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[发明专利]一种掩模形貌图处理方法、装置以及计算机设备-CN202210085792.1在审
发明人：兰涛明 -专利权人：东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种掩模形貌图处理方法，包含以下步骤：获取待处理掩模设计版图以及所述待处理掩模设计版图对应的掩模形貌图；将所述掩模形貌图输入预设的已训练形貌图映射模型得到所述掩模形貌图对应的光刻胶形貌图本发明提供的一种掩模形貌图处理方法、装置和计算机设备解决了对于掩模形貌图进行处理时间成本高的技术问题。
一种形貌处理方法装置以及计算机设备

[发明专利]用于汽车的外侧壁结构、外侧壁模块和侧壁-CN201210024729.3有效
发明人： M.朱特纳;M.舒尔塞伊斯 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： B62D25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于汽车尤其是轿车的外侧壁结构(1)，其具有前部区段(2)和后部区段(3)，在这两个区段之间能够布置至少一个汽车车门，还具有上部区段(4)和下部区段(5)。本发明还涉及一种用于汽车的外侧壁模块(200)、侧壁以及一种汽车，尤其是轿车。
用于汽车外侧结构模块侧壁

[发明专利]衬底、半导体结构及其制备方法-CN202210723286.0在审
发明人：张玉;仇峰;张炜虎 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请中衬底的制备方法包括：提供初始衬底；在初始衬底的上表面形成掩模层，掩模层具有掩模图案；基于掩模图案，在初始衬底内形成隔离沟槽；对掩模图案的侧壁进行回刻，以暴露出部分初始衬底的上表面；暴露出的初始衬底的上表面与隔离沟槽的侧壁形成拐角；去除暴露出的衬底的上表面与隔离沟槽的侧壁所形成的拐角。本申请中衬底的制备方法能够对拐角原本的形貌进行改善，形成一个较为钝化的新的形貌，这样制备而得的衬底可以使得后续制程中栅极氧化层生长一致性较好，从而能够避免后续制程中形成的栅极氧化层生长厚度不足，或生长厚度不均匀等缺陷
衬底半导体结构及其制备方法

[发明专利]改善自对准接触孔的硅化钨双栅极边缘粗糙度的方法-CN201210468774.8有效
发明人：孙娟;郁新举;吴智勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善自对准接触孔的硅化钨双栅极边缘粗糙度的方法，包括如下步骤：1.1硅化钨栅极图形的形成；1.2硅化钨栅极的第一次栅极刻蚀；1.3采用一步同时带有修正硅化钨侧壁形貌功能的干法刻蚀去除光刻胶本发明在第一步刻蚀完去胶时采用一步与传统氧气去胶不同的带四氟化碳的特殊去胶步骤，并加以纯水冲洗处理,由于四氟化碳的特殊去胶步骤能刻蚀部分硅化钨侧壁，修复硅化钨膜层的侧壁成垂直形貌，使得在后续沉积介质膜及第二步刻蚀中难以形成小的介质膜阻挡墙
改善对准接触硅化钨双栅极边缘粗糙方法

[实用新型]半导体器件结构-CN202020535643.7有效
发明人：王鹏;徐大朋;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型在制备外延结构的过程中，制备出包括少两层外延单元层的外延结构，且外延单元层中的至少两层具有不同的掺杂浓度，可以基于上述材料层的设置改变形成在外延结构中的沟槽结构的侧壁的形貌，从而可以使得在沟槽结构中形成的柱结构的形貌依据实际需求进行改进，可以改变沟槽结构侧壁与底部之间的倾斜情况，即改变柱结构侧壁与底部之间的倾斜情况，进而可以改善由其引起的电容急剧变化的问题。
半导体器件结构

[发明专利]半导体器件形成方法及版图结构-CN202010694331.5在审
发明人：孙旭轩;陈莉芬;刘宇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件形成方法及版图结构，通过使接触结构的侧壁与覆盖侧墙层的阻挡层存在间隔，可以避免所述接触结构与阻挡层中的空隙接触，由此可以使所述接触结构远离所述阻挡层中的空隙，从而能够解决接触结构的形貌缺陷问题，并可以进一步解决因接触结构的形貌缺陷造成的半导体器件漏电。使接触孔版图层的接触孔图形区与栅极版图层的栅极图形区存在间隔，从而在利用所述半导体器件版图结构形成半导体器件的过程中，可以使接触结构与栅极结构之间具有一定的间隔，由此可以使得所述接触结构远离空隙，避免接触结构的形貌缺陷问题
半导体器件形成方法版图结构

[实用新型]表面形貌测量仪-CN201220595248.3有效
发明人：李威 -专利权人：浙江大铭汽车零部件有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G01B21/20 文献下载
摘要：本实用新型专利涉及一种测量仪，尤其涉及一种表面形貌测量仪，主要用于对轮毂单元二维形貌的测量。仪器测量基座上部的右侧设有立柱导轨，立柱导轨上设有测量升降台，测量升降台通过Z向传动系统相升降，Z向传动系统的底部与Z向编码器相连接，测量升降台中设有X向高精度导轨，X向高精度导轨与电感传感器相滑动连接，电感传感器的外侧壁设有金钢石探针表面形貌测量仪结构紧凑，使用效果好，提升产品质量，测量精度高。
表面形貌测量仪

[发明专利]用于植入物表面的表面处理-CN201680046260.X有效
发明人： D·曼达尼奇;Z·B·萨丁;K-M·林;O·桑切斯 -专利权人：拜奥美特3I有限责任公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：该方法包括使植入物的表面的至少一部分变形以产生第一微米级形貌。该方法还包括移除该表面的至少一部分以产生被叠置在第一形貌上的第二微米级形貌。该第二微米级形貌与第一微米级形貌相比通常不那么粗糙。该方法还包括添加被叠置在第一微米级形貌和第二微米级形貌上的亚微米级形貌，该亚微米级形貌包括管状结构。
用于植入表面处理

[发明专利]芯片形貌预测方法、装置、设备及存储介质-CN202310423025.1在审
发明人：季瑞安;陈岚;陈容 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片形貌预测方法、装置、设备及存储介质，首先利用预先配置的形貌预测模型，对待预测芯片的版图参数进行处理，得到所述待预测芯片的形貌参数，而后根据所述待预测芯片的形貌参数，确定所述待预测芯片的形貌信息由于在相同的CMP工艺参数下，所述测试版图的化学机械抛光效果和所述待预测芯片的化学机械抛光效果一致，因此，利用所述测试版图的版图参数和所述测试版图的形貌参数，可以配置出能够表征所述待预测芯片的版图参数和对应的形貌参数之间映射关系的形貌预测模型，利用所述形貌预测模型可以确定出所述待预测芯片的化学机械抛光处理之后的形貌参数，从而实现预测化学机械抛光处理之后的芯片形貌的任务。
芯片形貌预测方法装置设备存储介质

[发明专利]形貌检测装置与形貌检测方法-CN201710682522.8有效
发明人：杜艳伟;周钰颖;张鹏黎;王帆 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种形貌检测装置与形貌检测方法，形貌检测装置包括发源发生器、数字微镜器件、探测器及工控机，所述光源发生器包括三维测量光源发生器和光谱测量光源发生器，所述光源发生器形成的光束通过分光镜形成探测光和参考光本发明提供的形貌检测装置与形貌检测方法中，形貌检测装置形成探测光和参考光可实现切换测量状态，探测器检测物面光与基准光，探测器通过两种不同的光源发生器可得到待测面的反射波前相位分布和反射率光谱分布，能对复杂薄膜材料反射光谱
形貌检测装置方法

[发明专利]形貌检测系统及形貌检测方法-CN202110919399.3有效
发明人：王建立;杨永强;糜小涛;王之一;明名;马振予;张玉良;陈宝刚;陈琦 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供形貌检测系统及形貌检测方法，其中，装置部分包括：色散共焦测量装置、参考光装置；方法部分包括以下步骤：S1、通过光谱分析组件得到干涉光的能量信息，并根据能量信息得到干涉光能量分布曲线；S2、利用包络提取算法计算得到包络数据、对包络数据进行拟合，获得包络曲线，包络曲线的最大值对应的波长的焦距即为色散透镜与色散光在待测光学元件的表面的会聚点之间的距离；S4、水平移动待测光学元件，重复步骤S1‑S3，得到待测光学元件的表面的形貌
形貌检测系统方法

[发明专利]一种板坯调宽形貌的预测方法和装置-CN202310815559.9在审
发明人：李树强;辛艳辉;武巧玲;崔二宝;张华文;张月林;张柏元;焦会立;沈文富;王晓平;刘丰 -专利权人：北京首钢股份有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种板坯调宽形貌的预测方法和装置，预测方法通过获取目标钢种的调宽曲线，由于调宽曲线为目标钢种的板坯调宽量跟随板坯长度变化，在根据调宽曲线对目标钢种的板坯试样进行调宽时，可以获得具有不同调宽量的目标试样，以表征目标钢种在不同调宽量下的金属流动性，根据目标试样上每个调宽量的实际截面形貌和预测截面形貌，获得目标钢种经形貌预测模型预测的形貌预测偏差，根据形貌预测偏差对形貌预测模型的设定参数进行调整，以获得预测精度更高的目标预测模型，在根据目标预测模型对目标钢种的调宽板坯进行截面形貌预测时，可以使预测的截面形貌更精准，进而提高了板坯调宽后其横截面形貌预测的准确性。
一种板坯调宽形貌预测方法装置

[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN201910906756.5有效
发明人：穆天蕾 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构；其中，半导体结构的制作方法，包括步骤：提供衬底，衬底上形成有芯模和开口，以及覆盖芯模表面的侧壁层，开口形成于芯模内；于开口中填充掩模材料；去除芯模顶部的侧壁层和开口中部分的掩模材料，使得剩余的掩模材料的顶部低于芯模的顶部；去除芯模侧壁的部分侧壁层，形成栅栏侧壁层，栅栏侧壁层位于芯模的侧壁上。本申请可以有效的控制图案的形貌，起到提高产品性能的作用。
半导体结构制作方法

[发明专利]一种规则形貌纳米铂黑及其制备方法与应用-CN202110949203.5有效
发明人：贺泓;邓华;潘婷婷;陆宇琴;单文坡 -专利权人：中国科学院城市环境研究所
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B22F9/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种规则形貌纳米铂黑及其制备方法与应用。所述规则形貌铂黑的微观形貌包括立方形，由纳米级一级粒子组成。所述规则形貌纳米铂黑制备方法包括如下步骤：(1)升温还原羟铂酸，得到铂黑前驱体；(2)保护气氛下冷却铂黑前驱体至室温，得到所述规则形貌纳米铂黑。本发明所述规则形貌纳米铂黑的纯度高、形貌规则，且制备方法简便易操作、能耗低、成本廉价、环境友好；此外，还可以通过控制还原温度控制规则形貌纳米铂黑的形貌与粒径分布，在催化氧化甲苯、甲醛反应中表现出很高的活性
一种规则形貌纳米及其制备方法应用

[发明专利]具有相交的斜纹图案的机织造纸织物-CN201880096926.1在审
发明人： L·E·柯林斯 -专利权人：金伯利-克拉克环球有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： D03D13/00 文献下载
摘要：公开了可用于制造纤维结构特别是湿法成网的薄纸产品的机织造纸织物，其允许所述织物的幅材接触表面以三维形貌被机织，所述三维形貌包括相对于所述织物的纵向(MD)轴线和横向(CD)轴线成一定角度取向的突起。所述谷可以具有相对陡峭的侧壁，诸如大于22度的壁角，并且可以相对较深，诸如大于约0.35mm的谷深。
具有相交斜纹图案机织造纸织物