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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

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2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁控溅镀装置-CN201010152918.X无效
发明人：裴绍凯 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅镀装置，其包括壳体、靶源、承载基座及驱动装置；壳体包括外壳及固设于外壳内的内壳；靶源固设于外壳与内壳之间，且靶源与内壳将外壳内分割为溅镀空间及容置空间；靶源靠近于溅镀空间的顶部，靶源包括两块冷却基板、两个磁性组件及靶材，磁性组件位于两块冷却基板之间，靶材固设于磁性组件下方的冷却基板上；每个磁性组件包括支撑臂及多个固设于支撑臂上的磁铁；承载基座固设于溅镀空间底部；驱动装置包括线性马达，线性马达包括定子及转子
磁控溅镀装置

[实用新型]连续式蒸镀溅镀机-CN03219715.2无效
发明人：林政乾;戴明光;马伟平 -专利权人：林政乾;戴明光;马伟平
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连续式蒸镀溅镀机，包括真空镀膜机，所述真空镀膜机的两端分别密封连接在若干个进件真空过渡室和出件真空过渡室，每个进件真空过渡室和出件真空过渡室均安装有抽真空装置，进件真空过渡室、真空镀膜机和出件真空过渡室之间贯通有工件输送导向装置
连续式蒸镀溅镀机

[发明专利]靶材、靶材的制造方法及平板状靶-CN201580032190.8在审
发明人：世良佳弘;石田新太郎;矢野智泰 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：该靶材供溅镀的溅镀面的表面粗糙度Ra为0.5μm以上1.5μm以下，且形成于溅镀面的微裂隙的最大深度为15μm以下。
靶材制造方法平板

[发明专利]用于大面积AZO透明导电玻璃的磁控溅射镀膜生产线-CN201711320091.7在审
发明人：祝海生;黄乐;陈立;凌云;黄夏;孙桂红;黄国兴 -专利权人：湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开用于大面积AZO透明导电玻璃的磁控溅射镀膜生产线，包括依次连接的进口室、进口缓冲室、溅镀室、出口传送室、出口缓冲室和出口室，所述进口缓冲室和溅镀室为真空室，相邻的室之间设有至少一个阀门；所述生产线还包括传送机构，所述传送机构衔接于相邻室之间；所述溅镀室内设有至少一个溅镀盘，所述溅镀盘设有至少三个靶位，所述溅镀盘通过第一驱动装置靠近或者远离玻璃基片。
溅镀磁控溅射镀膜透明导电玻璃缓冲室传送机构溅镀室第一驱动装置玻璃基片生产效率依次连接出口室传送室进口室相邻室真空室靶位镀膜阀门进口出口室内衔接节约

[发明专利]一种制备CIGS太阳能电池的方法-CN201310740599.8有效
发明人：陈进中;莫经耀;吴伯增;林东东;甘振英 -专利权人：柳州百韧特先进材料有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及CIGS太阳能电池，具体说是一种制备CIGS太阳能电池的方法,其包括在基板上溅镀钼电极层、将具有钼电极层的基板置于真空室内，并正向推动基板，在基板上溅镀CIGS吸收层、反向推动基板，在吸收层上溅镀本发明通过基板的正向移动，溅镀吸收层；基板反向移动，溅镀缓冲层，不仅提高了生产效率，而且节省了空间，降低了生产成本。本发明有效控制了CIGS吸收层的溅镀，并精确控制了各层的厚度，生产的产品质量好。
一种制备 cigs 太阳能电池方法

[发明专利]溅镀靶、透明导电膜及其制造方法，以及触控面板-CN201310571124.0在审
发明人：戈卡尔普·贝拉默戈鲁;朱浚斈;杨贵宝;王燕儒 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开一种溅镀靶，其特征在于，为掺杂杂原子之氧化锌铝所成的溅镀靶，其中所述杂原子为第2族元素、第5族元素、第10族元素或上述之组合，且所述杂原子之掺杂比例为0.5重量%至20重量%。采用本发明之溅镀靶，具有成本低、电阻温度系数高的优点。本发明亦提供使用此溅镀靶在基板上沉积形成薄膜之方法及使用此溅镀靶所制得之触控面板。
溅镀靶透明导电及其制造方法以及面板

[实用新型]一种高效精准定位的汽车饰圈真空溅镀治具-CN201520717473.3有效
发明人：张月明;王继明;刘奇俊;左光华 -专利权人：太仓希拓自动化设备有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效精准定位的汽车饰圈真空溅镀治具，包括：治具本体，所述的治具本体由固定板和固定套筒构成，所述治具本体的外围设有凸缘，所述的凸缘和固定板之间设有卡位槽和棱条，所述固定套筒的外围设有定位槽，所述的固定套筒上设有凸块，所述固定套筒筒口下方对应的固定板呈内凹型。本实用新型所述的高效精准定位的汽车饰圈真空溅镀治具，其通过在治具本体上设置固定套筒和固定板，并在固定套筒上设置凸块，让其在治具本体上划分出真空溅镀区和非真空溅镀区，从而有效提高其真空溅镀的准确性，同时整个治具的结构简单
一种高效精准定位汽车真空溅镀治具

[发明专利]晶圆处理沉积屏蔽构件-CN200980113536.1有效
发明人：马丁·李·瑞勒;基斯·A·米勒;阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：在一个实施例中，提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括：圆柱状外带，其具有第一直径，该第一直径的尺寸确定为围绕溅镀靶材的溅镀表面以及基板支撑件，该圆柱外带包括环绕溅镀靶材的溅镀表面的上壁以及环绕基板支撑件的下壁；支撑壁架，其包括支承表面并从圆柱状外带向外径向地延伸；基座板，其从圆柱状外带的下壁向内径向地延伸；以及圆柱状内带，其与基座板相连接并部分环绕基板支撑件的周围边缘。
处理沉积屏蔽构件

[发明专利]成膜方法及溅镀装置-CN201580051441.7有效
发明人：瀬戸口佳孝;岸田茂明;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法及溅镀装置，不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体(10)的真空容器(2)内的天线(20)供给高频电力(P_R)来产生感应耦合型的等离子体(22)，利用所述等离子体(22)与靶材偏置电压(V_T)，对靶材(30)进行溅镀而在基板(12)上进行成膜。在成膜的开始时，向天线(20)供给高频电力(P_R)来产生等离子体(22)后，对靶材(30)施加靶材偏置电压(V_T)而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材(30)的靶材偏置电压(V_T)而停止溅镀后，停止供给至天线(20)的高频电力(P_R)而使等离子体(22)消失。
方法装置

[发明专利]溅镀靶及其制造方法-CN201780021081.5有效
发明人：梶山纯 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制电弧的IGZO溅镀靶。本发明的IGZO溅镀靶含有In、Ga、Zn、O，其特征在于：以原子比计为0.30≦In/(In+Ga+Zn)≦0.36、0.30≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.36、0.30≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.36，相对密度为96％以上，溅镀靶表面的晶粒的平均粒径为30.0μm以下，且溅镀靶表面的粒径的差异为20％以下(1.0≦Dmax/Dmin≦1.2)。
溅镀靶及其制造方法

[发明专利]溅镀靶-CN201380004880.3有效
发明人：尹荣徳;安藤俊之;上田健一郎 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种在靶溅镀时防止发生颗粒、飞溅和粉尘等粗大丛集，且提高由溅镀形成的薄膜膜厚的均匀性的溅镀靶。该溅镀靶以纯度为99.9质量％以上的铜为主成分，其特征在于，含有10ppm以下的硫(S)、及2ppm以下的铅(Pb)，且优选所述铜的纯度为99.96质量％以上。
溅镀靶

[实用新型]溅镀机的冷却装置-CN200820135887.5无效
发明人：刘辛 -专利权人：苏州凡特真空溅镀科技有限公司
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种溅镀机的冷却装置，包含有：一溅镀源、一防着板结构、一输送带结构及若干置物板，该防着板结构设于输送带结构两侧；该防着板结构及/或输送带结构的异于溅镀区方向的表面锁设有可拆离的冷却装置，所述冷却装置包含有一控制结构本实用新型的有益效果为：强制冷却并可控制冷却效率，所以被镀物不致有因高温产生变形的情形，良率提升；控制降低溅镀发热，所以制程速度减缓，溅镀符合要求，制程也可以缩短。
溅镀机冷却装置

[实用新型]一种无机配向膜制备装置-CN201820111766.0有效
发明人：白雨成;全义九;李相文;张昌泳;丁钟国;边娜恩 -专利权人：株式会社SELCOS;胜显（上海）商贸有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无机配向膜制备装置，所公开的无机配向膜装置包括：含有内部形成真空条件的真空腔；将稳定沉积了被溅射物的托盘引入真空腔内或引出真空腔外的移送部；以及位于真空腔内的将溅射粒子按事先设定的角度喷射到被溅射物的一个面的溅射部件本实用新型因无机配向膜制备装置使用溅射装置而具有较高的溅镀率，可提高原始资源使用的效率，与电子束无机配向膜制备装置相比，可缩短原始资源和被溅镀物的间距，不用改变被溅镀物位置也能使被溅镀物水平移动，可形成厚度均匀的无机配向膜
配向膜制备装置真空腔溅镀本实用新型被溅射物原始资源电子束托盘厚度均匀溅射粒子溅射装置真空条件沉积溅射喷射引入

[实用新型]一种水平往复式溅镀设备-CN201520811451.3有效
发明人：吴允中;高为彪 -专利权人：上海光和光学制造大丰有限公司;上海光和光学制造股份有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水平往复式溅镀设备，包括依次相连的进料腔体、预处理腔体、第一缓冲腔体、溅镀室、第二缓冲腔体和出料腔体，溅镀室由若干个溅镀腔体组成；溅镀腔体包括两个平行设置于溅镀腔体第一内侧壁上的靶材组件、一设置在两个靶材组件下方的遮蔽件和一与两个靶材组件相对设置且靠近溅镀腔体第二内侧壁的均气挡板，与第一内侧壁相对的外侧壁上设置有真空计，与第二内侧壁相对的外侧壁上设置有涡轮分子泵；靶材组件包括中间圆柱电极和与其相匹配的外围圆筒靶材与现有技术相比，本实用新型能够使用较少的腔体与靶材对应旋转，往复移动完成多层膜的真空溅镀，大大的节约了成本，提高了加工场所的空间利用率。
一种水平往复式溅镀设备

[实用新型]一种芯片溅镀治具的四边自动矫正器-CN201620113982.X有效
发明人：应朝阳;宋卫华 -专利权人：台晶（宁波）电子有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B21D3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种芯片溅镀治具的四边自动矫正器，控制箱上端面安装有芯片溅镀治具放置台，芯片溅镀治具放置台上相邻的两个侧面的边缘处布置有定位凸起条，控制箱上端面上安装有两个与芯片溅镀治具放置台没有布置定位凸起条的侧面一一对应的矫正气缸结构，矫正气缸结构包括气缸、定位板和矫正块，气缸安装在控制箱上端面上，气缸上安装有定位板，气缸的顶杆垂直朝向芯片溅镀治具放置台的侧面，气缸的顶杆上安装有与芯片溅镀治具放置台侧面对应的矫正块，控制箱上端面上安装有控制钮本实用新型具有结构简单、使用方便、大大提高芯片溅镀治具的生产效率、降低劳动里成本、提高芯片溅镀治具质量等特点。
一种芯片溅镀治具四边自动矫正

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