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[发明专利]一种新型光电发射材料及其制备方法-CN202111386257.1有效
发明人：徐源 -专利权人：徐源
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明属于光电发射材料技术领域，特别涉及一种新型光电发射材料及其制备方法。:Sub>GaxN缓冲层，Al1‑xGaxN缓冲层的上表面生长有p型GaN光电发射层，GaN光电发射层上沉积有硒构成的改性层以及Cs或多层Cs/O激活层，有效的释放了缓冲材料与光电发射材料之间的生长界面应力，提高了界面质量。同时含硒改性层的设计能够提高该薄膜的热稳定性，保障了该材料的光电发射性能。
一种新型光电发射材料及其制备方法

[发明专利]一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法-CN200810233322.5无效
发明人：杜晓晴;常本康;钱芸生;赵红;王晓兰 -专利权人：重庆大学
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其厚度方向自下而上由衬底、非故意掺杂的GaN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的GaN缓冲层生长在衬底上；p型GaN光电发射层外延生长在所述GaN缓冲层上；Cs或Cs/O激活层吸附在p型GaN光电发射层的前表面上，厚度在nm数量级。该结构采用非故意掺杂的GaN材料作为衬底材料和p型GaN光电发射材料之间的缓冲层，从而获得具有零界面复合速率的GaN光电发射材料；提高了界面处电子发射到真空的几率，并最终提高了GaN紫外光电阴极的总体量子效率；由于长波长的紫外光将在GaN光电发射层与缓冲层之间的界面处吸收，因此这种零界面复合速率的材料结构能获得较高的长波紫外灵敏度。
一种反射 gan 紫外光电阴极材料结构及其制作方法

[发明专利]一种光电阴极及其应用-CN202110040605.3在审
发明人：蔡志鹏;张景文 -专利权人：陕西理工大学;西安交通大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明涉及光电阴极技术领域，尤其涉及一种光电阴极及其应用。本发明提供的光电阴极，包括依次层叠设置的光电发射材料层、内表面增透膜、光入射窗和外表面增透膜；所述内表面增透膜包括层叠设置的高折射率材料层和低折射率材料层；所述内表面增透膜的层数≥2；所述高折射率材料层的折射率与所述低折射率材料层的折射率之间的差值≥0.2；所述光电发射材料层的光电发射材料中包括Sb元素和/或Te元素。本发明所述光电阴极在宽波段或特定波段具有较高的增透效果。
一种光电阴极及其应用

[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201811398432.7有效
发明人： P.纳格尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：光电子器件和用于制造光电子器件的方法。光电子器件具有带有安装面的载体。在安装面上方布置至少一个被构造为发射电磁辐射的光电子半导体芯片。模制材料被布置在安装面上方，其中所述光电子半导体芯片被嵌入在模制材料中。在模制材料中构造出空腔。空腔是空的。光电子半导体芯片的辐射发射面不被模制材料所覆盖。该空腔可通过在模制材料中的开口接近。开口的开口面比光电子半导体芯片的所有辐射发射面的总和小。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201910145405.7有效
发明人： P.纳格尔;K.赖因鲁贝尔;S.布兰特尔;K.瓦格纳;R.米勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：光电子器件和用于制造光电子器件的方法。光电子器件（1，2，3）具有载体（4）、光电子装置（6）和灌封材料（21）。光电子装置（6）包括光电子半导体芯片（7）。光电子装置（6）布置在载体（4）的上侧（5）上面。灌封材料（21）布置在载体（4）的上侧（5）上面，使得光电子装置（6）嵌入在灌封材料（21）中。光电子装置（6）的辐射发射表面（14）不被灌封材料（21）覆盖。灌封材料（21）的表面（22）相对于载体（4）的上侧（5）构造在辐射发射表面（14）上方。
光电子器件用于制造方法

[其他]用于定量测定存在于一个试样中的材料之方法和装置-CN101994000092645在审
发明人： H·哈福特;G·兴津 -专利权人：于利奇研究中心有限公司
申请日： 1994-06-24 - 公布日： 1996-07-10 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明是关于用于定量测定存在于一个试样中的材料之方法，该材料作为亚微米粒子被具有光电发射能力的物质覆盖着。本发明的任务是，对构成试样的材料成分进行测定，方法是，首先将试样材料通过热处理达到光电发射状态并进行光电发射测量。根据测量中得到的测量信号，样品中材料的成分将借助于一个对比试样的测量数据或者利用通过该材料标定获得的数据进行测定。
用于定量测定在于一个试样中的材料方法装置

[发明专利]用于定量测定存在于一个试样中的材料之方法和装置-CN94192645.1无效
发明人： H·哈福特;G·兴津 -专利权人：于利奇研究中心有限公司
申请日： 1994-06-24 - 公布日： 1996-07-10 - 主分类号： G01N23/227 文献下载
摘要：本发明是关于用于定量测定存在于一个试样中的材料之方法，该材料作为亚微米粒子被具有光电发射能力的物质覆盖着。本发明的任务是，对构成试样的材料成分进行测定，方法是，首先将试样材料通过热处理达到光电发射状态并进行光电发射测量。根据测量中得到的测量信号，样品中材料的成分将借助于一个对比试样的测量数据或者利用通过该材料标定获得的数据进行测定。
用于定量测定在于一个试样中的材料方法装置

[发明专利]作为过渡金属络合物的配位体的新型化合物和由其制造的材料，及其应用-CN201180029789.8有效
发明人：安德烈亚斯·卡尼茨;丹尼尔·施塔克 -专利权人：欧司朗股份有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C07D253/08 文献下载
摘要：本发明涉及作为过渡金属络合物的配位体的新型化合物和由此制造的材料，所述材料例如能够作为发射体使用在有机发光电化学池（OLEEC）中。通过本发明首次提出非氟化的缺电子的发射体材料，所述发射体材料能够用在有机发光电化学池中。
作为过渡金属络合物配位体新型化合物制造材料及其应用

[发明专利]用于气体放电的冷电极-CN98800242.6无效
发明人： M·希兰 -专利权人： M·希兰
申请日： 1998-02-28 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01J61/073 文献下载
摘要：本发明涉及具有导电载体材料(1)的用于气体放电的冷电极，其中在载体材料(1)上沉积有发射涂层(3)，发射涂层(3)的材料的光电逸出功比载体材料(1)的光电逸出功低，或者低于5.6×10^{-19<发射涂层(3)特别地包含钇。电极优选是中空体的形式并且可被包围在玻璃体(8)中。}
用于气体放电电极

[发明专利]高功率光电倍增装置-CN201410229393.3在审
发明人：储冬红;郭楚媛;郭睦庚;严方园;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01J43/04 文献下载
摘要：高功率光电倍增装置，其特征在于，主要包括：入射光源，光阴极，一次电子发射极，二次电子发射极，三次电子发射极，四次电子发射极，光电流输出装置，接地保护装置，电流一次衰减装置，电流二次衰减装置，电流三次衰减装置，电流四次衰减装置，其中，一次电子发射极采用锑化铯镍合金电极材料，二次电子发射极采用氧化镧合金电极材料，三次电子发射极和四次电子发射极采用氧化钴铜铍合金电极材料，光电流输出装置含有厚度为2.98um的光束滤光膜，该滤光膜材料为十六偏铬酸碘铕纳米复合滤光膜。
功率光电倍增装置

[发明专利]一种单片集成收发一体光电芯片及集成芯片阵列-CN201611184920.9在审
发明人：刘凯;任晓敏;黄永清;王琦;段晓峰 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种单片集成收发一体光电芯片及集成芯片阵列，所述光电芯片包括衬底、光吸收单元和光发射单元；所述光发射单元的光激射波长为光电芯片的发射光谱区，所述光吸收单元吸收波长为光电芯片的吸收光谱区，所述吸收光谱区和所述发射光谱区不重叠；所述光吸收单元包括依次层叠于衬底上的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层，所述第三半导体材料上设有绝缘层，所述光吸收单元和光发射单元通过绝缘层电隔离；光发射单元包括第一反射镜、光学腔和第二反射镜只应用一个光学腔，同时起到光发射上的谐振增强与光吸收上的高透滤波功能，实现光信号的发射与接收。
一种单片集成收发一体光电芯片阵列

[发明专利]光电子发射系数的确定方法及装置-CN202310821399.9在审
发明人：徐焱林;聂翔宇;杜嘉余;刘业楠;王志浩;王思展 -专利权人：北京卫星环境工程研究所
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电子发射系数的确定方法及装置，该方法包括：确定太阳光源在第一辐射能量下的第一全光谱能量值以及紫外光源在第二辐射能量下的第二全光谱能量值；全光谱能量值包括多个不同波长下的辐射能量；根据第一全光谱能量值和第二全光谱能量值确定太阳光源和紫外光源的等效参数；等效参数用于表征太阳光源和紫外光源的辐射能量大小的等效关系；根据等效参数，确定样品材料在紫外光源照射下的发射光电子数量和入射光子数量，根据发射光电子数量和入射光子数量确定样品材料的光电子发射系数。利用与太阳光源等效后的紫外光源照射样品材料，提高了空间材料的光电子发射系数的测量结果的准确性。
光电子发射系数确定方法装置

[发明专利]太阳能光电转换装置-CN201010192476.1有效
发明人：林弘萱;吴俊熠;浦大钧 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H02N6/00 文献下载
摘要：本发明提出一种太阳能光电转换装置，允许天线进行发射或接收射频信号，其包含太阳能光电转换材料及传导电极。太阳能光电转换材料用以将光能转换成电能，而传导电极用以将太阳能光电转换材料转换所得的电能收集并传导。该传导电极的排列构成频率选择面，该频率选择面置于该天线的辐射发射或接收路径上。频率选择面与该天线具有间距，且频率选择面在该天线的主要辐射发射或接收路径方向上的投影涵盖该天线。
太阳能光电转换装置

[发明专利]基于金刚石/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法-CN201810906351.7在审
发明人：王悦湖;张菊;王雨田;宋庆文;汤晓燕;张玉明;张艺蒙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金刚石/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：在SiC衬底的上表面生长同质外延材料，形成集电区；在所述集电区的上表面生长异质外延材料并刻蚀，形成基区；在所述基区的上表面生长金刚石材料并刻蚀，形成发射区；在所述集电区的上表面生长第一金属材料，形成集电极；在所述发射区的上表面生长第二金属材料，形成发射极。本发明的光电NPN晶体管采用金刚石和SiC这两种禁带宽度不同的材料形成异质结，使得光电NPN晶体管的光电增益大幅提高，能够提高对热盲区的深紫外光的探测灵敏度，从而提高光电NPN晶体管的器件性能及器件可靠性
上表面金刚石生长集电区制备金属材料异质结构发射区基区刻蚀金刚石材料器件可靠性探测灵敏度材料形成光电增益器件性能深紫外光同质外延异质外延发射极集电极异质结衬底禁带盲区

[发明专利]一种复合发电装置-CN201210195045.X有效
发明人：刘红超;王绍荣 -专利权人：刘红超;王绍荣
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01M8/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种发电系统,本发明公开了一种复合发电装置，包括燃料电池、热光电电池，燃料电池与热光电电池之间，通过连接线串接，所述燃料电池包括阳极、阴极、固体电解质、燃料、吸收发射层、氧气或空气，所述热光电电池包括增透膜、光电转换材料、反射膜，其中，固体电解质位于阳极与阴极之间，燃料位于吸收发射层与阳极之间，氧气或空气位于阴极与吸收发射层之间，所述增透膜位于吸收发射层一侧，光电转换材料位于增透膜与反射膜之间。
一种复合发电装置

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