[发明专利]具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法在审
| 申请号： | 201210142949.6 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102682854A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/24 | 分类号： | G11C29/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法。根据本发明的具有冗余电路的存储器装置包括：多个存储区以及冗余电路；其中，所述多个存储区的每一个都被均等地划分成多个次级存储区，并且其中，单条位线所选择的所有存储单元位于同一个次级存储区中；其中，所述冗余电路具有尺寸等于次级存储区的冗余替换存储单元，所述冗余替换存储单元用于在出现有缺陷的位线时替换位线所选择的存储单元所在的次级存储区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冗余 电路 存储器 以及 提供 方法 | ||
【主权项】：
一种具有冗余电路的存储器装置，其特征在于包括：多个存储区以及冗余电路；其中，所述多个存储区的每一个都被均等地划分成多个次级存储区，并且其中，单条位线所选择的所有存储单元位于同一个次级存储区中；其中，所述冗余电路具有尺寸等于次级存储区的冗余替换存储单元，所述冗余替换存储单元用于在出现有缺陷的位线时替换位线所选择的存储单元所在的次级存储区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210142949.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存-201511030051.X
- 刘会娟 - 北京兆易创新科技股份有限公司
- 2015-12-31 - 2019-01-08 - G11C29/24
- 本发明实施例公开一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存，该方法包括：扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出的所述存储区块中的坏列；通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。本发明实施例仅需要至少一个标记锁存器记录坏列信息，并且标记锁存器的位置可以自由设计，与现有技术相比，不再需要将标记锁存器设置成横跨整个存储阵列的形状，由此可大大减少标记锁存器占用的面积，也降低与非型闪存排版布局的难度。
- 具有冗余单元的半导体存储器件和替换方法-201310375803.0
- 金秀娥;孙宁洙;金大贤 - 三星电子株式会社
- 2013-08-26 - 2018-05-29 - G11C29/24
- 在一个实施例中，存储器件包括存储单元阵列，所述存储单元阵列至少具有第一存储单元组、第二存储单元组和冗余存储单元组。第一存储单元组包括与第一数据线相关联的多个第一存储单元，第二存储单元组包括与第二数据线相关联的多个第二存储单元，冗余存储单元组包括与冗余数据线相关联的多个冗余存储单元。数据线选择电路配置为提供第一数据线、第二数据线和冗余数据线之一与输入／输出节点之间的数据路径。
- 一种与非型闪存中坏列的处理装置及与非型闪存-201521138836.4
- 刘会娟 - 北京兆易创新科技股份有限公司
- 2015-12-31 - 2016-08-31 - G11C29/24
- 本实用新型实施例公开了一种与非型闪存中坏列的处理装置及与非型闪存，所述装置包括：坏列扫描模块，用于扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；坏列个数统计模块，用于通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；错误数据个数获取模块，用于扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。本实用新型实施例中仅需要至少一个标记锁存器用于记录坏列信息，可以大大减少标记锁存器占用的面积，也降低与非型闪存排版布局的难度。
- 存储器装置以及冗余方法-201210387036.0
- 荒川贤一 - 华邦电子股份有限公司
- 2012-10-12 - 2014-01-01 - G11C29/24
- 一种存储器装置，包括：至少一存储器；一控制器，控制所述至少一存储器；以及连接单元，连接至所述至少一存储器与所述控制器。所述至少一存储器包括：一存储器区域，包括多个存储元件；一冗余存储器区域，包括多个存储元件；以及冗余信息存储部，存储用于所述存储器区域的存储元件的冗余信息。所述控制器包括：控制部，根据所述冗余信息存储部所存储的所述冗余信息，控制从所述至少一存储器读出的数据以及写入至所述至少一存储器的数据。本发明提供的存储器装置中存储器的周边电路的组成较为简洁，因此周边电路所占有的面积可以减少，可以缩小高集成的存储器晶片的大小。
- 具有冗余存储器的存储器阵列的数据复制方法及装置-201210053619.X
- 洪硕男 - 旺宏电子股份有限公司
- 2012-03-02 - 2013-09-11 - G11C29/24
- 本发明公开了一种例如是在不同区段的介于该存储阵列的一来源页面与该存储阵列的一目的页面间复制写回编程的页面复制操作。此区段分割此主要阵列的行及冗余阵列中的该组冗余行为例如多个列组。该复制写回编程将数据从该冗余阵列中该来源页面一部分的数据复制至该主要阵列的该目的页面一部分，且将数据从该主要阵列中该来源页面一部分的数据复制至该冗余阵列的该目的页面一部分。
- 存储器的出错信息记录方法及冗余替代方法-201210564171.8
- 吴玮 - 上海宏力半导体制造有限公司
- 2012-12-21 - 2013-04-03 - G11C29/24
- 一种存储器的出错信息记录方法及冗余替代方法，其中，出错信息记录方法包括：对存储器进行区域划分，且每个区域的子单元数目与冗余单元的子单元数目相等；对每个区域的所有子单元进行性能测试，若该区域所有子单元性能全部合格，则在出错信息记录单元中存入合格，若该区域有子单元性能不合格，则在出错信息记录单元中存入不合格。换言之，本发明采用冗余单元为单位对测试结果进行记录，利用了冗余技术中采用冗余单元对存储器的包含该缺陷单元的多个单元整体进行替换的特点，降低了测试结果的数据量，避免了存储容量不足出现的溢出问题，提高了存储器的可靠性，同时本发明的技术方案使得固定容量的记录单元能测试更大容量的存储器。
- 具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法-201210142949.6
- 杨光军;胡剑 - 上海宏力半导体制造有限公司
- 2012-05-09 - 2012-09-19 - G11C29/24
- 本发明提供了一种具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法。根据本发明的具有冗余电路的存储器装置包括：多个存储区以及冗余电路；其中，所述多个存储区的每一个都被均等地划分成多个次级存储区，并且其中，单条位线所选择的所有存储单元位于同一个次级存储区中；其中，所述冗余电路具有尺寸等于次级存储区的冗余替换存储单元，所述冗余替换存储单元用于在出现有缺陷的位线时替换位线所选择的存储单元所在的次级存储区。
- 具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法-201110009199.0
- 杨光军 - 上海宏力半导体制造有限公司
- 2011-01-17 - 2011-08-17 - G11C29/24
- 本发明提供了一种具有冗余电路的存储器以及为存储器提供冗余电路的方法。根据本发明的具有冗余电路的存储器包括：多个扇区以及冗余电路，其中每个扇区包括第一数量的存储行阵列，其中所述冗余电路包括多个冗余单元，其中每个冗余单元包括第二数量的存储行阵列，并且所述第二数量小于所述第一数量。通过提供尺寸小于扇区的冗余单元，有效地减小了冗余电路的面积以及存储器的面积，并提高了冗余电路的利用率。
- 半导体存储器装置中的冗余电路-200810171883.7
- 姜相熙 - 海力士半导体有限公司
- 2005-07-20 - 2009-08-19 - G11C29/24
- 本发明提供一种冗余电路，在该冗余电路中，多个冗余替换单位设置于一个熔丝组中以提高熔丝组的使用效率。半导体存储器装置中的该冗余电路包含：熔丝组控制器，其用于输出根据所施加的地址信号而使能的冗余使能信号；冗余选择器；备用冗余选择器；及备用熔丝控制器，其受控于所述冗余使能信号，用于根据内部熔丝选项来输出选择冗余选择器和备用冗余选择器中的至少一个的选择控制信号。
- 测试存储器件的装置-200810187360.1
- 金东烈 - 东部高科股份有限公司
- 2008-12-29 - 2009-07-01 - G11C29/24
- 本发明的各实施例涉及一种可以测试存储器件的装置。根据各实施例，通过增加简易电路而不使用昂贵的装置来以测试存储器的主要部分的延迟的方式可以降低存储器开发周期，并且这样可以降低存储器的开发成本。根据各实施例，存储器件包括存储器阵列和冗余存储器。根据各实施例，该器件可以包括：确定对应于选择信号的驱动力的可编程冗余解码器，该可编程冗余解码器输出确定的驱动力至冗余存储器的字线；以及延迟差产生单元，用于产生延迟差信号，该延迟差信号对应于从冗余存储器输出的第一和第二字线信号之间的延迟差。
- 半导体存储器-200810180426.4
- 森郁;奥山好明 - 富士通微电子株式会社
- 2005-11-15 - 2009-05-13 - G11C29/24
- 本发明公开了半导体存储器。为了使所有存储器模块都具有相同结构，在每个存储器模块中形成冗余字线和冗余位线。冗余列选择线被布线为由存储器模块公用。形成列冗余电路以对应于各个存储器组，每个存储器组包含规定数目的存储器模块，列冗余电路根据使能信号而变得有效。当所有行命中信号被去激活时，列冗余选择电路根据模块地址信号激活使能信号。当行命中信号之一被激活时，列冗余选择电路激活与被激活的行命中信号相对应的使能信号。由于用于任意存储器组的列冗余电路可以根据行命中信号而变得有效，所以可以在不恶化访问操作期间的电特性的情况下提高故障消除效率。
- 针对NAND Flash冗余码的存取方法-200810046403.4
- 周防;邹铮贤 - 四川登巅微电子有限公司
- 2008-10-29 - 2009-05-06 - G11C29/24
- 本发明公开了针对NAND Flash冗余码的存取方法，其特征在于：将NANDFlash中一个块的n个页面作为备用区的扩展空间，其中n≥1；写入数据时，数据存储在一个扇区的数据区中，当需要纠错能力大于16字节的空间来存放冗余码时，冗余码的前16字节放入该扇区自带的16字节备用区中，其余的字节存储在该扇区所对应的备用区的扩展空间中；开辟了新的冗余码存储空间，在次空间内冗余码按块顺序排放，在读取某块数据前，先将冗余码加载至系统内存，供解码单元使用。
- 一种容错存储器及其纠错容错方法-200710176138.7
- 王达;胡瑜;李华伟;李晓维 - 中国科学院计算技术研究所
- 2007-10-19 - 2009-04-22 - G11C29/24
- 本发明涉及一种容错存储器及其纠错容错方法，其中的容错存储器包括：第1层存储器阵列、第1层译码逻辑、公有冗余行、公有冗余列和第1层存储器纠错容错电路，所述第1层存储器阵列由若干个第0层存储器组成；所述第0层存储器包括第0层存储器阵列、第0层译码逻辑、私有冗余行、私有冗余列和第0层存储器纠错容错电路；所述第0层存储器阵列由若干个存储器字组成。其纠错容错方法是首先利用第0层的私有冗余行和冗余列对故障进行替换，如无法替换，则利用第1层的公有冗余行和冗余列对故障进行替换。本发明的优点包括：降低了存储器对测试和修复仪器的依赖，降低了存储器的成本；本发明具有良好的修复效率，提高了存储器的成品率。
- 用于快闪存储器中的动态位替换的列冗余RAM-200810161379.9
- 艾伦·陈;内维尔·伊奇哈波里亚;维贾伊·P·阿杜苏米利;斯蒂芬·郑 - 爱特梅尔公司
- 2008-09-25 - 2009-04-01 - G11C29/24
- 本发明是关于用于快闪存储器中的动态位替换的列冗余RAM，用于非易失性存储器的列冗余系统包含独立伙伴控制器芯片，所述独立伙伴控制器芯片包含用于存储有缺陷非易失性存储器单元的地址的列冗余RAM存储器阵列。列冗余匹配逻辑提供对应于所述非易失性存储器的特定用户输入地址与有缺陷非易失性存储器单元的所述地址的匹配的匹配输出信号，所述地址的集合存储在所述列冗余RAM存储器阵列中。列冗余替换逻辑响应于匹配输出，将与有缺陷非易失性存储器单元相关联的正确数据动态代入非易失性存储器芯片的I/O编程或读取数据位流中。
- 专利分类
