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[发明专利]低温制备混合晶型钙钛矿材料的方法-CN201610605842.9在审
发明人：赵一新;钱旭芳;张太阳;李戈;郭男杰;岳东亭;阚淼;贾爱华;任孟;徐凤 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温制备混合晶型钙钛矿材料的方法，所述方法包括以下步骤：在配制的前驱体溶液中通入盐酸气体，得溶液A；将溶液A旋涂到钙钛矿薄膜上，旋涂后低温退火，即得混合晶型钙钛矿材料。该方法避免了因温度过高导致的退火过程中钙钛矿材料的分解，同时降低了能耗，对实际应用具有重要意义。
低温制备混合晶型钙钛矿材料方法

[发明专利]一种异型铜排的加工方法-CN201911300823.5在审
发明人：赖士浩 -专利权人：江西云泰铜业有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B22D18/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种异型铜排的加工方法，采用熔炼、铸锭、挤型、低温退火、拉拔以及酸洗、磷化、皂化处理加工而成；本发明增强了异型铜排生产成型后的韧性，提高了延伸率，低温退火有效提高了异型铜排的导热和散热性能，
一种异型加工方法

[发明专利]一种N型硅片的吸杂方法-CN202211508712.5在审
发明人：安艳龙;王步峰;王强;陈斌 -专利权人：尚义县荣登新能源有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种N型硅片的吸杂方法，对化学清洗及抛光后的硅片机体在700‑850°高温下退火炉内进行退火吸杂，退火吸杂过程中将氧气通入退火炉内，在氧气进入退火炉之前，氧气在低温纯水瓶内水浴通过，使氧气携带水蒸气进入退火炉内进行氧化反应；随后往退火炉内通入氮气，氮气进入退火炉之前，氮气在20℃恒温三氯氧磷恒温瓶内通过，使氮气携带三氯氧磷进入退火炉内，其通过对硅片机体进行高温退火处理，有效防止沉积金属离子杂质到硅片内部形成缺陷，改善N型硅片的质量
一种硅片方法

[发明专利]一种IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统-CN201610378219.4有效
发明人：周炯 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提出一种IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统，该方法包括下列步骤：完成IGBT硅片的正面工艺；对所述硅片背面进行减薄工艺，将其研磨至所需厚度；对所述硅片进行离子注入；对所述硅片背面进行退火处理；本发明提出的IGBT硅片背面退火方法及激光退火系统，适应IGBT背面退火工艺研发节点，推出不同激光器组合加预热功能，用以满足特定IGBT背面多层次退火工艺需求，提供了一套激光退火系统化解决方案，替代高功率准分子激光器退火和质子辐照+低温炉管退火工艺，实现不同结深客户定制化需求。
一种 igbt 硅片背面退火方法激光系统

[发明专利]监控退火设备控温性能的方法-CN201910436278.6有效
发明人：李楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种监控退火设备控温性能的方法，包括：提供监控晶圆，所述监控晶圆在退火前后的热波变化量与退火温度之间具有一线性关系；测量监控晶圆在设定温度下退火前后的热波，得到第一热波值和第二热波值；根据第一热波值和第二热波值的差值以及所述线性关系，获得与所述差值对应的实际退火温度；对比设定温度与实际退火温度的偏离程度，判断监控的退火设备的控温性能。本发明提供的监控退火设备控温性能的方法可以对退火设备在低温退火时的控温性能进行有效和准确的监控。
监控退火设备性能方法

[发明专利]一种卧式燃气低温退火炉-CN202011064317.3在审
发明人：熊家豪 -专利权人：熊家豪
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种卧式燃气低温退火炉，包括炉体、温控装置、固定装置、弧形气缸、活动卡板和执行单元；解决了目前的工件在退火的过程中主要存在的炉体内部的密封效果不理想，从而影响工件的退火效率；并且工件放置在炉体内部进行退火时
一种卧式燃气低温退火炉

[发明专利]一种太阳电池减反射膜层的制备方法-CN201410739299.2有效
发明人：熊伟平;林桂江;刘冠洲;李明阳;杨美佳;陈文俊;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳电池减反射膜层的制备方法，其制备步骤包括：采用低温电子束蒸镀方法蒸镀减反射膜层，所述减反射膜层为二氧化钛与三氧化二铝、二氧化硅、氟化镁材料中的一种或多种组成复合结构，采用HF溶液蚀刻减反射膜露出电极，高温退火改善减反射膜晶体质量，其中，蒸镀时基片温度低于200℃，所述的高温退火温度高于350℃，退火在空气氛围中进行，退火使得低温蒸镀的减反射膜重结晶，改善晶体质量，降低反射率及提高可靠性，空气氛围使得减反射膜进一步氧化
一种太阳电池减反射膜制备方法

[发明专利]一种镍铬铝铁精密电阻合金带材的制备工艺-CN201811372651.8有效
发明人：李智德;田秀霞;田春燕;张小明;胡紫阳;彭良均 -专利权人：深圳市业展电子有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B21C37/02 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种镍铬铝铁精密电阻合金带材的制备工艺，包括：1）粗轧精轧轧制成初步带材；2）切边；3）软化；4）拉丝；5）放置真空退火炉进行退火处理以降低温度系数及保证力学性能，得到退火带材；6）步骤5完成后得到的退火带材随炉冷却至小于100℃后取出进行表面抛光去氧化层处理，即获得具有低温度系数的镍铬铝铁精密电阻合金带材。
一种镍铬铝铁精密电阻合金制备工艺

[发明专利]一种GMR磁场传感器的制备方法-CN202010741969.X有效
发明人：刘明;胡忠强;关蒙萌;周子尧;王立乾;朱家训 -专利权人：珠海多创科技有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种GMR磁场传感器的制备方法，包括以下步骤：提供基片；在基片上沉积GMR多层膜结构，所述GMR磁电阻单元至少包括钉扎层、非磁金属层和自由层；在沉积GMR多层膜结构的同时施加一外部磁场对钉扎层进行磁化；低温磁退火，退火的方向与钉扎层的磁化方向相垂直，退火温度低于钉扎层中反铁磁材料的阻断温度；在GMR多层膜结构形成相互独立的GMR磁电阻芯片；将GMR磁电阻芯片按全桥结构连接，并与输入电极和输出电极相连，得到全桥结构的本发明采用的低温低场退火的方式，降低了控制温度的难度，抑制了层间扩散，可使传感器具有更高的磁电阻值和灵敏度。
一种 gmr 磁场传感器制备方法

[发明专利]一种均匀细化GH4169合金锻件混晶组织与调控 δ 相含量的热处理方法-CN202310638727.1在审
发明人：陈明松;陈权;蔺永诚;王冠强;蔡宏伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：其方法包括以下步骤：(1)对具有混晶组织的GH4169合金锻件进行δ相时效处理，时效温度控制在890～910℃，时效时间控制在9～24小时；(2)对时效处理后的锻件进行三阶段退火热处理，第一阶段高温恒温退火的退火温度控制在990～1000℃，退火时间控制在3～5分钟，第二阶段连续降温退火的降温时间控制在5～10分钟，终止温度控制在980～950℃，第三阶段低温恒温退火的温度控制在980～950℃，时间控制在20～30分钟本发明提出的方法可以通过调节三阶段退火热处理中的第三阶段低温恒温退火的温度或者时间，从而协同δ相含量控制和晶粒组织细化来获取所需的微观组织，能有效将混晶组织均匀细化至ASTM11级～ASTM12级，将δ
一种均匀细化 gh4169 合金锻件组织调控含量热处理方法

[发明专利]一种低氧含锰水雾化钢粉的还原工艺-CN201510318414.3有效
发明人：李春林;李松林;龙安平 -专利权人：四川理工学院;中南大学
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种低氧含锰水雾化钢粉的还原工艺，采用高温还原法对水雾化FeMn生粉进行还原，先从室温升至低温还原温度，在低温还原温度下保温一定时间后再升到高温还原温度并保温一定时间。其中低温还原温度550‑750℃，保温时间0.5‑2h；高温还原温度900‑1000℃，保温时间1‑2h。本发明采用两阶段还原工艺，在低温阶段，适当增加低温还原时间，对铁氧化物进行还原，去除更多的氧，并尽量减少锰氧化物的形成，以降低高温阶段锰的氧化转移。与单纯在970℃退火还原相比，两阶段法可使粉末表面氧島含量明显下降，总氧含量也降低到0.2%以下，与单纯970℃退火还原相比，氧含量降低幅度达61%。
一种低氧水雾化钢粉还原工艺

[发明专利]改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法-CN202010877270.6在审
发明人：魏想 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，包括：步骤S1，形成铜衬底图形的半导体器件；步骤S2，在半导体器件的表面沉积300℃～350℃的碳化硅薄膜作为作为铜溢出阻挡层；步骤S3，碳化硅薄膜沉积后利用300℃～350℃低温炉管工艺进行热退火处理本发明在铜CMP之后400℃高温沉积氮化硅薄膜之前低温沉积一薄层的碳化硅薄膜并以其作为铜溢出阻挡层，还在铜溢出阻挡层形成后进行低温炉管退火处理，利用碳化硅层阻挡铜的溢出，降低铜的扩散，而且退火处理后的碳化硅层可以更好地与铜表面发生粘附，且退火后的铜性质也更加稳定，起到稳定铜表面的作用，进一步地改善丘状凸起的缺陷。
改善互连工艺中丘状凸起缺陷方法

[发明专利]一种快速退火的镀膜方法-CN201711329122.5在审
发明人：黄乐;孙桂红;祝海生;陈立;凌云;黄夏;黄国兴 -专利权人：湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速退火的镀膜方法，其中，所述镀膜方法用于DLC膜系，包括真空溅镀和快速退火，逐层真空溅镀后进行快速退火，快速退火为快速闪灯退火，将已镀好膜的膜系结构置于环境温度不超过100℃的密封腔室中本发明采用本发明采用100℃以下的低温进行退火，快速的退火方式使得经真空溅镀的膜系结构可以快速烧结成型，同时多层镀膜后一次退火烧结还节约了制备工艺，同时保证了DLC膜系的良好特性，如稳定性及摩擦特性等。
快速退火真空溅镀镀膜退火膜系结构惰性气体灯多层镀膜快速烧结密封腔室摩擦特性烧结处理退火方式一次退火制备工艺烧结膜层闪灯成型照射节约保证

[发明专利]一种高延伸率1235电缆铝箔及其制造方法-CN202211061557.7有效
发明人：宋喜波;柴明科;李克振;曹艳华 -专利权人：河南明晟新材料科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：首先按照Fe/Si为3.5～4.0的比例进行化学成分配置，然后将合金成分依次进行熔铸、均匀化热处理、热轧、第一次冷轧、中间退火和第二次冷轧，再经清洗分切成小卷后进行快速成品退火而制得。所述第一次冷轧总压下率85±2％，第二次冷轧总压下率80～85％；本发明一方面通过控制加工率和退火工艺达到了材料各向异性较小的目的；另一方面利用退火前的清洗代替成品退火时的低温除油工艺，利用先分切成小卷再采用电炉预加热方式，规避了常规铝箔普通退火低温除油段加热速度慢对再结晶的影响，极大地细化了晶粒，减小了材料的各向异性。
一种延伸 1235 电缆铝箔及其制造方法

[发明专利]低温轧制高强弹簧圆钢及其制备方法-CN201710944651.X在审
发明人：汪志刚;谢飞鸣;赖朝彬;章庆;李红卫;陈明 -专利权人：方大特钢科技股份有限公司;江西理工大学
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：一种低温轧制高强弹簧圆钢，含有下列质量百分比的化学成份C0.4~0.6%，Si0.2~0.4%,Mn0.7~1.0%，Cr0.9~1.1%，V0.10~0.15%，Al0.01~0.03%，其余为铁和不可避免的杂质其制备方法是，对所设计的化学成分进行熔炼、浇铸、锻造和均匀化退火，热轧开轧温度控制为1100℃~1150℃，终轧温度区间为700℃~850℃，轧后空冷；热轧板采用连续退火工艺。本发明的利用低温轧制加连续退火技术生产的高强弹簧圆钢，生产工艺周期短，工艺稳定性高，可充分节约资源。
低温轧制高强弹簧圆钢及其制备方法