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[发明专利]低漂移电压基准-CN201410797934.2在审
发明人： S·马里恩卡 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明涉及低漂移电压基准。提供用于提供电压基准电路的电路和方法，该电路包括随着时间的低漂移和更低的工作电压。通常，期望基准电路提供随时间的准确和精确的基准。
漂移电压基准

[发明专利]一种基于均值漂移的不同精度三维点云数据的融合方法-CN201210496833.2有效
发明人：李文龙;李启东;尹周平;熊有伦 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G06T1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于均值漂移的不同精度下的三维点云数据的融合方法，针对两组精度等级不同的三维点云数据，利用高精度点云建立低精度点云的误差分布，进而对低精度点云进行均值漂移，消除低精度点云的漂移误差，从而实现两组数据信息的融合，该方法包括：S1：建立低精度点云的拓扑结构信息，包括每个样点的邻域点集和单位法矢；S2：利用高精度点云对低精度点云进行密度聚类，根据聚类结果确定低精度点云每个样点的漂移误差；S3：利用低精度点云的拓扑结构信息和所述漂移误差确定低精度点云各样点的漂移矢量，根据该漂移矢量对低精度点云的各样点进行漂移，实现融合。本发明的方法在消除低精度点云漂移误差的同时，可实现小幅度噪声的光顺。
一种基于均值漂移不同精度三维数据融合方法

[发明专利]一种具有低导通压降的SiC基肖特基器件及其制备方法-CN202210532495.7在审
发明人：江长福;周贤权 -专利权人：厦门紫硅半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低导通压降的SiC基肖特基器件及其制备方法，由下至上包括欧姆接触电极、n++型SiC衬底基片、n+型缓冲层、漂移层和肖特基接触电极；漂移层自下而上包括nx第一漂移层和n‑第二漂移层，nx第一漂移层的掺杂浓度大于n‑第二漂移层的掺杂浓度，n‑第二漂移层之内设有p型屏蔽层；其中nx第一漂移层的掺杂浓度自下而上先由低变至高掺杂，后由高变至低掺杂。
一种具有低导通压降 sic 基肖特基器件及其制备方法

[发明专利]利用曲线拟合扣除积分漂移的方法-CN201110048101.2无效
发明人：王勇;季振山;王枫;李实;孙晓阳 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用曲线拟合扣除积分漂移的方法，利用曲线拟合的方法拟合出模拟积分器的积分漂移，然后在积分过程中利用拟合的结果实时的扣除积分漂移，以此达到长时间低漂移积分。本发明方法简单，实现了低漂移积分，使得积分更加准确、可靠。
利用曲线拟合扣除积分漂移方法

[发明专利]低漂移高效喷施系统-CN202080064290.X在审
发明人： M·阿伦森;丹尼尔·锡德伯格 -专利权人：喷雾系统公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B05B15/658 文献下载
摘要：提供了一种包括喷雾末端本体和流动控制元件的喷雾末端。流动控制元件包括前置孔口，流体可通过该前置孔口进入喷雾末端本体的主流体通道。第一和第二排放孔口设置在喷雾末端本体的圆顶形端壁中，其中，第一和第二排放孔口中的每一个布置在圆顶形端壁的顶点的相反的第一和第二侧中的相应一侧。第一和第二排放孔口中的每一个都具有细长的槽状构造，该细长的槽状构造在相应的排放孔口从第一端延伸到第二端时保持基本上恒定的宽度，并且第一和第二排放孔口各自向圆顶形端壁的顶点的一侧延伸基本上相等的距离。
漂移高效喷施系统

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201510550929.6在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底；衬底具有漂移区，漂移区包括元胞区及终端区；在漂移区对应终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在漂移区的下表面内形成集电区；在漂移区内形成第一载流子低寿命区及第二载流子低寿命区；第一载流子低寿命区以及第二载流子低寿命区均位于漂移区与终端区相对的区域；第一载流子低寿命区与主结底部之间的距离小于第一阈值；第二载流子低寿命区与集电区上表面之间的距离小于第二阈值；第一载流子低寿命区位于第二载流子低寿命区的上方。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201510550931.3在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底；所述衬底具有漂移区，所述漂移区包括元胞区以及包围所述元胞区的终端区；在所述漂移区对应所述终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应所述元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在所述漂移区的下表面内形成集电区；在所述漂移区内形成载流子低寿命薄层；其中，所述载流子低寿命薄层与所述终端区相对设置；所述载流子低寿命薄层用于降低集电区注入漂移区的空穴电流。该制作方法形成的IGBT具有载流子低寿命薄层，可以降低漂移区注入主结的电流，进而降低主结的电流密度，避免了主结发生动态雪崩击穿的问题。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]漂移噪声抑制方法及系统-CN202310384163.3在审
发明人：文玉梅;李平;马艺馨 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种漂移噪声抑制方法及系统，包括：步骤S1：采集测量信号，进行低通滤波，对低通滤波信号进行一阶差分；步骤S2：根据测量系统的分辨率和差分量确定漂移噪声的当前值；步骤S3：输出去除漂移噪声的测量值本发明不依赖于传感/测量系统的输入，无论输入量(被测量)有无变化，都可以估计漂移噪声；本发明是对漂移噪声的实时估计，保证了漂移噪声估计可以实时跟踪实际的漂移趋势和漂移量；本发明技术对漂移噪声的估计，不需要假设传感/测量或者漂移的模型，这样也就不存在模型误差。
漂移噪声抑制方法系统

[发明专利]一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法-CN202210514739.9在审
发明人：江长福;周贤权 -专利权人：厦门紫硅半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法，其漂移层包括nx第一漂移层和设于nx第一漂移层上的n‑第二漂移层，nx第一漂移层的掺杂浓度高于n‑第二漂移层。本发明的具有分段掺杂外延结构的SiC基MOSFET器件，利用远离主结区的高掺杂漂移层降低器件的串联电阻，并利用主结区域的低掺杂层提高p型屏蔽层的保护作用，降低器件的米勒电荷，以提高SiC基MOSFET器件的开关转换能力
一种通电 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]基于漂移区多层渐变掺杂的垂直AlN肖特基二极管及制作方法-CN201911258112.6在审
发明人：张进成;宋秀峰;赵胜雷;张苇杭;刘志宏;边照科;陈大正;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于漂移区多层渐变掺杂的垂直AlN肖特基二极管，主要解决现有技术无法同时实现低导通电阻和高击穿电压的问题。其自下而上包括衬底(1)、n+层(2)和漂移区(3)，衬底(1)的下部设有阴极(4)，漂移区(3)的上部设有阳极(5)，漂移区(3)和阳极(5)的上部设有钝化层(6)，该漂移区(3)由n层掺杂浓度自下而上线性递减的AlN漂移层构成，且衬底、n+层和漂移区均采用AlN材料，漂移区采用多层渐变掺杂结构。本发明能同时实现低导通电阻和高击穿电压，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
基于漂移多层渐变掺杂垂直 aln 肖特基二极管制作方法

[发明专利]高导向性、低漂移角度调整用微调丝杆组件-CN201910196403.0在审
发明人：朱健强;汤更秀;刘志刚;杜李峰;庞向阳;张朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： F16H25/20 文献下载
摘要：一种高导向性、低漂移角度调整用微调丝杆组件,包括导向中心圆柱杆，过渡螺母套和开槽滚花手柄。本发明具有直线位移传动精密、导向性好、低漂移、调整稳定可靠的特点，可用作各种导向精度要求高，漂移量小的精密微量角度调整的传动丝杆。
角度调整导向性低漂移微调丝杆精密传动丝杆导向中心滚花手柄过渡螺母精度要求直线位移漂移量圆柱杆传动开槽可用

[实用新型]高导向性、低漂移角度调整用微调丝杆组件-CN201920327999.9有效
发明人：朱健强;汤更秀;刘志刚;杜李峰;庞向阳;张朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： F16H25/20 文献下载
摘要：一种高导向性、低漂移角度调整用微调丝杆组件,包括导向中心圆柱杆，过渡螺母套和开槽滚花手柄。本实用新型具有直线位移传动精密、导向性好、低漂移、调整稳定可靠的特点，可用作各种导向精度要求高，漂移量小的精密微量角度调整的传动丝杆。
角度调整导向性低漂移精密本实用新型传动丝杆导向中心滚花手柄过渡螺母精度要求微调丝杆直线位移漂移量圆柱杆传动开槽可用

[发明专利]堆叠状的III-V族半导体二极管-CN202210116254.4在审
发明人： J·科瓦尔斯基;V·杜德克;R·博贾尼 -专利权人： 3-5电力电子有限责任公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括GaAs或者由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管具有高n型掺杂的阴极层、高p型掺杂的阳极层和布置在所述阴极层和所述阳极层之间的漂移区，其中，所述漂移区具有低n型掺杂的漂移层和低p型掺杂的漂移层，所述n型掺杂的漂移层布置在所述p型掺杂的漂移层和所述阴极层之间，两个漂移层分别具有至少5μm的层厚度并且沿着相应的层厚度具有最高8·1015cm‑3的掺杂剂浓度最大值，所述两个漂移层的掺杂剂浓度最大值彼此之间具有0.1至10的比值，并且，所述n型掺杂的漂移层的层厚度与所述p型掺杂的漂移层的层厚度的比值在0.5至3之间。
堆叠 iii 半导体二极管

[发明专利]低轨卫星星座构型保持方法-CN202011527273.3有效
发明人：张悦;江金凤;樊晓明 -专利权人：火眼位置数智科技服务有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H04B7/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种低轨卫星星座构型保持方法，该方法包括获取初始的低轨卫星星座的卫星轨道参数；确定在星座寿命期间内，初始的卫星轨道参数造成的卫星间构型的第一相对漂移量；确定在星座寿命期间内，在初始的卫星轨道参数下，由大气阻力摄动造成的卫星间构型的第二相对漂移量；根据第一相对漂移量和第二相对漂移量，确定在星座寿命期间内，在初始的卫星轨道参数下，由其它摄动造成的卫星间构型的第三相对漂移量；确定抵消第三相对漂移量所需的卫星轨道参数的偏置量；根据偏置量调整初始的低轨卫星星座的卫星轨道参数以获得被偏置后的卫星轨道参数，以保持低轨卫星星座构型。采用上述卫星星座构型保持方法能够解决低轨星座构型长期保持的难题。
卫星星座构型保持方法

[发明专利]低漂移红外探测器-CN201811374616.X有效
发明人： C·范布根豪特;K·范罗耶 -专利权人：迈来芯科技有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本申请提供了低漂移红外探测器。
漂移红外探测器

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