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[发明专利]半导体器件版图结构及其形成方法-CN202210844793.X有效
发明人：张振;陈星;王焕琛;陈世昌 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件版图结构及其形成方法，半导体器件版图结构的冗余图形区具有至少两个第一冗余图形和至少两个第二冗余图形，每个第一冗余图形包括与器件图形区的有源区图形相同的一个第一冗余有源区图形，以及位于第一冗余有源区图形上的至少两个与器件图形区的栅极图形相同的第一冗余栅极图形，每个第二冗余图形包括一个第二冗余有源区图形以及位于第二冗余有源区图形上的一个第二冗余栅极图形，第二冗余栅极图形的投影在第二冗余有源区图形的投影内。通过第二冗余图形与第一冗余图形相配合，可增加冗余图形区的图形密度，改善化学机械研磨工艺以及刻蚀工艺的均匀性，进而改善有源区尺寸以及栅极尺寸的差异性，并避免器件间的短路。
半导体器件版图结构及其形成方法

[发明专利]一种MRAM存储阵列及MRAM-CN202111008181.9在审
发明人：杨保林;苏显鹏;姜原 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明提供了一种MRAM存储阵列及MRAM，该MRAM存储阵列包括多个存储区，其中，每个存储区包括主存储区、第一冗余存储区及第二冗余存储区。在主存储区中设置有主存储单元。第一冗余存储区呈带状环绕主存储区。第二冗余存储区包括多个带状冗余存储区，每个带状冗余存储区扣合在第一冗余存储区的对应凸起位置处。能够将第一冗余存储区设置的较窄些，将四个第二冗余存储区设置的较宽些，既克服由于CMP工艺造成的存储阵列角落失效问题，提高产品制造良率。同时冗余存储单元也没有不填满相邻两个存储区之间的空间，避免出现较宽的第一冗余存储区对外围电路产生影响，保证不会造成过大的RC Delay影响。且不会增加额外成本，使技术成本较低。
一种 mram 存储阵列

[发明专利]改版冗余图形填充方法、系统及电子设备-CN202310626845.0在审
发明人：曹云;李佳佳;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种改版冗余图形填充方法、系统及电子设备，包括：提供改版版图，改版版图具有改版版图层次；获得改版冗余图形可填充区域；获得位于改版冗余图形可填充区域内的冗余图形作为第一冗余图形区；获得相邻改版版图层次中的区域外组合冗余图形；在变形固定组合冗余图形库中，获得区域外组合冗余图形对应的位于改版冗余图形可填充区域外的变形冗余图形作为第二冗余图形区；将改版版图层次中的独立冗余图形作为第三冗余图形区；将第一冗余图形区、第二冗余图形区及第三冗余图形区合并为改版版图层次的改版冗余图形，将改版冗余图形填充至改版冗余图形可填充区域内，实现对改版版图进行改版冗余图形的填充。
改版冗余图形填充方法系统电子设备

[发明专利]一种平面型功率MOS器件及其制备方法-CN202210713117.9在审
发明人：黄汇钦;吴龙江 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面型功率MOS器件及其制备方法，平面型功率MOS器件包括：半导体衬底、N型阱区、P型阱区、栅极氧化层、栅极金属层、源极区、P型掺杂区、隔离区、漏极区以及栅极冗余区、漏极冗余区、源极冗余区中的至少一项。通过在平面型功率MOS器件中设置栅极冗余区、漏极冗余区、源极冗余区中的至少一项；使得平面型功率MOS器件边缘区域的击穿效应大大减小，减小平面型功率器件的电场和应力，并且，由于栅极冗余区、漏极冗余区、源极冗余区只是设置在平面型功率
一种平面功率 mos 器件及其制备方法

[发明专利]冗余金属的填充方法-CN201911368197.3在审
发明人：曹云;于明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种冗余图形的填充方法，包括：提供一版图，所述版图上设置有主图形区和冗余图形区；提供至少三组待填充的冗余图形；计算各组所述冗余图形在所述冗余图形区中的图形密度；按照所述图形密度从大到小的顺序将各组所述冗余图形依次填充在所述冗余图形区中本发明中，先填充图形密度大的所述冗余图形可以快速提升所述冗余图形区的有效图形密度；进一步的，按照所述图形密度从大到小的顺序填充所述冗余图形，可以有效减小冗余图形的图形密度差异，从而使得在整个晶片上(主图形区和冗余图形区
冗余金属填充方法

[发明专利]半导体存储器件及其修复方法-CN200710198999.5有效
发明人：李奉镕;李宪奎;金光洙;权相烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括主单元阵列区，在主单元阵列区的一侧形成的第一冗余单元阵列区和第一虚拟单元阵列区，以及在主单元阵列区的另一侧形成的第二冗余单元阵列区和第二虚拟单元阵列区。该第一冗余单元阵列区包括第一冗余位线，以及该第一虚拟单元阵列区包括第一虚拟位线。该第二冗余单元阵列区包括第二冗余位线，以及该第二虚拟单元阵列区包括第二虚拟位线。第一和第二冗余单元阵列区被布置为比第一和第二虚拟单元阵列区更靠近主单元阵列区。
半导体存储器件及其修复方法

[发明专利]显示面板-CN202011108961.6在审
发明人：吴云飞 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，在本显示面板中，阵列基板包括显示区、冗余区和绑定区，冗余区设置在显示区和绑定区之间；阵列基板包括基底、平坦层和配向层，平坦层设置在基底上，平坦层位于冗余区的部分设置有延缓结构；配向层设置在平坦层上，且自显示区延伸至冗余区，配向层至少覆盖延缓结构的部分。本申请通过在平坦层对应于冗余区的部分形成延缓结构，以延缓配向层材料在冗余区的扩散速度，进而提高配向层印刷的均一性。
显示面板

[发明专利]一种嵌入式FLASH数据存储管理方法、系统及存储介质-CN202210652057.4在审
发明人：纪镇岳;陈金树 -专利权人：厦门立林科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌入式FLASH数据管理方法、系统及存储介质，FLASH存储区划分为两个存储区，正在使用的存储区定义为当前存储区，另一存储区定义为冗余存储区；添加数据时，判断当前存储区是否有空余空间，若有，则将该数据添加至当前存储区中；若没有，则进行存储区切换；删除数据时，对所删除的数据进行标注；存储区切换为：擦除整块冗余存储区，然后将当前存储区中未标注的数据搬运到冗余存储区中，然后将当前存储区和冗余存储区进行切换，即当前存储区切换为冗余存储区，冗余存储区切换为当前存储区。
一种嵌入式 flash 数据存储管理方法系统介质

[发明专利]功率器件及功率器件制备方法-CN202010160130.7在审
发明人：李东升;章剑锋 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件及功率器件制备方法，功率器件包括：外延层，外延层包括位于第二表面至第一表面之间预定厚度的漂移区，漂移区被配置为第一导电类型，外延层与厚度方向相垂直的横向上具有多个原胞结构；各原胞结构包括：冗余发射极沟槽，两个冗余发射极沟槽相互间隔设置，冗余发射极沟槽由第一表面延伸至漂移区，冗余发射极设置于冗余发射极沟槽；栅极沟槽，设置于两个冗余发射极沟槽之间，栅极沟槽由第一表面延伸至漂移区，栅极设置于栅极沟槽；体区，位于两个冗余发射极沟槽之间，体区被配置为第二导电类型；浮空区，位于各冗余发射极沟槽背向栅极沟槽一侧，浮空区被配置为第二导电类型，其中，浮空区的深度大于冗余发射极沟槽的深度。
功率器件制备方法

[实用新型]功率器件-CN202020284192.4有效
发明人：李东升;章剑锋 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件，功率器件包括：外延层，外延层包括位于第二表面至第一表面之间预定厚度的漂移区，漂移区被配置为第一导电类型，外延层与厚度方向相垂直的横向上具有多个原胞结构；各原胞结构包括：冗余发射极沟槽，两个冗余发射极沟槽相互间隔设置，冗余发射极沟槽由第一表面延伸至漂移区，冗余发射极设置于冗余发射极沟槽；栅极沟槽，设置于两个冗余发射极沟槽之间，栅极沟槽由第一表面延伸至漂移区，栅极设置于栅极沟槽；体区，位于两个冗余发射极沟槽之间，体区被配置为第二导电类型；浮空区，位于各冗余发射极沟槽背向栅极沟槽一侧，浮空区被配置为第二导电类型，浮空区的深度大于冗余发射极沟槽的深度。
功率器件

[发明专利]动态调整非挥发性存储器的冗余区的方法及其相关装置-CN03149355.6有效
发明人：杨政智 -专利权人：创惟科技股份有限公司
申请日： 2003-06-17 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：一种动态调整非挥发性存储器的冗余区的方法及其相关装置，该方法将存储器中的每一个存储页重新规划成多个存储区及至少一冗余区，该冗余区间隔连结于各存储区之间或该冗余区安插连结于任一存储区最末存储地址之后，且根据原始状态信息而于各冗余区内预先写入存储区块及存储页的系统信息，以让快闪存储器读取装置每次读取数据时仅需加载一存储区加上一相关联冗余区存储容量大小的缓冲数据区块。
动态调整挥发性存储器冗余方法及其相关装置

[实用新型]连接板结构及显示装置-CN201920460185.2有效
发明人：王光加;黄世帅;杨春辉 -专利权人：惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种连接板结构，连接板结构包括本体以及间隔设于本体上的多个引脚，该本体上具有连续的第一冗余区、信号传输区以及第二冗余区，其中，第一冗余区、信号传输区以及第二冗余区沿着多个引脚的排布方向依次设置这样，本申请提供的技术方案在连接板结构的边缘设置第一冗余区以及第二冗余区，并将无信号传输的引脚设置于其中，当连接板结构的边缘出现撕裂或翘起时，位于信号传输区的引脚也可以进行信号传输，从而保证显示面板的正常显示
冗余区连接板结构引脚信号传输区信号传输申请边缘设置显示面板显示装置依次设置正常显示排布翘起撕裂保证

[发明专利]具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法-CN201210142949.6在审
发明人：杨光军;胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G11C29/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法。根据本发明的具有冗余电路的存储器装置包括：多个存储区以及冗余电路；其中，所述多个存储区的每一个都被均等地划分成多个次级存储区，并且其中，单条位线所选择的所有存储单元位于同一个次级存储区中；其中，所述冗余电路具有尺寸等于次级存储区的冗余替换存储单元，所述冗余替换存储单元用于在出现有缺陷的位线时替换位线所选择的存储单元所在的次级存储区。
具有冗余电路存储器以及提供方法

[发明专利]冗余图形的检测方法-CN202010479608.2有效
发明人：李佳佳;姜立维;魏芳;曹云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供了一种冗余图形的检测方法，包括：查找长度和宽度符合设计规则的多个图形，得到第一冗余图形；选择第一冗余图形之间的相对距离符合第一预设值的部分作为第一区域；从第一区域内的第一冗余图形之间的间隔部分选出长度和宽度符合第二预设值的多个间隔图形，组成第二区域；选择与第二区域相邻的第一冗余图形作为第二冗余图形；对第二冗余图形中的每个图形向外扩展第一预设值的一半得到第三区域；扩展第三区域，形成第四区域；将第四区域的边界向内收缩得到第五区域；用冗余图形的可添加区域去除所述第五区域本发明可以使得冗余图形的添加的检测更加全面，并且还能减少输出结果的数量，从而减少查看结果的时间。
冗余图形检测方法

[发明专利]半导体器件版图结构-CN202310692640.2有效
发明人：张振;陈星;王焕琛 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件版图结构，包括第一互连图形层、第二互连图形层至第n互连图形层，第一互连图形层包括位于冗余图形区的至少两个第一冗余金属图形、第三冗余金属图形和第四冗余金属图形，第二互连图形层至第n互连图形层均包括位于冗余图形区的至少两个第二冗余金属图形、第三冗余金属图形和第四冗余金属图形；第三冗余金属图形、第四冗余金属图形和第二冗余金属图形的面积均不同，第四冗余金属图形与第二冗余金属图形的形状不同，第四冗余金属图形与第三冗余金属图形的形状不同，可以提高冗余图形区的图形填充率，提高冗余图形区的图形均匀性，由此改善实际半导体器件制备中化学机械研磨的负载效应，避免互连层间短路和互连层表面凹陷。
半导体器件版图结构

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