工艺，制作工艺简单，在改善超厚顶层金属诱导的基板扭曲变形的同时不会恶化研磨工艺。
具有顶层金属集成电路制作方法

[发明专利]用于混合键合的晶圆表面处理方法-CN201911167103.6在审
发明人：张智侃;李杰;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种用于混合键合的晶圆表面处理方法，包括：在晶圆表面形成图形化的顶层金属层；在晶圆表面和顶层金属层上形成第一层间介质层；刻蚀第一层间介质层，暴露出顶层金属层；在剩余的第一层间介质层和顶层金属层上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第二层间介质层，平坦化第二层间介质层表面，既实现了晶圆表面平坦化，便于键合时晶圆之间的紧密贴合，又形成了顶层金属层上直接覆盖刻蚀停止层的结构，便于后续形成晶圆之间互联的刻蚀步骤的进行
用于混合表面处理方法

[发明专利]金属薄膜图形的制造方法-CN202210359999.3在审
发明人：季宇成;龚燕飞;陈朔;郭松;彭鑫林;冯刘昊东;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种金属薄膜图形的制造方法，包括：在基板表面沉积金属薄膜，在所述金属薄膜上面形成聚合物胶层，在所述聚合物胶层上面形成感光性光刻胶层；对所述感光性光刻胶进行曝光和显影，从而将所述感光性光刻胶图形化，形成第一刻蚀窗口，其中，在使用显影剂对所述感光性光刻胶进行显影时，从所述第一刻蚀窗口中露出的所述聚合物胶层被所述显影剂腐蚀以形成第二刻蚀窗口；以及对从所述第二刻蚀窗口暴露的所述金属薄膜进行刻蚀，以形成金属薄膜图形根据本申请，使用光刻胶图形做掩膜，在聚合物胶层中形成刻蚀窗口，以该聚合物胶层中的刻蚀窗口作为掩膜，对金属薄膜进行刻蚀，从而形成金属薄膜图形，由此，能够改善金属薄膜侧壁粗糙度。
金属薄膜图形制造方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法-CN202111404911.7在审
发明人：朱文明;李春旭;黄宇;林峰 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，所述方法包括：获取衬底；在衬底上形成金属硅化物阻挡层，金属硅化物阻挡层包括依次叠设的第一氧化层、第一氮化层及第二氧化层；形成金属硅化物；在衬底和金属硅化物阻挡层上形成第三氧化层；在第三氧化层上形成停止层；进行第一刻蚀，停止层作为接触孔和悬空孔在第一刻蚀时的刻蚀阻挡层，第一刻蚀完成后接触孔底部和悬空孔底部停止在停止层；进行第二刻蚀，使得接触孔底部和悬空孔底部的第三氧化层和剩余的停止层被去除；进行第三刻蚀，接触孔底部停止在金属硅化物、悬空孔底部停止在第一氮化层。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法

[发明专利]对超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度进行监测的方法-CN200910201493.4有效
发明人：王贵明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了对超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度进行监测的方法，包括：在形成第一层之后，在第二层中形成第一层与第三层的超厚金属沟槽之间的中心通孔，在中心通孔中填入金属构成中心连线，并形成第一层与第三层的超厚金属沟槽边缘的过刻蚀处之间的边缘通孔，在边缘通孔中填入金属构成边缘连线，所述中心连线和所述边缘连线具有相同的横截面积和相同的高度；在第三层中刻蚀超厚金属沟槽，在刻蚀的超厚金属沟槽中填入金属；分别测出中心连线电阻和边缘连线未被包裹部分电阻；根据测出的中心连线电阻和边缘连线未被包裹部分电阻，计算得到超厚金属沟槽边缘过刻蚀的深度。本发明方案能够监测出超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度。
金属沟槽边缘刻蚀深度进行监测方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置-CN201510601156.X有效
发明人：熊胜楠;郑云友;李伟;张益存 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，该方法包括在衬底基板上依次形成栅极图形、栅极绝缘层薄膜、有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、位于待形成的沟道区域内的第一刻蚀阻挡模块、源漏极金属层薄膜；利用第一刻蚀阻挡模块遮挡对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜和欧姆接触层薄膜，通过湿法刻蚀形成包括源极和漏极的图形；通过干法刻蚀工艺形成包括欧姆接触层和有源层的图形。本发明在第一刻蚀阻挡模块可以保护对应于待形成的沟道区域的有源层薄膜的基础上，只通过湿法刻蚀工艺完成对源漏极金属层的刻蚀，刻蚀均匀，避免了干法刻蚀工艺对于源漏极金属层进行刻蚀时，刻蚀不均匀，设备损耗大，出现良率低的问题
一种薄膜晶体管制作方法阵列显示装置

[发明专利]阵列基板制备方法及阵列基板-CN201910318515.9有效
发明人：许家豪;宋亮;赵吾阳;季雨菲;程浩 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板制备方法及阵列基板，通过将承载衬底基板的第一电极的温度调节为预设温度，在利用工艺气体刻蚀金属膜层的过程中，小部分光刻胶层融化、剥落，在金属膜层未被光刻胶层覆盖的区域，刻蚀形成的凹陷部的侧壁形成保护层，保护层可以在刻蚀过程中保证已形成的凹陷部的侧壁不会被继续刻蚀，且在刻蚀过程中，将第一电极的温度保持在预设温度，使得保护层不会快速灰化。这样，在刻蚀完成后，金属走线的线宽大于刻蚀前预留的用于涂覆光刻胶的区域的宽度，因此，可以减小曝光后的光刻胶层的线宽，相应增加金属走线的线间距，从而避免短路的发生，同时刻蚀后的金属走线的线宽也可以满足设计要求
阵列制备方法

[发明专利]一种金属刻蚀工艺检测方法-CN201310627003.3在审
发明人：李如东;谭志辉;宋秀海 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属刻蚀工艺检测方法，包括：生成待检测的跳线电阻；输入测试电信号，获取所述待检测的跳线电阻的一电性能的第一值；在所述待检测的跳线电阻上形成金属层；根据所述跳线电阻上的布线结构对所述待检测的跳线电阻上的金属层进行刻蚀；输入所述测试电信号，获取刻蚀后的所述待检测的跳线电阻的所述一电性能的第二值；根据所述一电性能的第一值和第二值，判断所述跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。采用本发明提供的技术方案，能够检测跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求，避免了在对跳线电阻上的金属层进行刻蚀时，跳线电阻的介质层没有完全阻挡住刻蚀损伤的问题。
一种金属刻蚀工艺检测方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202111466636.1在审
发明人：谢岩;杨帆;宋胜金 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基底，基底包括衬底和介质层，介质层中嵌设有金属层以及阻挡层；形成隔离层；执行第一次刻蚀工艺，刻蚀隔离层和介质层直至暴露出阻挡层，通孔的侧壁和底部形成有第一聚合物；去除第一聚合物；执行第二次刻蚀工艺，刻蚀阻挡层直至暴露出金属层。本发明分两次逐步刻蚀，并在两次刻蚀工艺之间去除第一聚合物，避免第一聚合物与第二次刻蚀工艺产生的第二聚合物二者结合在一起，降低了去除聚合物的难度；并且第二次刻蚀因仅需刻蚀阻挡层，可以采用较低偏置功率刻蚀，降低了金属层的金属粒子溅射程度，提高了半导体器件的耐压性能，提高了电压击穿测试项的合格率。
半导体器件制作方法

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