“介质常数”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1079896个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种中介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法-CN201510105061.9有效
发明人：周迪;李文博;庞利霞;赵金雄 -专利权人：西安交通大学苏州研究院
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数低损耗微波介质陶瓷，该陶瓷的组成表达式为Zr(1‑x)(Mg1/3Nb2/3)xTiO4+ywt％MnCO3，其中0.325≤x≤0.4，0.2≤y≤0.5，y为MnCO3占Zr(1‑x)(Mg1/3Nb2/3)xTiO4的质量百分数，本发明还相应提供一种中介电常数低损耗微波介质陶瓷的制备方法。本发明提供的中介电常数低损耗微波介质陶瓷，烧结温度较低，具有较高相对介电常数和品质因数，而且谐振频率温度系数趋近于零，该种陶瓷可以作为射频多层陶瓷电容器、片式微波介质谐振器或滤波器、陶瓷天线、多芯片组件等介质材料使用
一种介电常数损耗微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种超高介电常数介质薄膜的制备方法-CN202010339064.X有效
发明人：曹铎;刘锋;林方婷;张毅闻;何晓勇;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明介绍了一种超高介电常数介质薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)提供一衬底并清洗，作为介质薄膜沉积的基底；(2)采用等离子体增强原子层沉积的方法在所述衬底上制备HfXO薄膜，其中X为Si,Ge,P,通过形成具有超高介电常数的晶相结构，实现超高介电常数介质薄膜的制备。本发明制备方法，能够制备低等效栅氧厚度、超高介电常数、宽能隙、高可靠性的介质薄膜，为当前随摩尔定律快速发展的半导体工艺技术中栅氧介质的选择提供了一条可行路径。
一种超高介电常数介质薄膜制备方法

[发明专利]层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法-CN201010215116.9有效
发明人：钟汇才;梁擎擎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体器件的层间介质层及其制造方法以及具有该层间介质层的半导体器件，所述方法在介质层内形成不互相连通的孔洞，所述孔洞内可填充具有更低介电常数的多孔低k介质材料，或者仅封住孔洞的上部以在介质层内形成孔这种结构的层间介质层，具有更低的介电常数，减小了器件的RC延迟，也更便于工艺集成，而且由于介质层内的孔洞并未相互连接，不会造成介质材料介电常数的改变以及导线间的短路，使器件具有更好的稳定性和可靠性，从而提高了器件的性能
介质具有半导体器件制造方法

[发明专利]激光器装置-CN200710108180.5有效
发明人：关口亮太;尾内敏彦 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种激光器装置，包括：具有增益的增益介质；用于传播电磁波的波导；以及由所述波导构成的谐振结构。增益介质沿着电磁波的传播方向延伸，并在其厚度方向上于顶面和底面处被夹在由负介电常数介质制成的第一覆层和第二覆层之间。增益介质配备有在和电磁波的传播方向以及厚度方向垂直的宽度方向上与其至少一个侧面相邻的横向结构。该横向结构包括正介电常数介质，该介质在其厚度方向于其顶面和底面处被夹在负介电常数介质之间。波导由增益介质、横向结构、第一覆层和第二覆层构成。
激光器装置

[发明专利]一种多孔介质介电常数的检测方法-CN201711358405.2在审
发明人：宋春芳;罗归一;李静;薛小雯 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及介电常数检测的技术领域，具体涉及多孔介质介电常数的计算方法。其步骤包括，将含水率较低的样品研磨成粉，并使用自制的圆柱形不锈钢测量单元对不同质量下的粉末状样品进行压实。使用与网络分析仪相连的末端开路同轴探头对压实后的样品进行介电常数测量。运用回归分析方法得出样品介电常数与频率的关系，将样品介电常数实际测量值与预先选用的介电混合方程理论值进行拟合得到一定频率下适用于多孔介质介电常数测量的数学模型。
多孔介质介电常数介电常数测量样品介电常数压实圆柱形不锈钢粉末状样品网络分析仪测量单元回归分析混合方程实际测量数学模型样品研磨含水率检测探头介电拟合同轴开路自制

[发明专利]具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件-CN202211209910.1在审
发明人：江安全;张文笛;江钧 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件。该方法包含：步骤a，在衬底上或附有第二电极的衬底上形成介质薄膜；该介质薄膜包含Hf1‑xZrxO2薄膜，其为晶体或非晶态薄膜；0≤x≤1；步骤b，在所述介质薄膜上形成第一电极；步骤c，将第一电极分割为若干离散的微结构，每个微结构的横向尺寸为1nm～50μm；步骤d，退火处理，使得所述介质薄膜中低介电常数相减少，高介电常数相增加。采用本发明的方法提供的超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件，最高介电常数和铁电剩余极化强度分别可大于921和404μC/cm2，信息存储密度高，能够有效地降低器件的操作电压和漏电流
具有超高介电常数剩余极化强度介质薄膜器件制备方法

[发明专利]一种宽温域介电常数的无损光学测试方法及系统-CN202211540091.9在审
发明人：杨家跃;成涛;费天皓;刘林华 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明公开一种宽温域介电常数的无损光学测试方法及系统，包括：获取电介质材料在不同光波段和不同温度下的椭偏参数，所述椭偏参数为对电介质材料进行椭偏测试后得到；根据椭偏参数得到介电函数，并根据介电函数提取高频介电常数、横向光学声子频率和纵向光学声子频率；根据高频介电常数、横向光学声子频率和纵向光学声子频率得到静态介电常数。实现在宽温度领域下无损且准确的测量静态介电常数。
一种宽温域介电常数无损光学测试方法系统

[发明专利]SMA连接器-CN201310562861.4在审
发明人：胡祥 -专利权人：江苏正恺电子科技有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01P5/00 文献下载
摘要：本发明SMA连接器，采取在绝缘体上开设通孔，介质介电常数是空气与聚四氟乙烯混合，聚四氟乙烯介电常数=2.1；空气介电常数为1，混合后介电常数=1.5，采用混合介质，既满足了介质有效支撑的目的，又减小了介质外径和介电常数
sma 连接器

[发明专利]显示面板及显示装置-CN201910241262.X在审
发明人：杨艳娜 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；所述TFT阵列基板包括第一基板和设置于所述第一基板上的导电图案层，所述导电图案层包括数据线；所述彩膜基板包括第二基板和设置于所述第二基板上的公共电极层；其中，所述TFT阵列基板还包括介质层，设置于所述数据线背离所述第一基板的表面，所述介质层的介电常数小于预设介电常数。上述显示面板，通过在数据线上设置介质层，且介质层的介电常数小于预设介电常数，故可以降低数据线与公共电极层之间的耦合电容的介电常数，降低耦合电容的容量，从而降低水平串扰的风险。
介电常数介质层数据线彩膜基板第一基板显示面板导电图案层公共电极层第二基板耦合电容预设对向设置水平串扰显示装置液晶层背离

[发明专利]一种一体成型式介质贴片滤波天线-CN202311160198.5在审
发明人：方家兴;徐凯;金力新;施金 -专利权人：南通至晟微电子技术有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一体成型式介质贴片滤波天线，包括金属中间层，所述金属中间层的中部刻蚀有耦合槽，所述金属中间层的上下表面均设置有低介电常数基板，且，其中一低介电常数基板的外侧设置有顶层高介电常数介质贴片结构，另一低介电常数基板的外侧设置有底层金属馈线结构；所述高介电常数介质贴片结构上设置有若干非金属化一通孔，若干非金属化通孔一呈圆形排列，且该圆形的中部对称设置有垂直于所述底层金属馈线结构的两个非金属化通孔二本发明实现了一体成型的低剖面、高效率圆形介质贴片滤波天线；在降低天线剖面的同时，具有高效率及低装配误差的优点。
一种一体成型介质滤波天线

[发明专利]一种中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法-CN201610022467.5有效
发明人：高峰;张大帅;王利;史芳军;宋皓宇;崔栋;袁姣 -专利权人：南京攀思特电子科技有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明提供了一种中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法。本发明方法工艺简单，采用分步烧制的方式，先分别烧制得到BLT预烧粉和SLT预烧粉，二者在后续烧制过程中将得到(Sr1‑nBan)La4Ti4O15基体，充分保证所得中介电常数的微波介质陶瓷的综合介电性能；优选地，可根据需要加入Nd2O3进行烧制，按照所需化学计量比进行配料，Nd2O3能够均匀地进入(Sr1‑nBan)La4Ti4O15基体中，改善所得中介电常数的微波介质陶瓷的综合介电性能，得到介电常数高，Q×f值高，谐振频率温度系数稳定、接近于零的中介电常数的微波介质陶瓷，充分满足电子通信等领域的实际应用要求。
一种介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]电参数在线可调高功率脉冲形成线及电参数调节方法-CN201611153139.5有效
发明人：李嵩;高景明;杨汉武;钱宝良;阚江南;田希文;晏龙波 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H03K3/53 文献下载
摘要：本发明由脉冲形成线，混合液体介质容器，去离子水液体介质容器，乙醇液体介质容器，循环气泵、液体管道、介电常数测量仪、两个程控开关和处理模块构成。处理模块是安装有介电常数解算软件的计算机，介电常数解算软件从介电常数测量仪获得混合液体介质介电常数，从键盘接收实际应用环境所需的电长度和本征阻抗参数，通过计算与比较，控制两个程控开关调整混合溶液中去离子水和乙醇的比重
参数在线可调功率脉冲形成调节方法

[发明专利]一种包含中空陶瓷粉的低介电常数微波介质基板制备方法-CN201911061681.1有效
发明人：贾倩倩;郭晓光;张海涛;张立欣;金霞;鲁思如;孙伟;魏西 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C04B26/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含中空陶瓷粉的低介电常数微波介质基板制备方法，其步骤为：将中空陶瓷粉进行表面改性，称取一定质量的改性中空陶瓷粉、聚四氟乙烯分散粉料进行混合，再向混合罐中加入一定质量的成型助剂并混合均匀，将复合物料放入挤出机挤出成型，得到圆柱形料坯；将圆柱形料坯反复压延，成为一定厚度的生基片，将生基片烘干；将烘干后的生基片叠层，双面覆铜箔，进行热压烧结，得到低介电常数微波复合介质基板。采用本方法制成的低介电常数微波介质基板介电常数降低至2.20以下，介电损耗低于0.0021。低介电常数的微波介质基板有助于高频信号的低延迟、低损耗传输，是富有潜力的用于高频高速电路板的基础材料。
一种包含中空陶瓷介电常数微波介质制备方法

[实用新型]SMA连接器-CN201320714051.1有效
发明人：胡祥 -专利权人：江苏正恺电子科技有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01P5/00 文献下载
摘要：本实用新型SMA连接器，采取在绝缘体上开设通孔，介质介电常数是空气与聚四氟乙烯混合，聚四氟乙烯介电常数=2.1；空气介电常数为1，混合后介电常数=1.5，采用混合介质，既满足了介质有效支撑的目的，又减小了介质外径和介电常数
sma 连接器

[发明专利]一种低介电常数温度稳定型微波介质及其制备方法-CN201810698339.1有效
发明人：王丹;吉岸;王晓慧 -专利权人：无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介电常数温度稳定型微波介质及其制备方法，属于电子信息材料技术领域。所述低介电常数温度稳定型微波介质的制备方法，首先制备Mg2‑2xZrxSiO40.61Nd0.26TiO3，充分混合后进行烧结，即得到产品低介电常数温度稳定型低损耗微波介质陶瓷本发明能够在不影响其介电常数的前提下，将材料的谐振频率温度系数调节至近零。
一种介电常数温度稳定微波介质及其制备方法