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[发明专利]一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法-CN201810087894.0在审
发明人：傅邱云;王耿;周东祥;郑志平;罗为 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法，其中，高介电常数低损耗微波介质陶瓷包括主晶相，所述主晶相的化学表达式为Ba6‑3x(PrySm1‑y)8+2xTi18O54，其中，1/2≤x≤本发明创造性的使用少量Pr对进行Sm置换，得到高介电常数低损耗微波介质陶瓷Ba6‑3x(PrySm1‑y)8+2xTi18O54，其中，1/2≤x≤2/3，0≤y≤0.25。本发明的高介电常数低损耗微波介质陶瓷具有近零温度系数‑11.5ppm/℃～+5.1ppm/℃，高介电常数78.1～83.8，较高的品质因数7100GHz～9700GHz。
高介电常数低损耗微波介质陶瓷主晶相制备化学表达式零温度系数品质因数置换

[发明专利]在第二电介质材料内具有器件的局部互连层及相关方法-CN202210092833.X在审
发明人：安东尼·肯德尔·斯坦普;S·M·尚克;V·N·R·瓦努库鲁 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开涉及一种在第二电介质材料内具有器件的局部互连层及相关方法。本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构，其包括：器件层，其包括位于衬底上的器件。局部互连层位于器件层上方，并且包括位于衬底上方的第一电介质材料。第一电介质材料具有第一有效介电常数。第二电介质材料位于器件上方并与第一电介质材料相邻。第二电介质材料具有小于第一有效介电常数的第二有效介电常数。
第二电介质材料具有器件局部互连相关方法

[发明专利]电介质陶瓷组合物及电子部件-CN201010537275.0无效
发明人：夏井秀定;石井辰也;塚田岳夫;依田真一;余野建定 -专利权人： TDK株式会社;独立行政法人宇宙航空研究开发机构
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供即使因尺寸效应、介电常数也难以降低、并且容易兼具绝缘电阻和高介电常数的、比介电常数的温度变化少的新型电介质陶瓷组合物和将该电介质陶瓷组合物用作电介质层的叠层陶瓷电容器等电子部件。为一种形成了电介质粒子2a的电介质陶瓷组合物。电介质粒子2a具有由六方晶体钛酸钡构成的核22a和形成在核22a的外周的由立方晶体或正方晶体钛酸钡构成的壳24a。
电介质陶瓷组合电子部件

[发明专利]一种超材料介质基板的设计方法-CN201110255467.7无效
发明人：刘若鹏;赵治亚;缪锡根;李雪 -专利权人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C04B32/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种超材料介质基板的设计方法，包括以下步骤：制备二氧化硅气凝胶，得到具有不同孔隙率的二氧化硅气凝胶；测定具有不同孔隙率的二氧化硅气凝胶的介电常数，得到二氧化硅气凝胶介电常数与孔隙率的对应关系；根据介质基板的介电常数大小选择具有特定孔隙率的二氧化硅气凝胶作为介质基板材料。其有益效果是，以二氧化硅气凝胶作为介质基板材料，大大降低超材料介质基板的介电常数，可达到接近于1；另一方面，通过控制二氧化硅气凝胶的孔隙率，进而控制超材料介质基板的介电常数大小，为超材料的应用提供更为准确和灵活的设计途径
一种材料介质设计方法

[发明专利]用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法-CN200980107844.3有效
发明人：刘俊军;多雷尔·I·托玛;埃里克·M·李 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
用于固化多孔介电常数电介质方法

[发明专利]一种低剖面且高增益宽频带介质谐振器天线-CN202010824224.X在审
发明人：郭磊;李晓洲;刘颖;李绪旺 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种低剖面且高增益宽频带介质谐振器天线，属于无线通信和天线技术领域，包括三层结构，其顶层为高介电常数的介质层，中间层为低介电常数的中间层介质基板，底层为低介电常数的底层介质基板。利用多个分离的高介电常数的介质块纵向排列，激励起介质谐振器天线的多个模式，并将两组分离模块沿横向排列，在低频处形成阵列形式增加增益，在高频处看成一个整体，激励起介质谐振器天线的高阶模式，在进一步展宽带宽的同时实现高增益辐射本发明解决了现有宽频带介质谐振器天线剖面高度较高的问题，在低剖面的基础上，不仅实现了宽频带覆盖性能；具有高效率、质量轻、加工成本低的特点，有利于市场推广。
一种剖面增益宽频介质谐振器天线

[发明专利]一种电磁波透镜及电磁波透镜的生产方法-CN202310067445.0在审
发明人：郑洪振;芦永超;孙耀志;尚春辉;凌武斌;陈旭;陆秀春;林然;王国栋;朱强;黄雅珊;康有军;邓崇轩;张福华;杨世潮 -专利权人：广东福顺天际通信有限公司;佛山市粤海信通讯有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01Q15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种电磁波透镜，包括本体，该本体包括若干介质层；所述介质层包括有基材和布设在基材内的介质体，所述基材是在干燥前具有良好塑性和可搅拌性，在干燥后形状固定且塑性消失的材料；所述介质体的介电常数高于基材的介电常数，介质体用于提升所在介质层的介电常数；若干介质层呈层层包裹设置，且由内至外介质层的介电常数是越来越低的。
一种电磁波透镜生产方法

[发明专利]表面安装型天线和包括它的通信装置-CN00801918.5有效
发明人：南云正二;椿信人;石原尚;川端一也 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2000-09-08 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01Q13/08 文献下载
摘要：非供电端辐射电极(3)和供电端辐射电极(4)形成在电介质底层(2)的表面上，其间有一个空间。介电常数调节材料部分(8)位于非供电端辐射电极(3)与供电端辐射电极(4)之间，其内有电容形成的空间S中。该介电常数调节材料部分(8)的介电常数小于电介质底层(2)的介电常数，这使非供电端辐射电极(3)与供电端辐射电极(4)之间的介电常数小于电介质底层(2)的介电常数，并削弱非供电端辐射电极(3)与供电端辐射电极其结果，可以抑制非供电端辐射电极(3)和供电端辐射电极(4)的谐振的相互干扰，从而改善了天线的特征，而不采取加宽例如非供电端辐射电极(3)与供电端辐射电极(4)之间的空间S或减小电介质底层(2)的介电常数等措施
表面安装天线包括通信装置

[发明专利]一种介质谐振器天线-CN202110558769.5在审
发明人：汤小俊;俞斌;谭冠南 -专利权人：苏州硕贝德创新技术研究有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本申请涉及通信技术领域，提供一种介质谐振器天线，包括：覆铜底板，所述覆铜底板上设置有馈电微带线和感应槽，所述馈电微带线连接所述感应槽，用于为感应槽提供激励源；所述感应槽上设置有介质谐振器，所述介质谐振器顶部设置有多个空气孔在实际应用过程中，通过在所述介质谐振器内部钻孔，引入介电常数较低的空气，以达到降低介电常数的目的，在采用介电常数较高的介质谐振器后，也可以避免介电常数增加后，引起品质因子的增加，保证所述一种介质谐振器天线产生较宽的带宽
一种介质谐振器天线

[发明专利]基于开口矩形波导的介质复介电常数无损反射测量方法-CN201910071878.7有效
发明人：田径;李路同;蒋碧瀟;胡皓全;唐璞;陈波;何子远;雷世文 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明属于微波无损测量领域，提供一种基于开口矩形波导的介质复介电常数无损反射测量方法；本发明采用将待测介质板远离辐射口径面的方式，减弱待测介质板复介电常数以及尺寸的变化对波导辐射口径面不连续处的高次模反射场分布的影响，在特定距离范围内可认定高次模反射场分布近似不变，进而通过对已知介电常数介质板反射系数的测量，实现对单模分析方法误差的校准，本发明仅仅考虑波导辐射口径面主模传输就能够得到准确的结果，计算过程更加简单，大大减少运算量；且由于开口矩形波导无需紧贴待测介质，也可实现介质复介电常数的非接触测量，有着更加广阔的应用前景。
基于开口矩形波导介质介电常数无损反射测量方法

[实用新型]一种介质谐振器、滤波器、双工器、多工器、通讯基站-CN202022632491.5有效
发明人：伍隽;潘彦龙;蔡汇钢;蒋匆聪;闵祥会 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01P7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种介质谐振器，其特征在于，包括具有第一介电常数的介质本体和至少一个具有第二介电常数的内置体，所述内置体包裹在所述介质本体内部，所述第一介电常数不等于第二介电常数。本实用新型还公开了一种介质滤波器、双工器以及多工器。本实用新型采用全封闭式结构，改变了现有的谐振器的结构，提高了谐振器的工业价值，在介质本体体积相同的情况下本实用新型的介质谐振器Q值相对于传统打孔谐振器的Q值明显提高。
一种介质谐振器滤波器双工器多工器通讯基站

[实用新型]一种介质谐振器天线-CN202121104022.4有效
发明人：汤小俊;俞斌;谭冠南 -专利权人：苏州硕贝德创新技术研究有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本申请涉及通信技术领域，提供一种介质谐振器天线，包括：覆铜底板，所述覆铜底板上设置有馈电微带线和感应槽，所述馈电微带线连接所述感应槽，用于为感应槽提供激励源；所述感应槽上设置有介质谐振器，所述介质谐振器顶部设置有多个空气孔在实际应用过程中，通过在所述介质谐振器内部钻孔，引入介电常数较低的空气，以达到降低介电常数的目的，在采用介电常数较高的介质谐振器后，也可以避免介电常数增加后，引起品质因子的增加，保证所述一种介质谐振器天线产生较宽的带宽
一种介质谐振器天线

[发明专利]MIM电容及其形成方法-CN202011424986.7在审
发明人：张拥华;李朝勇;贺忻;李明;王保 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种MIM电容及其形成方法，通过在电容上下极板与具有高介电常数的电容介质层之间设置至少一层介质缓冲层，作为高介电常数介质层与上下极板之间的缓冲过渡层，能提供良好的接触界面，降低高介电常数介质层材料带来的高应力以及高应力导致的层间分层缺陷
mim 电容及其形成方法

[实用新型]MIM电容-CN202022921124.7有效
发明人：张拥华;李朝勇;贺忻;李明;王保 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MIM电容，通过在电容上下极板与具有高介电常数的电容介质层之间设置至少一层介质缓冲层，作为高介电常数介质层与上下极板之间的缓冲过渡层，能提供良好的接触界面，降低高介电常数介质层材料带来的高应力以及高应力导致的层间分层缺陷
mim 电容

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN01140937.1无效
发明人：宫岛秀史;山田展英;早坂伸夫;仓嶋延行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2002-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在含有半导体基片的半导体结构上形成以硅氧烷键为主骨架的低介质常数绝缘膜。此低介质常数绝缘膜中以界面活性剂浸透。使此为所述界面活性剂浸透的上述低介电常数绝缘膜在能暴露于水的状态下进行预定的工序。
半导体装置制造方法

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