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[发明专利]等离子体处理装置-CN202180064165.3在审
发明人：松尾大辅;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了可对沿着天线的长边方向的等离子体密度分布进行细微调整，实现等离子体密度分布的进一步均匀化，本发明的等离子体处理装置包括：真空容器(1)；天线(2)，设置于真空容器(1)的外部，流通高频电流(IR)；以及高频窗(9)，将形成于真空容器(1)的面向天线(2)的位置的开口(10x)堵塞，且天线(2)包括高频电流(IR)的流通方向彼此反向的去路导体(21)及返路导体(22)，所述等离子体处理装置还包括距离调整机构(10)，所述距离调整机构(10)对去路导体(21)及返路导体(22)的相对距离进行局部调整。
等离子体处理装置

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201880037318.3有效
发明人：松尾大辅;安东靖典;瀬戸口佳孝;岸田茂明 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN202180043421.0在审
发明人：酒井敏彦;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在作为沟道层而使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，以低成本提供具有高可靠性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，是在基板上依序层叠有栅电极、栅极绝缘层、包含氧化物半导体的沟道层、以及保护所述沟道层的表面的沟道保护层的底部栅极型的薄膜晶体管，其中所述沟道保护层包括含有氟的氧化硅膜，所述含有氟的氧化硅膜中O原子数(at％)相对于Si原子数(at％)的比即O/Si比为1.94以上。
薄膜晶体管

[发明专利]溅镀装置-CN202180019740.8在审
发明人： 安东靖典;东大介 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C14/40 文献下载
摘要：本发明通过在真空容器的外部配置天线并缩短从靶材到被处理物的距离，从而可实现成膜速度或处理效率的提高，并且高效率地溅镀靶材。一种溅镀装置100，使用等离子体P来溅镀靶材T而在被处理物W进行成膜，且包括：真空容器1，经真空排气；天线5，设置在真空容器1的外部；介电质板6，设置在真空容器1的外壁1a的面向天线5的位置；以及靶材保持部3，在真空容器1内保持靶材T，靶材T设置在夹持介电质板6的位置中的一者或两者，其溅镀面Ta相对于介电质板6向与天线5相反的一侧倾斜延伸。
装置

[发明专利]天线机构及等离子体处理装置-CN202080095331.1在审
发明人： 安东靖典;松尾大辅 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P5/02 文献下载
摘要：本发明能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗，其为用来生成等离子体P的天线机构3，包括：天线本体31，流通高频电流；以及一条或多条调整电路32，与天线本体31邻接设置，调整电路32具有构成闭路的金属导体321、及构成闭路的电容器322。
天线机构等离子体处理装置

[发明专利]电容元件及等离子体处理装置-CN201980009942.7有效
发明人：李东伟;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01G5/06 文献下载
摘要：提供一种电容元件及等离子体处理装置。在使用液体物质来作为电介质的电容元件中，防止静电电容变化。电容元件包括：收纳容器，具有将作为电介质的液体导入的导入端口及将所述液体导出的导出端口，且由所述液体来装满；以及至少一对电极，设置于所述收纳容器内且彼此相向，并且在所述收纳容器的上壁形成有用以将此收纳容器内的气泡排出的开口部。
电容元件等离子体处理装置

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN202080051447.5在审
发明人：松尾大辅;安东靖典;瀬戸口佳孝 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]氧化物半导体的加工方法及薄膜晶体管的制造方法-CN202080042357.X在审
发明人：松尾大辅;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种加工方法，在结晶性不同的两种氧化物半导体层叠而成的氧化物半导体层的加工中容易获得所需的形状。所述加工方法将包含氧化物半导体的第一半导体层、与包含较构成所述第一半导体层的氧化物半导体而言结晶性高的氧化物半导体的第二半导体层自基板侧依序层叠而成的半导体层叠体，利用离子研磨法进行加工而成形。
氧化物半导体加工方法薄膜晶体管制造

[发明专利]等离子体处理装置-CN202080036501.9在审
发明人： 安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，使用等离子体对配置于处理室中的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：容器主体，在形成所述处理室的壁具有开口；金属板，以堵塞所述开口的方式设置，并形成有在厚度方向上贯通的狭缝；电介质板，与所述金属板接触而受到支撑，并自所述处理室的外部侧堵塞所述狭缝；以及天线，以与所述金属板相向的方式设置于所述处理室的外部，并与高频电源连接而产生高频磁场，所述等离子体处理装置满足h‑D/2＞0.7(h为所述天线的中心轴与所述金属板中的所述天线侧的表面之间的距离(mm)，D为所述天线的直径(mm))。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201980094225.9在审
发明人： 安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，使用等离子体对配置于处理室中的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：容器主体，在形成所述处理室的壁具有开口；金属板，以堵塞所述开口的方式设置，并形成有在厚度方向上贯通的狭缝；电介质板，自所述处理室的外部侧堵塞所述金属板的狭缝；以及天线，以与所述金属板相向的方式设置于所述处理室的外部，并与高频电源连接而产生高频磁场。
等离子体处理装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201980080222.X在审
发明人：松尾大辅;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，在基板上依序配置有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极，所述薄膜晶体管的特征在于，所述氧化物半导体层自所述基板侧起依序具备第一半导体层与第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层包括含有相互相同的构成元素的氧化物半导体膜，且构成所述第二半导体层的氧化物半导体膜的结晶性较构成所述第一半导体层的所述氧化物半导体膜的结晶性高。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]溅射装置-CN201880036037.6有效
发明人：岸田茂明;松尾大辅;瀬戸口佳孝;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置，包括：真空容器，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部，在真空容器内保持基板；靶材保持部，在真空容器内与基板相向而保持靶材；以及多个天线，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线包括：导体部件，至少两个，且呈管状；绝缘部件，设置于相互邻接的导体部件之间，使所述导体部件绝缘，且呈管状；以及电容元件，与相互邻接的导体部件电串联连接；电容元件包括：第一电极，与相互邻接的导体部件中的一者电连接；第二电极，与相互邻接的导体部件中的另一者电连接，并且与第一电极相向而配置；以及电介质，填满第一电极与第二电极之间的空间；并且电介质为冷却液。
溅射装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201980047003.1在审
发明人：酒井敏彦;东大介;中田誓治;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明实现一种等离子体处理装置，其可使形成于基板的膜的成膜速率及膜厚度均匀。等离子体处理装置(1)包括多个设置于真空容器(10)内的等离子体生成用的天线(20)；设置有多个气体喷出口(30)的多个组群，所述多个气体喷出口(30)相对于多个天线(20)的各自的长边方向(D1)而大致垂直，且设置于在多个天线(20)相互排列的方向上延伸的线(L1)的附近；并且还包括气体流量控制部，其对从多个气体喷出口(30)的组群的每一个所喷出的气体的流量加以控制。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201880077281.7在审
发明人： 安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明是使天线导体冷却而稳定地产生等离子体，并且一面使与天线导体连接的可变电容器冷却，一面抑制其静电电容的意外的变动。一种等离子体处理装置，在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置包括：天线导体，被流入高频电流，用以产生等离子体；以及可变电容器，与所述天线导体电连接，且所述天线导体在内部具有冷却液所流动的流路，所述可变电容器的介电质包括在所述天线导体内流动的冷却液。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体产生用的天线、具有所述天线的等离子体处理装置以及天线构造-CN201880011433.3在审
发明人： 安东靖典;李东伟;久保田清 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明减小天线的阻抗，并且消除构成电容元件的电极及介电质之间产生的间隙。本发明的天线(3)用于产生感应耦合型等离子体P，且具备至少两个导体要素(31)、设于彼此相邻的导体要素(31)之间且将这些导体要素(31)绝缘的绝缘要素(32)、以及与彼此相邻的导体要素(31)电性串联的电容元件(33)，电容元件(33)是由与彼此相邻的导体要素(21)中的一者电性连接的第一电极(33A)、与彼此相邻的导体要素(31)中的另一者电性连接的第二电极(33B)、以及将第一电极(33A)及第二电极(33B)之间的空间充满的液体介电质所构成。
导体要素天线电容元件第二电极第一电极电性连接感应耦合型等离子体等离子体处理装置等离子体产生液体介电质电性串联绝缘要素天线构造电极介电质减小阻抗绝缘

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